дефекты (Лабы от Гуляева), страница 2
Описание файла
Файл "дефекты" внутри архива находится в папке "дефекты". Документ из архива "Лабы от Гуляева", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "методы исследования материалов и структур электроники" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "методы исследования материалов и структур электроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "дефекты"
Текст 2 страницы из документа "дефекты"
Теперь построим разностный спектр поглощения в координатах μ(ν)=E(ν), определяющий дополнительные полосы поглощения.
| μ2-μ1, 1/см | E, эВ |
| 0,90466047 | 0,025664 |
| 1,55004568 | 0,013687 |
| 2,44616727 | 0,006844 |
| 2,59088759 | 0,00419 |
| 2,67396755 | 0,003311 |
| 2,77052002 | 0,002632 |
| 2,69157835 | 0,002232 |
| 2,81086406 | 0,002053 |
| 3,38538981 | 0,001993 |
| 3,92332754 | 0,001955 |
| 4,41122918 | 0,002053 |
| 5,68501848 | 0,002208 |
| 7,21481446 | 0,002474 |
| 7,96035747 | 0,002566 |
| 7,02644165 | 0,002281 |
| 4,33939479 | 0,001683 |
| 2,78327784 | 0,001369 |
| 2,60965865 | 0,001316 |
| 2,36845582 | 0,001264 |
| 1,67006124 | 0,001167 |
| 1,32800411 | 0,00111 |
| 1,16441533 | 0,001081 |
| 1,10874918 | 0,001058 |
Из разностного графика найдем площади первого и второго пиков. Для этого необходимо определить следующие значения:
1й пик:
-
(µ2- µ1)max = 7,96035747 см-1
Е = 0,002566 эВ
2й пик:
-
(µ2- µ1)max = 2,60965865 см-1
Е = 0,484848 эВ
С учетом того, что 1 эВ = 8066 см-1 , производим расчет площадей этих пиков, чтобы по формуле Смакулы определить концентрации соответствующих центров окраски.
Для 1го пика:
S = см-2
Соответственно n0 = см-3
Для 2го пика:
S = см-2
Соответственно n0 = см-3
ВЫВОД: электронными центрами окраски, которым соответствует большая спектральная линия, являются центры типа F-центров. F-центр есть квантовая система, состоящая из электрона, захваченного эффективным полем анионной вакансии кислорода. Более маленькая спектральная характеристика соответствует собственным дефектам структуры. В этом случае образование дополнительных дефектов практически не происходит, а происходит лишь захват эффективным полем того, или иного дефекта электронов или дырок, образованных ионизирующим излучением.
