05 (Электронные лекции в формате DOC), страница 3
Описание файла
Файл "05" внутри архива находится в папке "Тема 2". Документ из архива "Электронные лекции в формате DOC", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "05"
Текст 3 страницы из документа "05"
Изменения температуры рабочей области прибора в процессе записи высокоомного и низкоомного состояния выглядят следующим образом:
Таким образом, вместо кристаллизации и плавления «канала» , которые имели место в переключателях на ХСП, в данных приборах фазовые переходы происходят во всем «рабочем объёме », что существенно повышает надежность функционирования приборов.
Зависимость сопротивления элемента от величины тока записи (программирования) выглядит следующим образом (раздаточный материал, рис. 2-12):
Проблемы и пути их решения.
Перспективы
1. ИС OUM – памяти достаточно легко реализуются по тонкопленочной технологии: переключающий элемент плюс тонкопленочный МДП-транзистор на a – Si:H. В связи с этим на одной подложке в несколько слоев можно разместить несколько интегральных схем. Подобная технология, названная 3D – OUM, сейчас разрабатывается фирмой Ovonyx. Это означает, что на 1 см2 можно будет разместить не 64 Мбита, а 128, 192 и т. д. Мбит памяти.