03 (Электронные лекции в формате DOC), страница 3
Описание файла
Файл "03" внутри архива находится в папке "Тема 2". Документ из архива "Электронные лекции в формате DOC", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "03"
Текст 3 страницы из документа "03"
у меньшения удельного сопротивления материала.
В связи с этим, либо ограничивают концентрацию 400
т еллура в селеновых слоях на уровне 1 – 3 ат. %, 200
л ибо наряду с теллуром вводят дополнительные , нм
примеси, повышающие время темнового спада 400 600 800
потенциала. Такой примесью, в частности, является фосфор (см. рисунок).
Введение фосфора снижает фоточувствительность слоев на 30 – 40 %, однако более чем на порядок уменьшает скорость темнового спада потенциала, доводя его до приемлемых для электрофотографии значений.
В качестве недостатка слоев с примесью теллура следует отметить снижение энергии активации кристаллизации материала, а следовательно уменьшение тиражестойкости ЭФЦ.
Электрофотографические слои на основе
триселенида мышьяка
О дним из материалов для создания высокочувствительных электрофотографических слоёв является стеклообразный триселенид мышьяка и сплавы на его основе. Характерной особенностью триселенида мышьяка является то, что он не содержит многообразия молекулярных форм, как стеклообразный селен, а имеет слоисто – 5000 S0.1 м2/Дж
полимерную структурную сетку из тригонально As2Se3
увязанных структурных единиц AsSe3/2. Такое
строение облегчает сквозной проход носителей
з аряда и тем самым обеспечивает высокую 500 Se
эффективность разрядки электрофотографического
слоя при экспозиции. Фоточувствительность слоев , нм
на основе As2Se3 при освещении интегральным 50
светом от лампы накаливания значительно 400 600 800
превышает фоточувствительность селеновых слоев (см. рис.).
Это обусловлено расширением спектральной области фоточувствительности в длинноволновую часть спектра и большей согласованностью спектральной характеристики ламп накаливания с областью собственного поглощения триселенида мышьяка.
Вместе с тем, возрастание фоточувствительности сопровождается увеличением скорости разрядки слоя в темноте и снижением предельного потенциала зарядки, что обусловлено большей электропроводностью слоев.
В целом электрофотографические носители информации на основе триселенида мышьяка обладают достаточно высокой фоточувствительностью в длинноволновой области спектра, однако имеют ряд недостатков:
-
значительная скорость разрядки слоев в темноте;
-
относительно высокая стоимость сырья;
-
использование высокотоксичных компонентов.
Электрофотографические слои на основе
гидрогенизированного аморфного кремния
Основные преимущества электрофотографических слоев на основе гидрогенизированного аморфного кремния заключаются в следующем:
-
высокая тиражестойкость (не менее 106 копий) благодаря большой микротвердости материала (1500 -2000 кг/мм2);
-
в озможность получения высокой фоточувствительности во всей видимой области спектра: 1000 S0.1 м2/Дж
а при использовании многослойных «+» зарядка
структур – и в ИК диапазоне;
-
в озможность осуществлять 500
электрическую зарядку слоя
напряжением любой полярности: 200 «-» зарядка
-
в ысокая температурная стабильность, , нм
дающая возможность реализации
компактной конструкции аппарата. 400 600 800
Вместе с тем, при реализации электрофотографического носителя на основе гидрогенизированного аморфного кремния необходимо решить, по крайней мере, две серьезные проблемы.
Первая из них заключается в необходимости существенного увеличения скорости роста пленки a – Si:H (обычные скорости составляют около 1 мкм/час) при сохранении требуемых свойств. (Для электрофотографии необходимы слои толщиной не менее 20 мкм).
Вторая проблема заключается в необходимости увеличения удельного сопротивления гидрогенизированного аморфного кремния, так как для электрофотографии необходимы полупроводниковые материалы с удельным сопротивлением более 1013 Ом·см, а наибольшее удельное сопротивление a – Si:H, как правило, составляет около 1011 Ом·см.
Первая проблема, при получении пленок a – Si:H методом разложения силана в плазме тлеющего разряда, решается либо увеличением концентрации силана в газовой смеси (до 30 – 40 %), что увеличивает скорость до 5 мкм/час, либо заменой моносилана на высшие силаны (дисилан Si2H6, трисилан Si3H8). Как мы с вами говорили, при этом скорость роста увеличивается до 20 мкм/час.
Увеличение удельного сопротивления достигается либо совместным легированием a – Si:H бором и кислородом, либо созданием в электрофотографическом слое областей с различным типом проводимости.
При использовании метода распыления кремниевой мишени в аргонно – водородной плазме пленки a – Si:H получаются более высокоомными, а увеличение скорости роста пленок достигается методом магнетронного распыления.
Электрофотографические слои на основе
органических полупроводников
Органические полупроводники нашли достаточно широкое применение при производстве электрофотографических цилиндров. Спектральные характеристики этих материалов очень разнообразны и зависят от типа полупроводника и сенсибилизирующих добавок.
Для изготовления электрофотографических слоев применяются такие полупроводники, как:
-
поливинилкарбазол (ПВК),
-
полиэпоксипропилкарбазол (ПЭПК) и другие.
Фоточувствительность и тиражестойкость ЭФС на органических полупроводниках примерно на порядок хуже, чем у неорганических:
S = 5 ↔ 50 м2/Дж
Тиражестойкость – 5 ↔ 20 тысч копий.
Однако, несмотря на значительно меньшие абсолютные значения фоточувствительности и тиражестойкости, по сравнению с неорганическими полупроводниками, электрофотографические слои на основе органических полупроводников успешно выдерживают конкуренцию за счет простоты изготовления (метод окунания) и, как следствие, малой стоимости.
Многослойные и варизонные электрофотографические
носители
Как мы отмечали, электрофотографический носитель содержит ряд функционально различающихся областей. Поэтому вполне естественное направление развития электрофотографических носителей информации заключается в создании многослойных структур, в которых функционально различные области (а иногда и одна функциональная область) выполнены из различных материалов, характеристики которых наиболее полно соответствуют задачам данной области.
В простейшем случае электрофотографический слой состоит из двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (материал с большей шириной запрещенной зоны – у свободной поверхности слоя). hν1 > hν2
При экспозиции такого носителя широкополосным излучением обеспечивается высокая фоточувствительность как в коротковолновой области спектра (за счет поглощения коротковолнового излучения hν1 в широкозонном (ΔЕ1) приповерхностном слое), так и в длинноволновой области (за счет поглощения соответствующего излучения hν2 в узкозонном (ΔЕ2) слое, в то время как приповерхностный слой для этого излучения прозрачен). На этой основе были созданы электрофотографические носители со структурами: a–Si1-xNx:H – a-Si:H, Se – Se1-xTex, Se – Se1-xBix.
С другой стороны очевидно, что фоточувствительность электрофотографического носителя должна возрастать с увеличением числа слоев с различной шириной запрещенной зоны. Естественным продолжением этого процесса стало создание варизонных ЭФС, в которых химический состав и ширина запрещенной зоны полупроводника плавно изменяются по толщине слоя.
N, ат. % NSe Ec
с вобод. подложка
п ов-ть
hν
Ev
NBi
x
О днако при такой конструкции существенно уменьшается суммарное сопротивление полупроводникового слоя. С другой стороны, заданную зонную структуру полупроводника необходимо создать лишь в слое генерации (см. рис. на стр. 7). А транспортный слой может оставаться широкозонным и, следовательно, высокоомным. NTe, ат. %
Исходя из этого, был создан трехслойный
н оситель, в котором область генерации состоит из 35
двух слоев (слой селена толщиной 0,5 мкм и слой х, мкм
S e65Te35 толщиной 0,3 мкм), а транспортным слоем
является слой селена толщиной 50 мкм. 0,5 0,8 51
Спектральная зависимость фоточувствительности носителя представляет собой классическую суперпозицию характеристик двух материалов, использованных в слое генерации:
Е стественным следующим шагом S0.1, м2/Дж
является замена ступенчатого
р аспределения компонентов в слое 5000
г енерации на плавное (см. рисунок).
Т акие варизонные носители на основе 500
системы Se – Te были созданы и показали