КР2 Все вопросы 2008й (Вопросы к КР2)
Описание файла
Документ из архива "Вопросы к КР2", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "контрольные работы и аттестации", в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "КР2 Все вопросы 2008й"
Текст из документа "КР2 Все вопросы 2008й"
ВОПРОСЫ К КР2 ПО ПОПОВУ ЗА 2008Й ГОД
ВАРИАНТ A:
-
В чем заключается метод химической модификации ХСП. Происходит ли сдвиг уровня Ферми в материале?
-
Изобразите диаграмму, иллюстрирующую реверсивного изменения оптического пропускания ХСП под действием излучения при различных температурах.
-
Изобразите зависимость плотности электронных состояний от энергии для НКПП по модели Губанова.
-
Изобразите электронную структуру C30 состояния элемента VI группы. (Распределение электронов по орбиталям)
-
Как будет изменяться энергия активации ЭП a-Si:H, получаемого методом разложения силана при увеличении содержания фосфина в газовой смеси?
-
Какие четыре области можно выделить на зависимости коэффициента оптического поглощения аморфного п\п от энергии квантов излучения?
-
Какие три механизма переноса носителей заряда существуют в НКПП? При каком механизме наблюдается наибольшая подвижность носителей заряда?
-
Какие факторы учитываются при определении ковалентной увязанности материала (Жесткости структурной сетки)?
-
Определите величину критерия эффективности структурной модификации материала sis2 (электроотрицательность кремния 1.8, серы 2.5)
-
Что такое квантовый выход и в каких диапазонах он меняется в НКПП?
ВАРИАНТ B:
-
В чем причина резкого снижения плотности локальных состояний в a-Si:H по сравнению с a-Si?
-
Границы применимости различных уровней структурных модификаций.
-
Дайте определение локализованного состояния по Андерсену.
-
Изобразите зависимость плотности электронных состояний от энергии для НКПП по модели М-Д (Мотта-Дэвиса).
-
Изобразите и кратко поясните зависимость фотопроводимости НКПП от интенсивности и от длины волны излучения.
-
Изобразите электронную структуру P40 состояния элемента V группы. (Распределение электронов по орбиталям)
-
Какие существуют методы определения оптической ширины ЗЗ в НКПП?
-
Какую информацию можно получить из сравнения температурной зависисости электропроводности и ТЭДС НКПП?
-
Определите величину критерия эффективности структурной модификации материала gese2 (электроотрицательность германия 1.8, селена 2.4)
-
Проиллюстрируйте эффекты реверсивного и нереверсивного фотоиндуцированного изменения оптических свойств ХСП на примере спектральной зависимости оптического пропускания материала.
ВАРИАНТ C:
-
В чем особенность модели взаимодействия пар с переменной валентностью в ХСП?
-
В чем суть конфигурации модели, используемой для объяснения фотоиндуцированных изменений свойств ХСП?
-
Изобразите зависимость плотности электронных состояний от энергии для НКПП по модели КФО (Коуэна, Фриче, Овшинникова).
-
Изобразите и кратко поясните зависимость фотопроводимости НКПП от напряженности электрического поля.
-
Как получить a-Si:H с минимальным значением электропроводимости?
-
Какие свойства НКПП изменяются при структурных модификациях на уровне подсистемы дефектов и почему?
-
На атомах элементов каких групп (IV, V, VI) могут образовываться дефекты в виде пар с переменной валентностью?
-
Определите величину критерия эффективности структурной модификации материала As2S3 (электроотрицательность мышьяка 2, серы 2.5)
-
Частотная зависимость электропроводности НКПП.
-
Что такое край (хвост) Урбаха на спектр зависимости коэффициента оптического поглощения и какие модели существуют для его объяснения?
ВАРИАНТ D:
-
Дайте определение локализованного состояния по Мотту.
-
Изобразите зависимость логарифма проводимости НКПП от обратной температуры в широких температурных интервалах.
-
Изобразите и кратко поясните зависимость фотопроводимости НКПП от температуры в случае бимолекулярной и мономолекулярной рекомбинации.
-
Как будет изменяться энергия активации ЭП a-Si:H, получаемого методом разложения силана при увеличении содержания диборана в газовой смеси?
-
Как влияют фотоструктурные превращения в ХСП на скорость растворения материала в различных травителях?
-
Как зависит величина фотоструктурных изменений в ХСП от величины критерия эффективности структурной модификации?
-
Назовите четыре уровня изменения структуры в методе структурных модификация свойств НКПП.
-
Объясните понятия щели подвижности в НКПП.
-
При каких условиях происходит инверсия знака проводимости в объёмных ХСП и почему?
-
Что такое корреляционная энергия Хаббарда и какой знак она имеет в ХСП?