Объяснения к курсовому, страница 3
Описание файла
Документ из архива "Объяснения к курсовому", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "схемотехника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Объяснения к курсовому"
Текст 3 страницы из документа "Объяснения к курсовому"
1. Определить состояние выходной цепи первой части устройства в момент t0, который соответствует началу интервала проводимости силового транзистора.
2. С учетом результатов анализа, проведенного в разделах 2.1, 2.2, установить начальное состояние активных элементов, содержащихся в первой части устройства, а также значения потенциалов в контрольных точках этой части.
3. Представить эквивалентные схемы замещения, отвечающие найденным состояниям выходных цепей активных элементов.
4. Привести эти эквивалентные схемы к максимально простому виду (генератор напряжения, соединенный последовательно с сопротивлением, или генератор тока, шунтированный проводимостью).
5. Провести расчет электрических процессов в первой части устройства на интервале времени от t0 до t1. При этом следует учитывать эквивалентные схемы и параметры начального состояния, найденные в п.п. 3, 4. Момент t1 соответствует изменению состояния выходной цепи релаксационного генератора от первого ко второму.
6. Описать новое состояние активных элементов, которые возникают при изменении состояния выходной цепи релаксационного генератора с первого на второе.
7. Представить эквивалентные схемы замещения, отвечающие найденным новым состояниям выходных цепей активных элементов.
8. Привести эти эквивалентные схемы к максимально простому виду (генератор напряжения, соединенный последовательно с сопротивлением, или генератор тока, шунтированный проводимостью).
9. Осуществить расчет электрических процессов в первой части устройства на временном интервале от t1 до t2 с учетом эквивалентных схем и параметров начального состояния, найденных в п.п. 7, 8. Момент t2 соответствует переходу от второго состояния выходной цепи релаксационного генератора вновь к первому.
Примечание. Анализ процессов, отвечающих стационарному режиму работы устройства заканчивается моментом t2 .
Алгоритм анализа электрических процессов во второй части рассматриваемого устройства в стационарном режиме его работы.
1. Рассчитать ток базы транзистора на интервале его работы в состоянии проводимости. При расчете выходную цепь первой части исследуемого устройства по отношению к входной цепи транзистора представить в виде простейшей схемы замещения (генератор напряжения, соединенный последовательно с сопротивлением, или генератор тока, шунтированный проводимостью).
2. Провести анализ электрических процессов в нагрузке, подключенной к выходной цепи силового транзистора, которые происходят на интервале высокой проводимости этой цепи. Принять при анализе, что в состоянии проводимости транзистор работает в режиме насыщения.
3. Провести анализ электрических процессов в нагрузке, подключенной к выходной цепи силового транзистора, которые происходят на интервале ее низкой проводимости, когда транзистор работает в режиме отсечки.
Примечание к п.п. 2 и 3. При переходе от одного интервала к другому необходимо принимать во внимание справедливость двух равенств. Первое из них представляется в виде uc(t - 0) = uc(t + 0). Оно отражает непрерывность изменения во времени напряжений на конденсаторах. Второе, - ∑wp • ip(t - 0) = ∑wp • ip(t + 0), отражает непрерывность изменения во времени магнитного потока, общего для совокупности обмоток с числами витков w1, w2, …, по которым протекают токи i1(t), i2(t), ... . Для дросселя L, содержащего единственную обмотку, по которой протекает ток iL(t), из второго равенства следует iL(t - 0) = iL(t + 0).
4. На основе анализа, проведенного в п.п. 2 и 3, составить уравнения, которые справедливы для установившегося режима работы по отношению к любой из электрических величин, изменяющейся во время процесса, рассмотренного в п.п. 2 и 3. Уравнения представляются в виде: u(tо) = u(tо + T) или i(t0) = i(t0 + T), где Т - период повторения сигналов, управляющих силовым транзистором. Использовать полученные уравнения для определения начальных условий, т.е. значений u(tо) и i(t0).
5. Представить в аналитическом виде функциональные зависимости u(t) и i(t) с использованием результатов, полученных в п.п. 2, 3 и 4.
6. Проверить выполнение неравенства iк(t) ≤ B • Iб на интервале работы силового транзистора в режиме проводимости. Если неравенство выполняется, то на этом расчет электрических процессов в нагрузке, подключенной к выходной цепи транзистора, может быть завершен.
7. Если результат проверки неравенства в п.6 отрицателен, то снова провести расчет, используя алгоритм, данный в п.п. 2-5, но, приняв допущение, что в состоянии проводимости силовой транзистор работает в активном режиме. В этом случае его выходная цепь эквивалентна источнику тока iк(t) = B • Iб.
8. По окончании расчета проверить выполнение неравенства iкэ(t) > B • Iб • rкн на интервале работы силового транзистора в режиме проводимости. Если неравенство выполняется, то на этом расчет электрических процессов в нагрузке, подключенной к выходной цепи транзистора, может быть завершен.
9. Если результаты проверки неравенств в п.п. 6 и 8 отрицательны, то это означает, что интервал работы транзистора в состоянии проводимости разделяется на две части. В одной части этого интервала транзистор работает в режиме насыщения, а в другой - в активном режиме.
Примечание кп.9. Если нагрузка, подключенная к выходной цепи силового транзистора, имеет емкостной характер, то ток нагрузки, а вместе с ним и коллекторный ток транзистора, спадают во времени. Это обусловлено тем, что равно нулю предельное значение тока, протекающего через конденсаторы. Поэтому следует ожидать выполнение условия iк(t) ≤ B • Iб , т.е. работу транзистора в режиме насыщения, во второй части интервала его проводимости.
Если нагрузка, подключенная к выходной цепи силового транзистора, имеет индуктивный характер, то ток нагрузки, а вместе с ним и коллекторный ток транзистора, нарастают во времени. Поэтому следует ожидать выполнение условия iк(t) ≤ B • Iб, т.е. работу транзистора в режиме насыщения, в первой части интервала его проводимости.
Моменту tгp перехода от активного режима работы транзистора к режиму насыщения (или обратному переходу) отвечает равенство uкэ(t) = B • Iб • rкн. Если uкэ(t) > B • Iб • rкн, то транзистор работает в активном режиме, и его выходная цепь эквивалентна источнику тока iк(t) = B • Iб. Если выполняется обратное неравенство, то транзистор работает в режиме насыщения, и его выходная цепь эквивалентна сопротивлению rкн. Это изменение эквивалентной схемы выходной цепи транзистора должно учитываться при расчете процессов на двух интервалах работы транзистора в состоянии проводимости.
10. Если на интервале проводимости силового транзистора имеют место оба режима его работы (активный и насыщения), то по результатам вычислений, проведенных в п.п. 2-5 и п. 7, определить, какой именно режим реализован в начале интервала проводимости транзистора. Затем, используя функциональную зависимость uкэ(t) которая ранее была получена в результате расчета (п.п. 2-5 или п. 7), а также принимая во внимание примечание к п. 9, определить момент перехода от одного режима работы транзистора в состоянии его проводимости к другому.
11. Рассчитать электрические процессы в нагрузке, подключенной к выходной цепи транзистора, на протяжении второй части интервала его проводимости. При этом начальные условия для этой второй части следует определять с учетом примечаний к п.п. 2 и 3.
12. На основе анализа, проведенного в п.п. 10 и 11, составить уравнения, которые справедливы для установившегося режима работы по отношению к любой из электрических величин, изменяющейся во время процесса, рассмотренного в п.п. 10 и 11. Уравнения представляются в виде: u(tо) = u(tо + T) или i(t0) = i(t0 + T), где Т - период повторения сигналов, управляющих силовым транзистором. Использовать полученные уравнения для определения начальных условий, т.е. значений u(tо) и i(t0).
13. Представить в аналитическом виде функциональные зависимости значений u(t) и i(t) с использованием результатов, полученных в п.п. 10,11 и 12.
3. Требования к оформлению пояснительной записки.
Структуру пояснительной записки к проекту целесообразно выполнить такой же, как структура разделов 1 и 2 данного текста. При этом, не повторяя содержания операций, входящих в алгоритмы анализа схемы, необходимо практически реализовать эти операции и привести результаты в виде соответствующих математических соотношений и текстовых пояснений к ним.
Документы представить с использованием текстовой редакционной программы "Microsoft Word", включая входящую в нее программу формульного редактора.
Для вычислений желательно использование пакета программ математических вычислений "Mathcad". В этом случае диаграммы изменения во времени рассчитываемых электрических величин целесообразно дать с применением аппарата графического отображения результатов расчета, содержащегося в программах "Mathcad".
При использовании пакета программ математических вычислений "Mathcad" соответствующие файлы дать в качестве приложений к пояснительной записке.