Федосеева - Основы электроники и микроэлектроники (Основы электроники и микроэлектроники (книга)), страница 52
Описание файла
DJVU-файл из архива "Основы электроники и микроэлектроники (книга)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика пп приборов и интегральных схем" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "физика пп приборов и интегральных схем" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 52 - страница
Мы рассмотрели простейшие оптроны, в которых источником света является светодиод, а фотоприемником служит фотодиод. Такой диодный оптрон имеет большое сопротивление между цепями входа и выхода и используется в качестве ключа. Его выходное сопротивление при отсутствии светового потома, когда фотодиод закрыт, составляет 10' — !0' МОм, т. е. цепь оказывается разомкнутой, а при наличии светового потока, в отмрытом состоянии, сопротивление уменьшается в миллионы раз (до 10' — !О'Ом). Быстродействие диодного оптрона позволяет производить переключения тока с частотой 10' — 10' Гц. Транзисторные оптроны содержат в мачестве фотоприемника фототранзистор, который имеет ббльшую чувствительность, чем фотодиод.
Поэтому транзисторные оптроны более экономичны. По сравнению с диодными оптронами их быстродействие меньше: максимальная частота переключений до 10 Гц. В тиристорных оптронах в качестве фотоприемника используют фототиристор, в результате чего увеличивается допустимый импульс выходного тока: более 5 А при входном токе менее 10 мА.
Эти оптроны могут быть использованы для управления мощными цепями сильноточных устройств. Рассмотренные три вида антропов применяются в основном в качестве быстродействующих ключей и работают в ключевом режиме, т. е. могут находиться в двух крайних состояниях— открытом и закрытом. При автоматическом управлении различными цепями для бесконтактных регулировок используют резисторные оптроны, в которых фотоприемником служит фоторезистор.
Их быстродействие невелико, ио более широк диапазон величин входных сигналов и меньше темновой ток. Более сложные оптроны могут содержать помимо фото- излучателя и фотоприемника электронный усилитель на выходе фотоприемника, причем все эти элементы формируются методами микроэлектроники на одной кремниевой подложке и заключаются в корпус. Система обозначения оптронов в качестве первого элемента 'содержит букву, определяющую материал светодиода; например, А — арсенид галлия и другие соединения галлия, К вЂ” карбид кремния и другие его соединения; второй элемент — буква О— оптрон; третий элемент — буква, определяющая тип оптрона по виду фотоприемника: Р— резисторный, Д вЂ” диодный, Т— транзисторный, У вЂ” тирисгорный; четвертый и пятый элементы такие же, как для светодиодов. Например, АОД101 — диодный оптрон светодиод — фотодиод на основе арсенида галлия„ малой мощности, порядковый номер 01.
Контрольные вопросы !. Назовите основные направления функциональной микроэлектроники. 2. Какие функции выполняют оптоэлектронные устройства и в чем их преимущества перед электронными устройствами? 3. Что представляет собой оптроииая пара? 4. Какие бывают типы оптроиов в зависимости ог вида внутренней и внешних связей оптроииой пары? Нарисуйте их структурные схемы. унетедтурд Вайсбурд Ф. И., Панаев Г. А., Савельев Б. И. Электронные приборы и усилители. Мд Радио и связь, !987. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника.
Мл Высшая школа, 1982. Лягакония В. Е. и др. Телевидение. Мл Радио и связь, 1986. Ефимов И. Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники. Мл Высшая школа, 1983. Жеребцов И. П. Основы электроники.Мл Энергоатомиздат, 1985. Забродин Ю. С. Промышленная электронида. Мл Высшая школа, 1982.
Кришгафоеич А. К. Промышленная электроника. Мл Высшая школа, 1984. Криштафоеич А. К., Трифонок В. В. Основы промышленной электроники. Мл Высшая школа, !985. Овечкин Ю. А. Полупроводниковые приборы. Мл Высшая школа, 1979. Сапаров В. Е., Максимов И. А.
Система стандартов в электросвязи и радиоэлектронике. Мл Радио и связь, 1985. Харченко В. М. Основы электроники. Мд Энергоиздат, 1982. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под обш. ред. Горюнова Н. Н. Изд. 5-е Мл Энергия, 1979. СОДЕРЖАНИЕ От авторов 3 Введение 5 Раздел !. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 11 Раздел 2. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ 106 Глава 2.1.
Электронная эмиссия 106 Глава 2.2. Триод 1!О Глава 2.3. Многоэлектродные лампы 123 Раздел 3. ЭЛЕКТРОННО-ОПТИНЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ !36 Глава 3.!. Электроннолучевые трубки !36 Глава 3.2. Электровакуумные фотоэлектронные приборы 159 Глава 3.3.
Полупроводниковые фотоэлектронные приборы 170 ° Глава 3,4. Светонзлучаюшие диоды 185 Раздел 4. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ПРИБОРЫ 193 Глава 4.1. Электрический разряд в газе 193 Глава 4.2. Приборы тлеющего разряда 199 Раздел 5. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 203 Глава Литература 239 Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава 1,!. Электропроводность полупроводников 1! !.2. Электронно-дырочиый переход 24 !.3. Полупроводниковые диолы 37 !.4. Биполяриые транзисторы 52 1.5.
Полевые транзисторы 73 1.6. Тиристоры 85 1.7. Однопереходные транзисторы 98 5.1. Миниатюризация и микроминиатюрнзация электронных устройств 203 5.2. Интегральные микросхемы 206 5.3. Элементы интегральных микросхем 212 5.4. Виды интегральных микросхем 222 5.5. Функциональная микроэлектроника 229 .
