sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 6

жимов Например, для режима ((кэь (эч (см рнс 2 3) теп човое сопротивление, КтВт, й,и „= (т„— ты))икэ,(ы Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением )(г = Якэ~!кь ()кэ~ !к ~)Я у Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред назначены лля работы в режимах с отсечкой коллекторного тока Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно оч чичаются от динамических режимов работы В лннамических режимах среднее напряжение эми г.гер-база должно быть запирающим Проведенные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позвояяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис 2 7 В ряде случаев параметры некоторыч элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутств) ют Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена Например, если не приволится эквивалентное ьлл Корпус Рис 2 7 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме СКЗ вЂ” активнвк емкость коллектора, СКЗ вЂ” асснвнае емкость «олче ора, СКЭ вЂ” емко н «оллекточьэмиттер, СЭ вЂ” емкость эмнттера С, С„С вЂ” емкости вывол относительно «ор.

Г 3 пука, У."Э, Ьь. ЬК вЂ” инлуктивиссти слов змнттера, базм, «олпе ора соответственно, К вЂ” сопро зс ие базы, аз — по ело а с ьное сопротивление в Пепи эмиттсра, эквивалентное сопротивление «оллектора, Э вЂ” сонротивчснне эмнтмрното перекопа 32 ледовательное сопРотивление коллектора, то это означает малое послед влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе ристик, стики, и он может быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перех ерехода СВЧ мощных транзисторов включает в сеоя значения емк сзей металлизированных площадок в структуре транзистора и гкостей корпуса. То же относится и к понятию «емкость эмиттерного перехола» уснлителыеые свойства мощных высокочастотных линейных травзисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых основываются на использовании двухтонового сигнала, состопшего из двух гармонических сигналов Нелинейные свойства транзисторов в зточ случае оцениваются коэффициентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющимся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных составляющих спектра выходного сигнача (рис 2 8) к амплитуде основного тона.

Рис. 2.8. Вил спектра частот выхолного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих метолом лвухтонового сигнала !†юнов оя он У вЂ” б напнонпыс сосеввл юю е ре аее лорал а, 3 — коы. бюыа нные соса ааляюыае пят о па. рядка Ууу 26т Ге 6а Уба-тбг 26 гт Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в лике огибающей существует соотношение Рвы„ю Р.ыцп.,'г. Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала. В процессе монтажа транзисторов я схемы механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзистора При рихтовке, формовке и обрезке участок вывола у корпуса транзистора лолжен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (агзолятора) он не испытывал изгибающих илн растягивающих усилий.

Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода прн формовке должно быть не менее 2 мм, есяи в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода 2 Поаупровалннновыа проборы не бочее 0,5 мм радиус его изгиба должен быть ие менее 0,5 мм при диаметре от 0,6 до 1,0 мм — не менее 1 мм, при диаметре бочее 1,0 мм — не менее 1,5 мм Прн чу кении, пайке и монтаже транзисторов сзедует принимаю меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий В процессе выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изотятора) ло места зужения н пайли почжно бысть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не )казано иное Допускаетси пайка без теплоотвода и групповым методом есзи температура припоя не превышает (533 й 5)К, а время пайки не бо зее т с, ес ш в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное Очисгку печатных пзат от ф чюсов допускается производить жидкостями, не портящими покрытие, маркировку и матернач корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензиновая смесь) В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов н МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их ог воздействия статического э ектрнчества Способы защиты изложены в ОСТ !! аАО 336013-73 К числу вал нейших предупредитечьных мер относятся хорошее заземление оборудования и измеритечьных приборов, применение заземляющих браслетов (илн колец) межлу телом оператора и землей, антистатических ~ипатов, нспозьзование низковозьтных электропаяльников с заземленным жалом Транзисторы МДП почевые (кроме мошньж) хранят и транспортируют прн наличии эамыкателей на их выводах Замыкатечи удаляют только перед моментом включения (монтажа) транзистора в схему В момент пайки все выводы МДП транзистора доз.кны быть закорачены Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП полевых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус от попадания флюса и прнпоя Прп выборе лаков или компаунлов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора Прн пргзлзененин МДП полевых транзисторов во входных каскадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их за~питы от эчектрических перегрузок Для измерения параметров транзисторов промышленностью выпускается ряд измерительных приборов Наибольшее распространение дчя измерения параметров маломощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощиых— Л2-42 Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть использованы приборы типов Л2-32, ЛЗ-ЗВ, Л2-46 и Л2-48 Методы измерения основны~ электрических параметров транзисторов установлены государственными стандартами Для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2).

Часть вторая СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Разде з третий ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ и-р-и ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД Транзисторы германиевые сплавные и-р-и универсальные низкочастотные маломощные Прелназначены лля применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах в составе гибрилных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной констр>кцнй.

красная Фс, уб база колле унит мул, мбб, мус, муд бага Карнаробо чная сяочна 35 !8-55 20-60 40-120 40- 160 18 — 110 20- 120 40-240 40- 320 Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической пчате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД) Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе Масса транзистора иа керамической азате не бозес 0,8 г, с гиб. кими выводами не бочсе 0,5 г Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при 1ткв = 5 В, уз = 1 мА не менее ТМЗА, МЗА............... 1,0 МГц ТМЗВ, 'ГМЗГ, МЗВ, МЗГ.......

50 мг ТМЗД, МЗД . !О,О МГ 5,0 МГц Постоянная времени цепи обратной связи прп ьгкк = 5 В, !з = 1 мА, Г= 5 МГц пе более ТМЗА, МЗА............... 3,0 нс ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗВ, МЗГ, МЗД..... 3,5 нс Статический козффидиент передачи тока в схеме с общим эмнттером прп !ткв = 1 В, уз = 10 мА при Т= 293 К ТМЗА, МЗА.

ТМЗВ, МЗВ. ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. при Т= 213 К ТМЗА, МЗА.............., 7 2 — 55 ТМЗВ, МЗВ............... 8,0-60 ТМЗГ, МЗГ............... 16-120 ТМЗД, МЗД...........,... 16-160 при Т= 346 К ТМЗА, МЗА ТМЗВ, МЗВ . ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. Граничное напряжение при уз = 5 мЛ не менее . Напряжение насыгцения ко ~лектор-эмиттер прп Iк = 1О мА, ук = 1 мА не ботев Напряжение насышения база-эмпттер при )н=!0 мА, уь = 1 мА не более Время рассасывания при 7„= 10 мА, Г= 1,5 кГц не более . Обратный ток коллектор-эмиттер прп !укз = 15 В, !уьз = = -0,5 В не бочее при Т= 293 К при Т= 346 К Обратный ток эмиттера прн !/вз = 15 В не более .

Емкость кочлекторного перехода при !Iкв = 5 В, Г= 5 МГц пе более . Емкость змнттерного перехода при !твз = 0,5 В,Г= 5 МГц не более . 15 В 0,5 В 1,0 В 2,5 мьс 20 мкА 150 мьА 20 мкА 35 пФ 70 пФ )5 В )5 В !О В !)остоянное напРяжение коллектор-эмиттер . !)остоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора (змиттера) при Т= 2)3+ 308 К. Импульсный ток коллектора (эмиттера) прн т, = !О мкс и средней рассеиваемой мощности, пе превышающей постоянную предельную рассеиваемую мощность . Постоянная рассеиваемая мощность при у=2!3+298 К Тепловое сопротивление переход-среда, Температура окРужающей среды 50 мА )ОО мА, 75 мВт 0,8 К/мвт От 2!3 до 346 К /В гМЯ Та,мл 0,5 0,3 О 01 О,г Ов 04 050„,0 а О,г 04 ОВ ОВ 100„0 Входные характеристики.

Входные характеристики. 1,В 0,9 О,В ' 1 г таВ872 ЯЯВ/ОО' '!. ид Зз а,е ' О 1 г г 4 52„,//я Зависимость относительного статического коэффициента пе. Редачи тока от тока эмиттера. Зависимость относительного времени рассасывания от /к//в. 37 1,4 к 1,г т о,в о,в Предельные эксплуатационные данные 1,4 й1,0 во,В о,в Прнлзечани я ! При Т> 308 К ток коллектора (эмиттера) мА, рассчитывается по формуле (к(1э) = 2 )1358 — Т 2 При Т> 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле 2И~г и 0,9 '213 233 853 Зависимость относительного на пряжения насыщения коччекторэмиттер от температуры Зависимость относительного статического коэффициента пе.

редачи тока от температуры МП9А, МП10, МП10А, МП108э, МП11, МП11А зранзнсторы германиевые сплавные и-р-я усилительные низко частопзые с ненормированным (МП)0, МП)ОЛ, МП)ОБ, МП! ! МП! (А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на частоте ! кГц Предназначены дзя усиления снгназов низкой частоты Вып)слаются в металчостекчянном корпусе с гибкилзи выводазяз Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г Кздяек База Энивтлг Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при (гкк = 5 В, (э = 1 мА не менее МП9Л, МП)0, МП)ОА, МП)ОБ . ! МГп 38 1,9 1,2 1,0 .сч О,б 1,Я 'й 11 10 *" а,з „-О,О Р,у 0,6 823293тТ,К '213838853гуунг313333тд 2 МГц 10 дБ 15-45 15 — 30 25 — 50 25-55 45 — 100 6 — 45 6 — 30 9 — 50 9-55 18 — 100 15 — 90 15 — 60 25-100 25-110 45-165 30 мьА ЗО мкА 50 мкА 30 мкА 30 мкА 150 Оч 2,5 мкСч 60 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 — 323 К МП9А, МП10, МП!1, МП1!А МП10Л, МП10Б .

при Т = З2З вЂ” З4З К МП9А, МП!0, МП11, МП11А МП!ОА, МП10Б . 15 В 30 В 10 В 20 В МП11, МП11А . Коэффициент шума при !зкь = 1,5 В, Т = 0,5 Г= 1 кГц МП9А не более Козффициснт передачи тока в режиме малого сигнала при ггьв — — 5 В, зэ = 1 мА, ~= 1 ьГц при Т= 293 К МП9А МП10, МП10А МП10Б МП11 . МП11А при Т= 213 К МП9А МП!0, МП10А МП10Б МП!1 . МП11А прц Т= 343 К МП9Л МП10, МП!ОА МП10Б МП11 . МП11А Обратный ток коллектор-зчиттер при Т= 293 К ие более МП9А, МП10, МП11, МП11А при !ткэ = 15 В ° МП1ОА при '!Укк='30 В . МП10Б при бнв = 30 В .