sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 4

бгм окге— импучьснпя рассеиваемая мощность биполярного (почевого) транзистора, постоянная рассеиваемая мощность кочлектора, срелияя рассеиваемая мощность коячектора, входная мощносчь бипо чарного (почевого) тран- зистора выходная мощность биполярного (почевого) тран- зистора, входная мощность в ппье огибающей (средняя мощность однотонового сигнача с амплитудой, рав- ной амплитуле двухтоновага сигнала в пике оги- бающей), выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность олнотоновога сигнала с амплитулой, рав- ной амплитуле двухтонавого сигнала в пике оги- бающей), мощность отраженной волны СВЧ сипчача, мощность падающей волны (.ВЧ сигнала, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора, максимально лопустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транз)астора максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.

максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ- ность каччектора, атмосферное давление, скважность, сопротивление в пепи коллектор-источник питания, сопротивление в цепи база-эмиттер, межбазовое сопротивление однопереходного тран- зистора, сопротивчение в депп база-источник питания, сопротивление сток-исток в открытом состоянии почевого транзистора, входное сопротивление, выходное сопротивление, шумовое сопротивление полевого транзистора, сопротивление нагрузки, выходное сопротивление генератора при измерениях, тепловое сопротивление, теплово~ сопротивление переход-кори>с, импульсное тепловое сопротивление переход-корпус, тепловое сопротивление перехол-среда, коэффициент отражения входной цепи соответст- венно в схеме с общей базой и с общим эмнт- тером, коэффидиент обратной передачи напряжения в схеме с общей базой, 21 молуль коэффициента обратной передачи напряже- нна в схеме с общей базой, коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером, коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общей базой, крутизна характеристики полевого транзистора, крутизна характеристики по подложке, время вк.почения биполярного (почевого) тран- зистора, время выкзючения бнпозярпого (полевого) тран- зистора, время задержки дзя биполярного транзистора, время нарасгання для биполярного (полевого) транзистора, время рассасывания дчя биполярного транзистора; время спада дтя биполярного (полевого) тран- зистора, время валер» ки вкчючения позевого транзистора, время задержки выключения полевого транзистора, температура окружающей срелы, температура корпуса, дла бескорпусных транзисто- ров — кристаллолер катета (подложки), температура р-и перехода, коэффициенг почезного лействия коздектора, коэффициент передачи однопереходного транзистора, фаза коэффициента отрах ения от нагрузки, фаза 5-параметра, постоянная времени цепи обратной связи на высо- кой частоте биполярного транзистора, длительность импульса, ддитетьиос~ь фронта ! 5!26 ! ~ты 5ззс Г««з г«н« гы г«в ср„ ге« Гта ««т Гы ««ит Т г)и т) 'рн ф т« тв 1.5.

ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Приборы полупроводниковые Термины и определения Приборы полупроводниковые Система обозначений ЕСКД Обозначения условные графические в схемах Приборы полупроводниковые Приборы полупроводниковые Корпуса Габаритные и присоединнтсльные размеры ОСТ !5133-77 ЗСТ 1! 3369!9-8! ГОСТ 2 730-73 ОСТ 12472-52 Примечание Знаком датее в тексте отмечены параметры ияи кх значения, пряеденные в справочных данных ТУ Прн производстве полупроводниковых риборов они могут не лонтротнраватлса Значения экспчуатанионных дан~ых, приведенные без указания температурного диапазона, справедливы во сеы интервале температур окружающей среды дла данного типа транзистора ГОСТ 20003-74 ГОСТ 19095-73 ГОСТ ! 8604 0.74 ГОСТ !8604 1.80 ГОСТ 18604 2-80 ГОСТ 18604 3-80 ГОСТ 18604 4-74 ГОСТ 18604 5.74 ГОСТ !8604 6-74 ГОСТ 18604 7.74 ГОСТ 186048 74 ГОСТ 18604 9-75 ГОСТ Г8604 10-76 ГОСТ 18604 11-76 ГОСТ ! 8604 12-78 ГОСТ 18604 13-76 ГОСТ !8604 !4-76 ГОСТ 18604 15-76 ГОСТ 18604 16-78 Транзисторы биполярные Электрические па- раметры Термины определеняя и буквенные обозначения Транзисторы полевые Электрические пара- метрья Термины, опредезения и буквенные обозчачения Транзисторы Метолы измерения эчектриче- слих параметров Обшне потожения Транзисторы биполяриые Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Транзисторы бнполярные Метод измерения статического коэффициента передачи тока Транзисторы биполярные Метод измерения емлостей коллекторного и эматтерного пе реходов Транзисторы Методы измерения обратного тока коллектора Транзисторы Метод измерения начального тока лоллектора Транзисторы Метод измеренвя обратного тока эмнттера Транзисторы Метод измерения коэффициен та передачи тока Транзисторы Метод измерения выходной проводимости Транзисторы бицолярные Методы определе- ния граничной и предельной частот коэф- фициента передачи тола Транзисторы бипочярные Метод измерения входного сопротнвчения Транзисторы биполярные Метод измерения коэффициента ~пума Транзисторы биполарные СВЧ генератор- ные Методы определения граничной час- тоты коэффициента передачи тола Транзисторы биполярные СВЧ генератор- ные Метод измеренвя выходной мощности и опредечения коэффициента усиления по мошности и коэффициента почезного дей- ствия Транзисторы бнполярные СВЧ генераторные Метод измерения модуля коэффициента об- ратной передачи Транзисторы биполярные СВЧ генсратор- ные Метолы измерения критического тока Транзисторы бипояярные Метод измерения коэффициента обратной связи по напряже- аию в режиме малого сигнала ЭСТ 18604!7-78 ЭСТ 18604 18-78 ОСТ 18604 19-78 ОСТ 18604 20-78 ОСТ 18604 21-78 ОСТ 18604 22-78 ОСТ 18604 23-80 ОСТ 18604 24-81 ОСТ 18604 25-81 ОСТ 20398 0-74 ОСТ 20398 1-74 ОСТ 20398 2-74 ОСТ 20398 3-74 ОСТ 20398 4 74 "ОСТ 20398 5-74 ГОСТ 20398 6-74 ГОСТ 20398 7-74 ГОСТ 20398 8-74 ГОСТ 20398 9-80 ГОСТ 20398 10-80 24 Транзисторы бнполярные Метол измерения плавающего напряжения эмиттер-база Транзисторы бнпочярныс Методы измере.

ния статическои крутизны прямой передачи Транзисторы бипочярные Методы измерения граничного напряжения Транзисторы бипотярныс Методы измерения коэффициента щуъы на низкой частоте Транзисторы биполярные Методы измерения времени рассасывания Транзисторы биполярные Методы измерения напряжения насыщения коллекторэмиттер и база эмиттер Транзисторы биполярные Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих Транзисторы бипозярные высокочастотные генераторные Метод измереггия выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности я коэффициента полезного лействня Транзисторы бипозярные высокочастотные генераторные Метод определения граничной частоты коэффициента передачи тока Транзисторы полевые Методы измерения электрических параметров Общие положения Транзисторы полевые Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи Транзисторы полевые Метол измерения коэффициента шума Транзисторы полевые Метод измерения крутизны характеристики Транзисторы полевые Метод измерения активной составляющей выхолнай проволимости Транзисторы полевые Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей Транзисгоры полевые Метод измерения тока утечки затвора Транзисторы нолевые Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки Транзисторы полевые Метод измерения начального тока стока Транзисторы полевые Метод измерения крутизны характеристики в ямпульсном режиме Транзисторы полевые Метод измерения начального тока стока в импульсном режиме ГОСТ 20398 11-80 Разде! ктораи ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ Все преиыупзества полупроволниковых приборов, позволяющие создавать чрезвычайно экономичную, малогабаритную и надежную аппаратуру, могут быть сведены к минимуму, если при разработке, изготовлении и экспзуатации ее не будут приняты во внимание их специфические особенности Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена точько при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость их параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами об~пего применения Они сохраняют свои параметры в установленных прелелах в условиях эксплуатации и хранения, характерных лля различных видав и классов аппаратуры Эти условия характеризуются внешними механическими воздействиями (вибрационными, ударными, дентробежными нагрузками) и климатическими воздействиямв (температурными, атмосферными и др ) Устовця эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах В зависимости от эксплуатационных требований, предъявляемых " транзисторам, промышленностью выпускаются транзисторы широкого применения для промышленной и обшетехнической аппаратуры Обшие требования, справедливые для всех транзисторов, пред- 25 ГОСТ 20398 12-80 ГОСТ 20398 13-80 ГОСТ 2 117-71 ОСТ !1 073 062-76 ОСТ 11 336907 0-79 ОСТ 11 336907 8-81 ОСТ 11 336 935-82 ОСТ !! ПО 336 001-71 Транзисторы полевые Метод измерения спектральной плотности шумового напря- жения Транзисторы полевые Метал измерения ос- таточного тока стока Транзисторы почевые Метод измерения сопротивления сток-исток ЕСКД Согчасование поименения покупных изделии Приборы полупроводниковые Методы за- щиты от статического электричества Приборы полупроводниковые Руководство по применению Общие почожения Транзисторы биполярные Руководство по применению Транзисторы полевые Руковолство по при- менению Приборы полупроводниковые бескорпусные Руководство по применению назначенных лла использования в аппаратуре опрегюленного клаож, солержатся в общих текнпческик условиях Нормы на значения эчелтрических параметров н специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных техничесьик условиях Пол воздействием различньгх факторов окружаницей среды (температуры влаги, кимических, механических и других воздействий) некоторые параметры характеристики и свойства транзисторов могут изменяться Целям гсрлмгичной защиты гранзисторных структ)р ог виешник воздействий служат лори)са приборов Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их испо зьзование в составе аппаратуры при любых допустнмык условияк эхсплуатации Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на сверхвысоких частотах определяются констрзкцией транзисторовв Неоохолимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной вчажности, платы с расположенньгмп на них транзисторами рекомендуется полрывать чаком не менее трех слоев Для защиты плат с транзисторами от вчаги рекомеидуетса применять лаки УР-23! (ТУ б-)0-863-79) или ЗП-730 (ГОСТ 20824-75) Корпусными транзисторами не исчерпывается все многообразие выпускаемых типов транзисторов Все бочьшее распространение почучают твк называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах н микросборках Если кристаллы таких транзисторов и защищены специальным покрытием, то оно ие обеспечивает дополнительной защиты от воздействия оаружающей среды Зашита доспи автол обгпей герметпзацней асей мплросхемы Элспзуатация транзисторов поляна осутцествляться в соответствии с требованиями ТУ и стандартамн-руководствами по применению полупроводниковых приборов (общие положения) и руководством для конкретного класса приборов Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работ) рациоэчелтрониой аппаратуры, конструктор обязан ие тотььо учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия ее экспл)атации и хранения Транзисторы — приборы >ниверсального применения Они могут быть успептно использованы не только в классе скем, для которык опи разработаны, но и во млогнх прутик схемах Однако набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, соответствует в первую очередь назначению транзистора В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствуюпгих оптимальных пли предельных режимов эксплуатации Рабочий режим транзистора в проектиркемой схеме часто отличается от того режима, для которого приводатся параметры в ТУ Таблица 21 Характерные особеююети областей работы ири вкчю- чеини транзисторов типа р-пчр по схеме с ОБ в с ОЭ Схе ма Напряжение вхчю- иа эмитчере чеяия Напря- жение яа ко члек- торе Рабочая область Ток коччектора Ток базы Усиле- ние ОБ (уэв>0 ОЭ (гнэ<О УК ()21БУЭ УК =Л21ЭУБ 1Б = ~к(1 + йг1Б)1 гл21Б>0 УБ=УКА1э> О ЮкБ <0 Нкэ<0 Насы- щение ОБ (ГЭБ > (ГКБ ОЭ ((Гвэ(> ((гкэ1 гб > ук(1 +~21Б)1"21Б уб > (кгй21Э ~к <~21БУЭ ук < "2чэуп (г >0 (гкэ <0 Отсеч.