sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 3

ОГКЭ и мнкп Кэ иас укк 12КБи ~~Кар проб ~ КБ макс суут Б Г ЭБО «роб ~УЭБ ~~~ Бэ ~~ЭБ ммс ~ ЭБ2 акс 2БЭ нас ~2ЭБ пп ~' Б1Б2 Б1Б2 никс 11 ~~тир ~В проб ~~В проб н 22 „ постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ко- роткозамлнутых выводах базы и эмгптера, постоянное напряжение коллектор-эмиттер при за- данном обратном напряжении база-эмиттер, импульсное напряжение коллектор-эмнттср при за- ланном сопротивлении в пепи база-эмиттер, импульсное напряжение коллектор-эмиттер при ко- роткозамкнутых выводах базы и эмиттера, импуяьснае напряжение коллектор-эмиттер при задан- ном обратном напряжения база-эмиттер, пробквное напряжение коэчектор-эмиттер при токе базы, равном нутю, пробивное напряжение коллектор-эмиттер при за- ланнам сопротивлении в пепи база-эмнттер.

пробивное напра кение коллектор-эмпттер прн ко- роткозамкнутых выводах базы и эмиттера, пробивное напряжение козлектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмнттер, максимально лопустимое постоянное напряжение коллектор-эмнттер, максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, напряжение насыщения коллектор-эмиттер, постоянное напряжение коллектор-база, иъгпульсное напряжение коллектор-база, пробивное напряжение коллектор-база, максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база, пробивное напряжение эмиттер-база, постоянное напряжение эмпттер-база, паление напряжения на участке база-эмиттер, максимальна допустимое постоянное напра кение эмиттер-база, максимально допустимое обратное напряжение эмпт- тер-база 2 олноперехолного транзистора, напряжение насыщения база-эмиттер, плавающее напряжение эмнттер-база, межбазовое напряжение однопереходного транзис- тора, максимально допустимое межбазовое напряжение однопереходного транзистора, напряжение между эмиттерами двухэмиттерного трав- зистора, напряжение управления двухэмнттерного транзис- тора, напряжение вторичного пробоя, импульсное напряжение вторичного пробоя, напряжение сток-исток, ггзи Бги ~С'И масс ~~ЗИ чанс ~ ~ЗС мнс агна маис ~~И на чанс мзнн макс ЙЗ132)масс изи .„ с'зи аня lзи — аьзиэ! напряжение затвор-исток; напряжение исгок-подложка; максимально допустимое напряжение сток-исток; максимально допустимое напряжение затвор-исток; максимально допустимое напряжение затвор-сток; максимально допустимое напряжение сток-подложка; максимально допустимое напряжение исток-под- ложка; максимально лопустимое напряжение затвор-пол- ложка; махсимально допустилаое напряжение между затво- рами; напряжение отсечки полевого транзистора; пороговое напряжение полевого травзистора; разность напряжений затвор-исток сдвоенного по- левого транзистора; 8 азиз сази2! бт гш Е Енн, Ек ЕБ гк тэ ~Б ~К н ~Э н ~Б н 1КБО тзкб тизб гкэл— гкэк— ткэх— ГК нас ГБ нас У„, на нваб ув имя н ~к макс ~э макс ~Б.

панс ~к н масс максимально допустимый импульсный ток коллек- тора; температурный уход разнос~и напряжений затвор. исток сдвоенного полевого транзистора; шумовое напряжение почевого транзистора; электродвижущая сила шума полевого транзистора; напряжение источника литания; напряжение источника питания цепи коллектора; напряжение источника питания цепи базы; постоянный ток коллектора; постоянный ток эмиттерл; постоянный ток базы; импульсный так коллектора; импульсный ток эмаггтера; импульсный ток базы; обратный ток коллектора; обратный ток эмиттера; обратный ток коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы; обратный ток коллектор-эмиттер при заданном со- противлении в цепи база-эмиттер; обратный ток коллектор-эмнттер при короткозамкну- тых выводах базы и эмиттера; обратный ток коллектор-эмнттер при заданном об- ратном напряжении база-эмиттер; постоянный ток коллектора в режиме насыщения; постоянный ток базы в режиме насыщения; критический ток бипочярного транзистора; ток вторичного пробоя; импульсный ток вторичного пробоя; максимально допустимый постоянный ток коллек- тора; максимально допустимый постоянный ток эмиттера; максимально допустимый постоянный ток базы; уэ и макс уы нас макс уы иас макс ~С макс УБ!Б2 уаки ~ мчи умчи УС иач УС.

нач ! УС иач2 фд уз, у,гл ум уэ. ар маис УС. н, мкас Сэ бк ~!!и багз» Са2» Сзсе азиев Сг У к'ср ./ гр УЬ2! в!!и лаз н Ьа(,— лааэ— максимально допустимым импульсный ток эмиттера, максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщенна; максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения; максимально допустимый постоянный ток стока; межбазовый ток олиопереходного транзистора; ток включения однопереходного транзистора; ток выключения одноперекодного транзистора; ток модуляшан одноперекодного транзистора; начальный ток стока: отношение начальных токов стока сдвоенного по- левого транзистора,' остаточный ток стока; ток утечки затвора; обратный ток затвор-сток при разомкнутом выводе истока; обратный ток затвор-исток прв разомкнутом выводе стока; шумовой ток полевого транзистора; максимально допустимый прямой ток затвора; максимально допустимый импульсный ток стока; емкость змиттерного перехода; емкость коллекторного перекода; входная емкость полевого транзистора; выходная емкость полевого транзистора; проходная емкость полевого транзистора; емкость затвор-стоы прн отсоединенном выводе истока; емкость затвор-исток при отсоеднненном выводе стока; емкость генератора; частота; граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; значение уср в заданном режиме; прелельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора; максимальная частота генерации биполярного транзистора; активная составляющая вхолной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком; активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком; вхолное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим змиттером; входное сопротивление биполярного транзистора в режиме большого сигнала в схеме с общим эмиттером; !Ф 622б — входное сопротивление биполярнога транзистора в режиме малого сигнала в схеме с обшей базой, йсза — КОЭффнцнЕит ОбратНОй Саяэн ПО ИаиряжЕИИЮ бнполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмитгером й52б схеме с общей базой йзм — коэффициент перелачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим змит- тером [йца[ й25э — статический коэффициент передачи тока биполярно- го транзистора в схеме с общим эмиттером, агй(Ьдб) — фаза коэффициента перелачи тока в схеме с обшей базой язза — выхолная полная провоггимость биполярного транзистора в режиме малааа сигнала при холостом Ьззга — выходная полная проволимость биполярна2о транзистора в режиме малого сигнала при холостом холе в схеме с обгцей базой Кэр — коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора; Кары 2 — коэффициент УсилениЯ по мощности в Режиме двУх- огибающей) К, — коэффициент шума биполярного (полевого) тран- — коэффициент линейности; — коэффициент насыщения; нала равных амгалггтуд) — число приборов в выборке.

— число прпборов в партии; л Ф Р Рср — средняя рассеиваемая мощность оиполарного (палево- го) транзистора; К аа К, Касс йст Ь' ) йуз йуз — коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала в модуль коэффипиента передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим змиттером на высокой частоте; ходе в схеме с оощим эмиттером тонового сигнала (озношение выхолиай мощности в пике огибаюп2ей ко вхолной мощности в пикс зистора, — значение К,„в заданном режиме; — коэффициент стоячей волны по напряжению, — длина выводов; — коэффициенты комбинационных составляющих соответственно третьего и пятого порядка [отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинашаонной составляющей третьего (пятого) порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход транзистора двухтонового сиг- — постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевога) транзистора; Рп Рк ) К ср Р„, ) хпп гпок х(по~ ) окр ) па.к )м«с мкс ) К ~акс ) К ср на«с Р 0 Кк )сьэ )~Б~Бг ВБ ~~СИ окк А,х В их Аи )~н Кт' )сг йтннк Рткс апа.