sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами), страница 2

Настоящий справочник отличается от предыдущих изданий полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов эксплуатации Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на отдельные типы приборов Справочник содержит свелеиия об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах транзисторов, а также зависимости параметров от режимов и эксплуатационных факторов Во второе издание справочника внесены дополнения и изменения, связаиныс с корректировкой рида государственных стандартов и технических условий на некоторые типы приборов, проведенной после сдачи в печать первого пздаиия, а также с введением в действие некоторых новых государственных н отраслевых стандартов Эти изменения, в первую очередь, касаются уточнения параметров на основе обобщения полученных в производстве статистических материалов, и отчасти, корректировки отдельных норм иа параметры и некоторых изменений конструкции приборов Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широкого крута радиолюбителей Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять в адрес издательства.

!131!4, Москва, М-114, Шлюзовая наб, !О, Энергоатомиздат Авгиоры Часть первая ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Раздел первый КЛАССИФИКАЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1.1. КЛАССИФИКАИИй И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ Классификация транзисторов по нх назначению, физическим свой:твам, основным алек грическим параметрам, конструктивно-тсхноюгическим признакам, роду исходного полупроводникового материала юходит свое отражение в системе условных обо1пачений их типов. 3 соо~ветствии с возникновением новых классификационных групп гранзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, юторая на протяжении последних )5 лет трижды претерпевала ззменепия.

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ )!.336.9!9-8! и базируется на ряде :лассификацнонных признаков. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код, зервый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый латериач, на основе которого изготовлен транзистор. В~арой элемен1 обозначения — буква, определяющая подкзмсс транзистора, третий — цифра, определяющая его основные функциоыльные возможности (допустимое значение рассеиваемой мощности ~ граничную либо максимальную рабочую частоту). Четвертый — число, обозначающее порядковый номер разработки гехнологического типа транзисторов (каждый технологический тпп ложат включать в себя один или несколько типов, различающихся ю своим параметрам). Пятый элемент .

буква, условно определяюгцая классификацию то параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологив. Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда пополнительных знаков, отмечающих отдельные существенные кон:труктивно-технологические особенности приборов.

Для обозначения исходного материала используются следующие зимволы (первый элемент обозначения); Г или ! — для германия нли его соелинений; К или 2 — для кремния или его соединений; А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида "аллия, используемого для создания полевых транзисторов); И илп 4 — для соединений индия (эти соединения для про- цзводства транзисторов пока в качестве исходного материала не используются) для обозначения подклассов транзисторов используется одна из двух букв (второй элемент обозначения) Т вЂ” дяя бипочярных транзисторов, П вЂ” для полевых транзисторов для обозначения наиболее характерных эксплуатационных при- знаков транзисторов (их функциональных возможностей) испочь- зуются девять цифр (третий элемент обозначения), характеризующих подклассы биполярных и полевых транзисторов по значениям рас- сеиваемой мощности и граничной (для полевых транзисторов— максимальной рабочей) частоты 1 — транзисторы маломощные (Р „„,.

К 0 3 Вт) низкочастотные (ук 3 Мгп), 2 — транзисз оры маломощные средней частоты (3 и у к 30 МГц), 3 — транзисторы маломощные высокочастотные и СВЧ (г > > 30 МГц), 4 — транзисторы средней мощности (0,3 Вт < Р„,„, и 1,5 Вт) низ- кочастотные, 5 — транзисторы средней мощности средней частоты, б — транзисторы средней мощности высокочастотные и СВЧ, 7 — транзисторы большой мощности (Р„,„, > 1,5 Вт) низкочас- тотные, 'в — транзисторы большой мощности средней частоты, 9 — транзисторы большой мощности высокочастотные и СВЧ Для обозначения порядкового номера разработки используются числа от 01 до 999, в качестве классификационной литеры исполь- зуются буквы русского алфавита от А до Я, за исключением сходных по начертанию с цифрами 3, О, Ч В качестве дополнительных элементов обозначения используются слелующие символы буква С после второго элемента обозначения для наборов в общелз корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки), ие соединенных, как правило, электрически, цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозна- чения для бескорпусных транзисторов, значение этой цифры соот- ветствует следующим модификациям конструктивного исполнения 1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя (подножки), 2 — с гибкими выводами на кристалтодержателе (подложке), 3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки), 4 — с;кесткимн выводами на кристаллодержателе (подложке), 5 — с контактными площадками без кристачлодержателя (под- ложки) и без выводов (кристалл), 6 — с контактными площадками на крис галлодержателе (под- ложке), но без выводов (крис~пил на полложке) Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа почучи~ь значительный объем информации о свойствах транзистора При иеры обозна«еиид ГТ! 0!А — германиевый биполярный маломощный низкочастот- 13 .гй, номер разработки 1, группа А.

2Т399А — кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер раз|ботки 99, группа А. 2П904Б — кремниевый полевой мощный высокочастотный, номер ~зработхи 4, группа Б. 2Т399А-2 — аналогичен транзистору типа 2Т399А, но в бескорпусгм исполнении с гибкимн выводами на кристаллодержателе. Поскольку ОСТ !1 336.038-77 введен в действие в 1978 го зя большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, люльзованы иные системы обозначений.

У биполярных транзисторов, разработанных до !964 г, и выгскаемых до настоящего времени, условные обозначения типа со. :оат из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс гполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов корпусе, герметизируемом способом колодной сварки. Второй элемент обозначения — олно-, двух- и трехзначное число, зторое опрелеляет порядковый номер разработки и указывает на эдкласс транзистора по роду исхолного полупроводникового ма. :риала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничэй (или предельной) частоты; от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные трап~стары; от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные траигсторы; от 20!до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы; от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы; от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломо!цые транзисторы; от 50! ло 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ малоощные транзисторы; от 60! до 699 — германневые высокочастотные и СВЧ мощные раизисторы; от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные ранзисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторык типов он может тсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по араметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. Прооеры обозначенич некоторых транзнгогаро: П29А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, омер разработки 29, группа А.

МП102 — кремниевый маломощный низкочастотный транзистор в ололносварном корпусе, номер разработки 02. Начиная с !964 г. была введена новая система обозначений типов ранзисторов(ГОСТ 1086264, ГОСТ 10862-72). лействовавшая ло 1978 г. )та система близка к системе обозначений, установленной ОСТ 1 336 919-81 и описанной ранее. Обозначения типов транзисгоров атласно ГОСТ 10862-72, присвоены подавляющему большинству илов транзисторов, вошедших в настоящий справочник. 1.Х КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ В настоящем справочнике, наряду с нашелшей отражение в си- сгеме условных обозначении типов транзисторов кдасснфикапией по роду исходного пояупроволникового матернаэа, рассеиваемой мощ- ности, граничнои частоте, конструктивному исполнению, отображена также классификация по огненному функпноначьному назначению Биполярные транзисторы в соответствии с основнымн областями применения подразделяются иа )3 групп усилитезьные низкочастотные ()',р < 30 МГп) с нормированным коэффидиентом шума, усилитечьиые низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума, усичитечьные высокочастогные (30 МГц <у; < 300 МГп) с нор- мированным коэффициентом шума, усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициен- том шума, СВЧ усилительные ()г > 300 МГц) с нормированным коэффици- ентом шума, СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума, усилительные мощные высоковочьтные, высокочастотные генераторные, СВЧ генераторные, переключательные маломощные, переключательные мощные высоковольтные, импучьсные мощные высоковольтные, универсальные По своему основному назначению полевые транзисторы делятся иа трн группы усилительные, генераторные, переключательные По виду затвора и способ) управления проводимостью канала полевые транзисторы делятся на четыре группы с затвором на основе р-л перехода, с изолированным затвором (МДП-транзисторы), работающие в режиме обеднении, с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения Каждая иэ перечисленных выше групп характеризуется спе- пифической системой параметров и справочных зависимостей, от- ражающих особенности применения транзисторов н радиоэлектронной аппаратуре Применительно к данной классификации транзисторов н расположен информационный материал в справочнике 1.3.

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначении полупроводниковых пРиборов в соответствии с ГОСТ 2 3ЪО-73 Графические обозначения пояупроводниковых приборов, помещеных в данном справочнике, приведены в табл ! ! абли па ! ! Графические обозначения полупроводниковых приборов Обозначение Наиченоваиие Однопереходный транзистор с л- и р-базой Транзистор типа р-и-р Транзистор типа л-р-л с коллектором, электри ески соелиненным с корпусом Лавиниый транзистор типа л-р-л Почевой транзистор с канатом л- и р-типа Полевой транзистор с изолированным затвоом с выводом от подножки обогащенного ипа с р-каналом и обедненного типа с -каналом Полевой транзистор с изолированным затвоюм обогащенного типа с л-каналом и с внут~еиним соединенвем подложки и истока Полевой транзистор с двумя изолированными атворами обедненнозо типа с л-каналом и с нутренним соелинением подложки и истока !.4, УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Окэ — напряжение коллектор-эмиттер, !/кэе, — граничное напряжение биполярного транзистора, с сгкэе — постоянное напряжение коллектор-эмиттер при ток базы, равном нулю, !/кэя — постоянное напряжение коллектор-эмиттер при зз данном сопротивлении в испи база-змиттер, 22кэк— Е'кэх— 1УКЭКи СУК ЭХ и ~ук ЭО проб ~~кэапроб бкэки ~~КЭХ проб Гукэ ° ...