Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977), страница 146

295 — примесные 20 — энергии 11 Ускоряющая емкость 519, 523, 524 Условие 'нейтральности 31 — сильного сигнала 477 Участок Лосева 161 Ферми †йяра распределение 23 Ферми уровень 23, 27 Фононы 8, 38„ 41 Формула Конузлл — Вайскопфа 39 — узлового напряжения 466 — Эйнштейиа 61 Формулы Молла †Эбер 183 Функция ошибок 84 Х Химический потенциал 27 Холла з. д. с. 254 — датчик 438 Чохральского метод 253 Ширина запрещенной эоны 13, 18, 26 — перехода иеравиовесная 98, 103 — — равновесная 96, 103, 107 Эйнштейна формула 61 Эквивалентная схема транзистора для постбянных составляющих 181, 186, 215 — — — — переменных составляююих 187, 220, 22! — — — — а 398 — постоянная времени коаффнциента 6 343 Эквивалентный ковффнцнент оо, 397 — — !! т 335 — — диффуаии 140 Эксклювия 86 Экстракция 66 Электронные оболочки атома )2 Электронный полупроводник 9 Электростатический потенпиак 27, 36 Эмектрохимический потенциал 28 ' Элементарная ячейка 6 Эмитчер 99, 173 Эмиттер кое рассасывание носителей 486 Энергия активации, ионизации 1О Эффект Дембера 76, 1!5, !45 — оттеснения тока 237 — смыкания 2!5 — тунвельный 69, 112, 129, 167 — Эрли 180 Эффективная концентрация примесей 2! — масса !4 — плотность состояний 25, 26 — подвижность 77 Эффективное время живни 46, 58 ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие к четвцзтому изданию ТРАНЗИСТОРЫ Глпаз лерюя.

Полупроводники. 1-1. Введение 1-2. Структура полупроводников и типы проводимости........ 1-3. Энергетические зоны твердого тела................' 1-4. Зоннзн структура полупроводников 1-5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника ... 1-6. Уровень Ферми 1-7. Концентрация носителей 1-8. Подвижность носителей 1-9. Удельная проводиыость н удельное сопротивление ........ 1-10.

Рекомбинация носителей Общие сведения (44). Равновесное состояние (47). Неравновесное состояние (50). Рекомбинация на ловупжах (5Ц. Время жизни (54). Поверхностная рекомбинация (57). 1-П. Законы движения носителей заряда в полупроводниках..... 1-12. Объюгные заряды и поля в полупроводниках.......... Диэлектрическая релаксация (6о3!. Эф(юкг поля (66). Неодно..К дные полупроводники (7!). Квазинейтральносгь (74). 1.13.

инетика носителей заряда в полупроводниках.......... Биполярная диффузия (75). Дрейф (78). Монополярная диффузия (79). Комбинированное движение (85). 5 5 6 11 Гй 22 27 30 37 42 44 60 63 75 "лава авюрал. Пвлупровсщниковые диоды...,....,......... 87 2-1. Введение...,.....,............,......, 87 2-2. Электронно-дырочный переход . 88 Классибжкация р-л переходов (88). Структура р-п перехо. да (90).

Анализ перехода .в равновесном состоянии (93). Анализ перехода в неравновесном состоянии (97). Плавные р-п переходы (!02). Односторонние р-и переходы (104). 2-3. Специальные тины переходов 105 Переходы между прнмесными и собственными полупроводниками (105). Переходы между однотипными полупроводниками (106). 2-4. Контакты металл-полупроводник.........,,....... 107 Выпрямляющие когп акты (108). Невыпрямляющие (омические) . новтакты (ПО). 2-5.

Анализ идеализированного диода ......... „ ....... Исходные предпосылки (П3). Решение диффузионного уравнения (Пб). Вольт-амперная характеристика (117). Харахтерищические сопротивления (1!9). Температура перехода (!21). 2-6. Обратная характеристика реального диода........., .. 122 Тепловой ток (123). Ток термогенерации (124). Поверхностные каналы (126). Ток утечки (128]. Эквивалентная схема диода при обратном смешлнии (!28). Пробой перехода Туннельный пробой (129). Лавиниый пробой (131). Тепловой и й (133).

г рямая характеристика реального диода............ Ток рекомбинапии (134). Сопротивление базы (135). Зависимость прямого напряжения от температуры (137). Работа диода при высоком уровне инжекции (13)ф Дрейфовая составляющая тока инжектированных носителей (1 ). Коэффициент ннжекции (141). Модуляция сопротивления базы (14Ц. Распределение токов в базе (!44).

Эквивалентная схема диода при прямом смещении (146). Переходвъге характеристики диода ................. Барьерная емкость (емкость перехода) (147). Диффузионная еыкость (148). Режим переключения (!50), Установление прямого напряжения (151). Рассасывание избыточных носителей (154). Восстановление обратного тока (сопротизления) (157). 2-7 2-8 2-9 146 159 Глаза третья Разновидности полупроводниковых диодов 159 163 166 !71 Точечные диоды .

Полупроводниковые стабилитроны Туннельные диоды Диоды Шотгки 3-1 3-2 3-3 3-4 Глаза четвертая. Транзисторы 173 173 175 18! 187 196 212 226 233 235 238 4-1. Введение . 4-2. Основные процессы в транзисторе Инжекция и собирание неоснозных носителей (!76). Распреде. ление носителей в баас (179). Модуляпия толщины базы (180). 4-3. Статические характеристики транзистора .........., Формулы Молла — Эберса (181). Идеализированные статические характеристики (183). Реальные статические характеристики (184) 4-4.

Статкческне параметры транзистора............... Коэффициент передачи эмиттериого тока (188). Сопротивление эмизтерного перехода (192). Сопротивление коллекторного перехода (192). Коэффициент обратной связи по напряжению (193). Объемное сопротивление базы (194). Тепловой ток коллектора (195! 4-5. Динамические параметры транзистора...,........... Барьерные емкости (196). Коэффициент инжекции (196).

Коэффициент переноса (197). Коэффициент передачи тока (ж)0). Диффузионные емкости (204). Посэоянная времеви базы (З)5). Инверсные параметры (206). 4-6. Зависимость параметров ст режима и температуры ........ Зависимость от режима (207). Зависимость от температуры (210) 4-7. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим змнттером .. Статические характеристкки и параметры (212).

Динамические параметры (216). Схема с общим коллектором (221) 4.8. Разновидности эквивалентных схем ........ „ ...... П-образные эквивалентные схемы (2х21). Параметры транзистора как четырехполюсника (2х23). Сравнительная оценка (225) 4-9. Собственные шумы транзистора .................. Источники шумов (226). Коэффициент шума (228). Анализ коэф. фипиента шума (230). Мощность н напряжение шума (232) 4-10. Составные транзисторы 4-11. Допустимая мощность и особенности мощных транзисторов... '.4-12.

Дрейфовые транзисторы Особенности дрейфовых транзисторов (238). Распределение носителей в базе (242). Коэффициент переноса (248). Динамические параметры (249). 4-13. Элементы технологии транзисторов ... , ..... , .... 252 Получение н очистка полупроводников (252). Механическая, и химическая обработка (254). Эпитаксия (2о5б).

Диффузия (257). Основные технологические циклы (261). Снлавная технология (262). Мезюехнология (262). Пленарная технология (265). Фото-. литография (266) Глаза ллюая. Разновидности транзисторов ЖЗ зо8 2?О 274 УС ИЛ ИТАЛ И Глаза пмстая. Статический режим усилительного каскада 317 317 320 6-1 6-2 6-3 Глозая седьмая. Усилители с емкостной связью. 328 328 329 342 Глиа восьмая. Обратная связь в усилятеляк 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 7-1 7-2 7-3 7-4 7-5 8-1 8-2 8-3 8-4 8.5 Точечный транзистор............ Лавинный транзисюр Тирнсторы,, .............,, . Динистор (275). Тринистор (280) Униполяриые (нолевые) транзисторы ........., .....

Унитрон (283). Разновидности унятронов (288). Особенности сальных приборов (290). Эквивалеятная схема (292) олевые транзисторы с изолированным затвором ..., .... Структура и классификация (293). Физические процессы (294). Общий анализ (ЯЮ). Характеристики и параметры в 1-м приближении (304). Характеристики и параметры во 2-и приближении (308). Влияние потенциала подложки (310). Эквивалентная схема (3!2). Схемы включения (315) Выбор рабочей точки Стабильность рабочей точки . Общий анализ (320). Стабильность типовых схем.(323) Расчет каскадов по постоянному току.............. Каскад с общей базой (325). Каскад с ойцим змиттером (326).

Кас-. кад с общим коллектором (327) Введение ..., Каскад в области средних частот ..., ......, .... Упрощенный анализ (329). Внутренняя обратная связь (332). Полный ацализ (334) Каскад в области больших времен и низших частот,, ..... Влияние переходных емкостей Р37). Влияние блокирукхцей емкости в цепи змиттера (338). Совместное влияние емкостей (340). Коррекция искажений вершины (341) Каскад в области малых времен и высших частот..., .. Переходные характеристики (342). Частотные характеристики (346). Добротность каскада (347).