Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977), страница 145

А. Анализ транзисторного преобразователя напряжения с емкосгным накопителем. — В кнл Полупроводниковые приборы и их применение. М., «Советское рано», !962, аыл. 7, с. 260 — 274. 173. Источники электропитания на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Под ред. С. Д. Додика и Е.

И. Гальперина. М., «Советское радио», 1969. 448 с. 174. Журавлев А. А., Мазель К. Б. Преобразователи пос»аниного напряжения иа транзисторах. М., «Энергия», !964. 95 с. с нл. 175. Киселев Л. Н. Расчет преобразователей напряжения на транзисторах. — В кнл Полупроводниковые приборы и их применение. М., «Советское радио», !962, выв.

7, с.275 — 288. 176. Софрошкин Ю. В. Переходные характеристики и устойчивость траваисториых стабилизаторов Каира»кения и тока. М., «Энергия», 1968. 168 с. с ил. !77. Кононов Б. Н. Стабилизаторы напряжения иа полупроводниковых триодах. — «Приборостроение>, 1956, № 1О, с. 9 — 12. ПРЕДМЕТИЫЙ УКАЗАТЕЛЬ Аккумуляция носителей 86 Активации энергия !О, Активная область базы 176 Активный режим 184, 461 Акцепторные примеси 10 Азкатрон 288 Анизотропия кристалла 7 База 99, 173 Барьер потенциальный 73, 93 Блокивг-генератор ждущий 572 Больцмановское равновесие 28, 71 92 Бриллюэва воны 18 Валентная зона 13 — связь 7 Включение транзистора инверсное 174, 181, 470 Внутренняя обратная связь по напряжению 181 Время диффузии 150 — дрейфа 249 Время жизни 8, 46 — задержки 179, 199, 218, 250„346, 479 — накопления 481 — пролога 249 — рассасывания 155, 483 — свободного пробега 38 — спада вершины импульса 341, 410 — — динамического смещения 524 Вырождения критерии 29 Вырожденный полупроводник 20, 29 Геиерационно-рекомбннациониые центры 21 Гистерезис триггерной характеристики 536 Глубина затягивания 86 — обратной связи 358 Горячие носители 41 Граничный заряд в базе 476, 486, 500, 580 Л Дарлингтона схема 233, 392, 504 Двойные соединения 11 Дебаеаская длина 68, Ю Дембера аффект 76, 115, !45 Демберовское поле 76, 83 Дейвкты кристаллической решетки 9, 46 Динамическая нагрузка 395, 449, 504 — отсечка 490, 519, 528 Динамическое смешение 495, 512, 520, 524 Диод Ганна 161 — обращенный 171 — с накоплением заряда (ДНЗ) 1И Дифференциальная составлявшая сигнала 442 Дифференциальное сопротивление диода 1!9 — — коллекгорього и эмнттерного переходов 188, 192 Диффузии время 150, 198, 249 — носителей длина 82 — — коэффициент 61 — — — эквивалентный 140 — примеси глубина 2И вЂ” — коэффициент 258 — уравнение 63, 81, 189 Диффузионная длина 82 — печь 258 Диффузионное приближение 78, 81 — сопротивление базы !93 Диффузия подвижных носителей 27, 60 Диффуэив примесей 257 Длина Дебая (дебаевская) 68, 89 — диффузионная 82 — свободного пробега 38 Добротность генератора пилообразного напряжения 588 — тракзистора биполярного 349 — — полевого 306 .

Донорные примеси 9 Дрейф носителей заряда 27, 86, 60 — характеристик временной 436, 549 — — температурный 428, 439, 543 Дробовой шум 226 Дырка 8, 15 Дырочный полупроводник 1О Емкость запоминающая 526 — корректирующая 350 — ускоряющая 519, 523, 524 — форсирующая 494 Ждущий мультинибратор 562 — режим блокннг-генератора 572 Задержка фронта в блокинг-генераторе 577 — — — ключе 478, 498, 500 — — — транзисторе 179, 199, 218, 250 — — — триггере 530 — — — усилителе 355 Запоминающая емкость 526 Запрещенной зоны ширина 18, 26 Запрещенные эоны 12 Заряд в базе 148, 180, 204, 474 — — переходе !47, 474 — граничный 476, 486, 500, 530 — избыточный 476 — неравновесный 474 Заряда уравнение 475 Затвор',284 Затвора перекрытие 313 Зенеровский пробой 129 Зона валентина 13 — примесная 20 проводимости !2 Зонная плавка 253 Зоны Бриллюэна В — запрещенные 12, 17 — разрешенные !2, 17 Избыточный заряд 476 Импульсное прямое сопротивление диода 154 Инверсионный слой 71, 11О, 127, 296, Инверсное включение транзистора 174, 182, 470 Инверсный режим 461 Индексы Миллера 7 Индуктивная коррекция фронта 352 Инжекции коэффициент 1!7, 189, !96 — уровень 81, 100, 139 Инжекция 66, 98 Интеграл ошибок 84 Интегратор Миллера 606, 609 Ионизации температура 33 — энергия 10, 21 Ионизация прнмесных атомов 9, 32 — ударнан 131 Ионнан связь 7 Исток 284 Истоковый повторитель 315 Истощенный слой 91 Канал 68, 284, 1ВВ Канальные транзисторы 284 Каскад 328 Каскадный диодный стабилизатор 629 Каскод 316, 40! Квазиуровни Ферми 30, 101 Козалентная связь 7 Коллектор 173 Компенсированный полупроводник 21 Контакт омнческнй 88, 110 Контактная разность потенциалов 95, 109, 295 Конузлл — Вайскопфа формула 39 Концентрация носителей избыточная 50 — — собственная 30 — примесей эффективная 2! Коэффициент диффузии носителей 61 — — — эквивалентный !40 Коэффициент диффузии носителей эффекгивный 77 — — примеси 258 — инжекции 117, 189, 196 — нелинейности пилообразного напряжения 588 — нелинейных искажений 4!2 — неоднородности базы 244 — нестабильности 321 — обратной связи (токорасиределення) базовой цепи 3!8, 332 — — — — коллекторной цепи 334 — переноса носителей 189 — подавления синфазной составляющей 444, 457 — поля 85, 244 — рекомбинации 48 — стабилизации 621 — трансформации оптимальный 577 — — согласующий 405, 418, 426 — ударной ионизация 132, 272 — усиления тока эквнзалентный 335, 343 Критерий насьпцения 463 Критическая напряженность поля 40 — температура ЗЗ Крутизна транзистора биполярного хх1, 236, 423 — — МЛП 305, 310 — — — по подложке 312 — — полевого 287, 293 — удельная 303 — усилителя 361, 367, 456 Л Лавинный пробой !31.

163 Ловушка 22, 45, 52 Лосева участок характеристики 161 Максвелла — Больцмана распределение 25 Масса эффективная 14 Метод пяти ординат 413, 420 — трех ординат 4!3, 418, 425 — Чохральского 253 Модуляция проводимости 64 — — (сопротивлення) базы 140, 386 — толщины базы 180 Молла — Вберса формулы 183 Монокристалл 6, 253 Мультивибратор ждуший 562 Накопления время, постоянная времени 481 — скорость 54, 58 Напряжение обратное 87, 98 — отпускания триггера 537 — пороговое МОП транзистора 295, 303 — прямое 87, 98 — смещения нуля 446 — спрямления аон (плосхих зон) 70, 302 — срабатывания триггера 537 Напряженность поля критическая 40 Насыщение скорости носителей 41 — тока 42 Насьнцения критерий 463 — режим биполярных транзисторов !74, 184, 278 — — МДП транзисторов 305 — степень 464 Насыщенного транаисгора потенциах 466 Невырожденный полупроводник 23, 29 Нейтральности условие 31 Нелинейная обратная связь 498 Неоднородный полупроводник 35, 71 Неосновные носители 11 Непрерывности уравнение 62 Неравновесная ширина перехода 98 Неравновесный потенциальный барьер 97 Несимметричный переход 90, 92 Низкочастотные (избьпочные) шумы Носителей заряда дрейф 27, 36, 60 — — рассасывание 51 — — рассеяние 38 Носители заряда горячие 41 — — неосновные и основные 11 0 Обеднения режим 70, 294 Обедненный слой 91, 30! Обогащения режим 70, 294 Обогащенный слой 104, 106, 295 Объемное сопротивление базы 194 Объемные сопротивления слоев 467 Обратная связь внутренняя 332,' 364 — — нелинейная 498 — — параллельная, последовательная,по напряжению, по току 361 Обращенный диод 17! Однородный я неоднородный полупроводннкн 36 Омяческнй участок характеристики 136 Оптимальное балластное сопротивление параллельного стабилизатора 625 сопротивление источника сигнала 420, 426 Основные и неосновные носители 11 Отрицагельное сопротивление 133, 161, 166, 274„278 Отсечка динамическая 490, 519, 528 Перекрытие затвора 313 Переходы несимметрвчные, симметричные и односторонние 90, 92 плавные и ступенчатые 89 Плавка эонная 253 Площадь усиления 347 Плотность состояний эффективная 25, 26 Поверхностные уровни (состояння) 46, 113, 126.

132, 295 Поверхностный потенциал 68, 113, 295, 301 Повторитель потоковый 315 Подвижность эффективная 77 Полнкристаллы 6, 45 Полуметавлы 20, 29, 44, 105, 111. 166 Полупроводник вырожденный 20, 29 — дырочный 10 — компенсированный 21 — неоднородный 36, 71 — собственный 8, 30 — электронный 6, 9 Полупроводники типа и и р 9, 1О Пороговое напряжение МДП транзн- егора 296, 303 Постоянная времени затвора 288 — — канала (крутизны) 314 — — коллехторного перехода 220 — — коэффициента о МΠ— — — — эквнзалентная 398, 478 — — — Р 2!7 — — — — эквивалентная 343, 478 — — накопления 481 — — отсечки 490 — — рассасывания 484 — тепловая 122 — кристаллической решетки 6 Потенциал ионизация 33 — насыщенного транзистора 466 — поверхностный 68, 113, 295, 301 — температурный 23 — химический 27 — электростатический 27 — электрохнмнческнй 28 Потенциальный барьер 73 — — перехода равновесный 94 — — — неравновесный 97 Предельная частота коэффициента усиленна тока 218 Престрнктор 289 Примеси акцепторные 10 — донорные 9 Прнмесная зона 20 Прнмесные уровни 20 Пробой зенеровскнй 129 — поверхностный 132 Проводимости зона 12 Проводимость собственная 9 Работа выхода .108 Равновесие больцмановское 28, 71, 92 Радиаторы теплоотводяшне 237 Распределение Максвелла — Больцмана 25 — Ферми — Днрака 23 Рассасываняе носителей в полупроводнике 51 Рассасывания время !55 Рассеяние носителей 38 Регенерация 517 Режим активный 184, 461 Режим насыщенна 174, 184, 278, 461 — — полевых транзисторов 286, 305 — обеднения, обогащения 70, 294 — сверхкрнтический 41 Рекоыбянации коэффициент 48 Рекомбинация 19 Слмовозбунгдение мультивибратора 551 — преобразователя напряжения 620 — стабилиаатора напряжения 647 Сверхкритнческий режим 41 Свободный злектрон 14 Связь валентная (ковзлентная) 7 Синфаэная составляющая сигнала 442 Скорость генерации-рекомбинации 53, 135 — дрейфовая 37 — накопления 54, 58 — поверхностной рекомбинации 46, 48 — частиц тепловая 38 Следящая связь 391, 394, 594 Слой инверснонный 71, 11О, 127, 296 — истощенный (обедненный) 91, 301 — обогащенный 104, 106, 295 Смещение динамическое 495, 512, 520, 524 Собственная конпентрация ЗΠ— проводимость 9 Собственный полупроводник В, 30 Согласование сопротивлений 404, 411 Сопротивление базы диффчзионное 193 — отрицательное 133, 161, 166, 274, 278 — тепловое 121, 235 'Сопротивления слоев (объемные) 467 Степень насьпцения 464 Сток 284 Ступеячатые переходы 89 Текнетрон 288 Температура новизацни 33 — критическая 33 — удвоения тока 124, 126 Температурный дрейф 428, 439, 543 — потенциал 23 Тепловая постоянная времени 122 Тепловое сопротивлегше 121, 235 Тепловой ток 117, 123 Теплоотводящие радиаторы 237 Термисторы 435, 548 Тормозящее поле в базе 243 Туннельный эффект 69, 112, 1хз, 167 Ударная ионизация 131 Ударной ионизацни коэффициент 132 Узлового напряжения формула 466 Уравнение диффузии 63 — заряда 475 — непрерывности 62 — Пуассона 63 Уровень инжекции 81, 100, 139 — Ферми 23, 35 Уровни поверхностные 46, 113, 126, 132.