Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977), страница 143
Описание файла
DJVU-файл из архива "Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "теория твердотельной электроники (ттэ)" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "теория твердотельной электроники (ттэ)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 143 - страница
42. Адирович Э. И., Кузнецова Е. М. О емкости и электрическом пробое р-и переходов. — «Радиотехника и злектроникаю, 1%9, М 1О, с. 1708— 1717. 43. Носов Ю. Р. Переходные характеристики полупроводниковых диодов.— В кнл Полупроводниковые приборы и их применение.
М., «Советское радио», 1960, вып. 4, с. 3 — 38. 44. Носов Ю. Р. Полупроводниковые импульсные диоды. М., «Советское радио», 1965. 224 с. 45. Степаненко И. П. Переходные характеристики полупроводникового плоскостного диода. — «Иэв. вузов. Радиотехника», 1961, М 2, с. 175 — 184. 46. 1лх В., 1Чеиз!адгег 3. Тгапмеп1 гезропзе о1 р-п 1ипсПоп.
— ««ошп. Арр!. Рйуз.», 1954, № 9, р. 1148 — 1154. 47. К вопросу об электрической формовке точечных германиевых диодов.— «Иэв. вузов. Физика», 1960, № 4, с. 98 — 106. Авто В. М. Грика, С. С. Гуткин, В. М. Матошив, М. Г. Сербуленко. 48. Лосев О. В. Детектор-генератор, детектор-усилитель.— «Телеграфна и телефонии без проводов», !921, № 14, с. 380 и 385. 49. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. М., «Со. ветское радио», 1965. 188 с. Аитл С. Н. Иванов, Н.А. Пении, Н. Е.
Скворцова, Ю. Ф. Соколов. 50. Вершин В. Е. Быстродейсгвуюшие полупроводниковые переключатели. М,, «Энергия». 1965. 103 с. 51. ЕзаЫ 1 !че»ч рЬепогпепоп )и пыта»» йегшап)шп р-п !цпсИопз.— «РЬуз. ))еч.», 1959, чо!. !09 (2), р. 603 — 604. 52. Чмау В. Ф. Принципы пастроеняя схем на туннельных диодах. М., «Мир», 1966. 447 с.
53. Мадоян С. Г., Тихадеев Ю. С., Трутко А. Ф. Туннельный диод.— В кнл Полупроводниковые приборы и их применение. М., «Советское радио», 1961, вып. 7, с. 35 — 54. 54. Сидоров А. С. Теория и проектирование нелинейных импульсных схем на туннельвых диодах.
М., «Советское радио», )971. 264 с. 55. Котт В, М., Гаврилов Г. К., Базаров С. Ф. Туннельные диоды в вы- числительной технике. М., «Советское радио», 1967. 216 с. 56. Эрлн Д. Расширение слоя пространственного зарэда в плосиктном триоде. — В квл Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лиг.„ 1955, с. 105 — 115. 57. ЕЬегз 3.
з., МоП Л. 1 1.агйе-з!йиа) ЬеЬачюцг о1 !ипсИои )гапыз1огз.— «Ргос. )ИЕ», 1954, № 12, р. 1761 — 1772, 58. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Советское радио», 1969. 592 с. 59. Эрли Д. Теоретический расчиг плоскостных транзисторов. — В кнл Полупроводниковая злектроника. М., Изд-во ииостр. лиг., !955, с.!16 — 149. 60.
Тйанзнстарм. Параметры. методы измерений и испытаний. Пад ред. И. Г. Бергельсона. М., «Советское радио», 1968. 504 с. 61. Акиравич Э. Й., Колотилова В. Г. Переходные характеристики полу- проводниковых триодов. — ДАН, 1%5, т. 105, № 4, с. 709 — 714. 62. Эрглис К. Э., Степаненко И. П. Электронные усилители. Изд. 2.е.
М., «Наука», 1964. 540 с. 63. УГеЬ»)ег »У. Оп )Ье чапа))оп о! )цпсИоп 1гапы»1ог сштеп! ашрИПсаНоп тчИЬ епи1!ег сштеп!. — «Ргас. 1))Е», 1954, № 6, р. 914 — 920. 64. Зай СЬ. Т. ЕПес! о! зцг!асе гесошЬ)па!)ои оп р-п )цисНои апд )гапзийог сЬагас)ег!зИсз. — «1))Е Тгапз.», 1962, ЕО-9, № 1, р. 94 — 108. 65. Оаз М., Ваойггоуд А.
Ое!егпппаИап о1 рйуз!са! рагаше!егз о! «ВИцзюп апд дпИ )гааз)з)огз. — «1ЯЕ Тгапз.», 1961, ЕО-8, № 1, р. 15 — 30. 66. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интеграль- ным схемам. Под ред. Н. Н. Горюнова. М., «Энергия», 1972. 568 с. 67. Теория и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах.
М., «Связь», 1964. 455 с. 68. Ривкин А А. Полупроводниковые усилители. М., Связьиздат, 1961. 120 с. 69. Герасючов С. М., Мигулнн И. Н., Яковлев В. Н. Основы теории и расчета транзисторных схем. М., «Советское радио», 1963. 664 с. с ил. 70. Ван-Дер-Зил А. Флуктуаняонные явления в полупроводниках. М., Иад-во нностр. лиг., 1961. 232 с. 71. Ое %Ж О., ИозюП А. Тгапзм!ог е1ес)гоше«. Мсбгачч-Н!!1, 1957.
374 р. 72. Архипов В. К., Злобин А. И., Степаненко И. П. Экспериментальное исследование шумов германиевых триодов. — В кнл Использование полупровод- никовых приборов в узлах электронной аппаратуры. М., Госэнергоиздат, 1958, с. 68 — 77. 73. Куркин И!. Л., Соколов А А. Расчет схемы составного транзнстора.— «Электричество», 1959, № 8, с. 66 — 71. 74. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред.
Я.А. Федотова. М., «Советское радио», 1973. 336 с. Автл В. Г. Колесников, В. И. Никишин, В. Ф. Сынорав и др. 75. Дрейфовые полупроводниковые приборы. Сборник переводов. Гостех- нздат УССР, 1960. 237 с. 76. Оаз М., Воойггоуд А. )шриг!!у-бепз!)у бЫпЬц!!аи )п !Ье Ьазе геймю о! дпИ !гапз)з)агз. — «И)Е Тгапз.», 1961, ЕО-8, № 6, р. 15 — 30. 77. ЧГ)б)аг И. Ть Оеяйп )есйп!йиш !ог цюпо!ИЬ)с орегаИояа! ашр!)!!егз,— «1ЕЕЕ Лоции о1 Зо!)б-3)а!е Сксш!з», Ацй.
1969, ЗС-4, р. 184 — 188. 78. Самохвалов М. М. Германиевые сплавные диффузионные триоды. М„ Госэнергоиздат, 1962. 144 с. 79. Коновалов О. М, Полупроводниковые материалы. Изд. Харьковского госуниверситета, 1963. 212 с. 80. Гаврилов Р. А., Скворцов А. М. Технология производства полупроводниковых приборов. Л., «Энергия», 1968. 240 с, 81. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Под ред.
Р. Ьургера и Р. Лонована. Пер. с англ. под ред. В. Й. Мордюковича н Ф. П. Пресса. М.««Мир», 1969. 451 с. 82. Буш Г., Вмнвлер У. Определение характеристических параметров полупроводников. М., Изд-во иностр. лиг., 1959. 132 с. 83. Пресс Ф. Н. Фотолитография в производстве гюлупроводниковых при. боров. М., «Энергия», 1968.
ЮО с. 84. Вагдееп Л., ВгаНа!п У«'. ТЬе 1гапзййвг а зеш1сопбпс!ог Гг!обе.— «РЬуз. Ееч.», 1948, ъо1. 74, № 2, р. 230 — 232. 85. Основы полупроводниковой электроники. М., «Советское радио», 1958. 579 с. Автл Лоу, Эндрес, Зевелс и др. 86. 8Ьепйе1 Н., 8!а!х Н. Липс!!оп !гапз!»Гога мНЬ а!рЬа йга!ег гЬап ппйу.— аРгос. 1ЕЕ», !%6, № 3, р.
360 — 371. 87. Львконов В. П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. М., «Советское радио», 1973. ЯЖ с. 88. Управлиемые полупроводниковые вентили. М., «Мир», 1967. 455 с. с нл. Автл Л. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. Фон Засгров. 89. Гвряинов С А., Абезгауэ Н,Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
М., «Энергия», 1966. 240 с. 90. Кузьмин В. А., Сенаторов К. я. Четырехслойные полупроводниковые приборы. М., «Энергия», 1%7. 184 с. 91. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. Под ред. С. А. Гаряинова. М., Госзнергоиздат, 1962. 240 с. 92.
Березин А. С., Мочалкина О. Р. Планарный тиристор с продольной структурой. — «Иэв. вузов. Радиоэлектроника», 19%, № 3, с. 267 †2. 93. Кузьмин В. А;, Мочалкнна О. Р. О зависимости коэффициентов усиления от тока в приборах типа р-и-р-п. †«Изв.
вузов. Радиотехника», 1965, № 2, с. 165 †1. 94. Шекли В. Увиполярвый полевой транзистор. — В кнл Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лиг., 1955, с. 151 †1. 95. Но!э!е!п 8., Не!пюп Г. ТЬе ННсоп !пн»!а!еб-Яа1е !!е!б-ей«с! !гзпз!з!ог. «Рпю. 1ЕЕЕ», 1963, № 9, р. 1190 — 1202. 96. Малин Б. В., Сонин М. С.
Параметры и свойства полевых транзисго. ров. М., «Энергия», 1967. 112 с. 97. Севин Л. Полевые транзисторы. М., «Советское радио», 1968. 184 с. с нл. 98. Ма№ш А. 1пйобпсНоп а !а Гйеопе бп 1еспе1гоп. — ь!опгп. де РЬуз. е! !е габ.», 1960, № 3, р. 24А — 36А; № 7, р. 113А — 121А. 99. МагНп А.
Р!е!б еНес! беч!сез. — «1У!ге!езз ЪЧог!б», 1961, № 5, р. 238— 241. !00. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. Пер с англ. М., «Энергия», 1975; 304 с. 101. Кроуфорд Р. Схемные применения МОП-транзисторов. М., «Мир». 1970. 188 с. 102. Ке«ЬЯ У., Зад СЬ, Т. Зопгсе 1о дга!п гез!з!апсе Ьеуопб р!псЬ-оН !п гпега1-ох№е-зеяпсопбпс!ог 1гапзййогз (МОЗТ!. — «1ЕЕЕ Тгапз.», 1965, ЕО-12, № 3, р. !39 — Г43.
103. Нершенков В. С., Степаненко Н. Н., Яворовсавя Р. Я. Днфференпнальные параметры МДП-транзистора в облаегн насыщения. — «Изв. вузов. Радиоэлектроника», 1971, № 3, с. 337 — 343. 104. $«Ьш!б! А. Е1п Ве!Ггай хцг АрргохппаНоп бег МОЗ-РЕТ-Кепп1ш1еп.— «Насйг!«Ыеп!есЬп!Ь», 1969, чо1. 19, Н. 11, 3. 129 — 140.
105. Баснладзе С. Г. Расчет параметров субсистемы памяти на МЛП-транзисторах одюго типа, — «Иэв. вузов. Радиоэлектроника», 1970, № 1, с. 3 — 11, 106. Байков В. Д., Кармазиисннй А. Н., Немчинов В. М. Влияние потен- циала подложки на вольт-ампарные характеристики унитрона со стоуктурой МДП. — «Известия вузов. Радиоэлектроника», 1969, № 5, с. 461 — 470, 107. Зйаппоп Л МОЯ !тейп«псу зоагь»ч1!5 1оп-1шр!ап!еб 1ауегь, — «Е!ес1го- п1сз», 1969, чо!. 42, № 3, р. 96, 98 — 100. 108. Хейга То Саь«1бу М., бгатезап И. А йпагбеб шзп!а1ед йа!е Пе1д «Пес1 е1ес!гоше!ег. — «1ЕЕЕ Тгапь,», 1967, Н3-14, № 2, р.