Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977), страница 142

ПРИЛОЖЕИИЕ Букеекиое овоакаееиие Эпекгричеекия параметр и кикге ~ по ГОСТ 20003-74 Обратный ток коллектора Обратный ток змиттера Напряжение насыщения коллектор — змиттер Напряжение насыщения база — змиттер Плавающее напряжение змиттер — база Пробивное нанряжение змиттер — база Пробивное иапрюкенне коллектор — база Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала Козффиннент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала Козффипиент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала Модуль козффиниента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим змиттером в режиме большого сигнала Стати»вский козффнциент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим змиттером Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала Полная проводимость примой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при коротком замыкании Статическая крутизна пряаюй передачи в схеме с общим змиттером ~КБО ~ЭБО Кэиао Бэпае ~эн ~взопрея КБОпрое Ьег Уко гао ЛГ2 Гфг Фаге! йыэ ~ щэ тлвлнцл соотввтствня овознлчений элкктрнчнвкнх плрлмвтров Биполярных трлнзнсторон, принятых в.кннгв и по гост зоооз-та Электрическна перемыр Продолжение спаблицм ! Буквенное обоенеченме в книге по ГОСТ 2ззрэ.тл Входная емкость биполярного транзистора Выходная емкость биполярного транзистора С" 11 ~22 йы Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора 62 Граничная частота коэффициента передачи тока э схеме с обсцим эмиттером Л ен.

макс Максимальная частота генерации биполярного транзистора Коэффициент шума биполярного транзистора Коес Кр 21 к рви Гир Грос Гоп Гвкл Гв л гб гб Iи уз йн Кива Постоянный ток коллектора Постоянный ток змнттера Постоянный ток базы ск ек. н Постоянный ток коллентора з режиме насыщения Постоянный ток базы з режиме насыщения Уннво ~ ЭБ ПКБ Пкз Р ива Постоянное напряжение эмиттер — база и„б Постоянное вапряжение коллехтор — база Постоянное напряжение коллектор — эмиттер Выходная мощность биполярного транзистора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Коэффициент насыщения биполярного транзистара Коэффициент усиления по мощности биполяр.

ного транзистора Коэффициент полезного действия коллектора Время задержки для биполярного транзистора Время нарастания для биполяриога транзистора Время рассасывания для биполярного транзистора Время спада Нля биполярного транзистора Време включения биполярного транзистора Время выключения биполярного транзистора Сопротивление базы биполяриога транзистора тлвлнцл соответствия овознлченнй алектрическнх плркметнон пОлевых УРАнзистОРОВ, пРинятых В книГе и ИО Гост!9099-99 Вуиееииое обоаиаеееие Злеитритеекиа параметр а пиите ~ оо ГОСТ!90ивта Ток утечки затвора Напряжение отсечки полевого транзистора Пороговое напряжение полевого транзистора Сопротивление Сток — исток в открытом состоя. нии транзистора те и и тте тз.

р с~зн. ~'ЗИ. пор ~СИ. оти СПИСОК ЛИТЕРАТУРИ 1. Иоффе А. Ф. Полупроводники в современной физияе. М.— Л., Нзд-во АН СССР, 1954. 355 с. 2. Шовли В. Теория электронных полупроводников. М., Нэд-во пиастр. лиг., 1953. 714 с. 3. Колосов А. А., Горбунов 10. И., Наумов Ю.. Е. Полупроводниковые твердые схемы. М., «Советское радио», 1965.

501 с. 4. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. М., Изд-во иносгр. лиг., 1959. 430 с. 5. Зрепйе Е. Е!е)«!гоп!зсЛе На1Ыейег, 1956. «Е!ес!гоп)с Беш!сопбпс!огз», Мсбга«ч-Н!11, 1958. 394 р. 6. Шпольсний Э. В. Атомная физика. Т. 1. М., «Науиа», 1974. 576 с. 7. Киреев й. С. Физика полупроводников, М., «Высшая школа», 1969. 590 с. 8. СВЧ-полупровслннновые приборы и их применение. Под ред. Г. Уот- сона. Пер.

с англ. под ред. В. С. Э»кина, М., «Мир», 1972. 662 с. 9. Йоэдрев В. Ф., Сенкевич А. А. Курс статистической физики.М., «Высшая школа», 1965. 288 с. 10. Смит Р. Полупроводники. М., Иэд-во иностр. лнт., 1962. 467 с. 11, Миаддбрук Р. Введение в теорию транзисторов. М., Атомнэдзт, 1960. 304 с. 12. Транзисторы (справочник). Под род. И. Ф. Николаеисхого. М., «Связы, 1969. 623 с. 13. Уагпепп 1 Л 5!огеб спагйе ше!Ьоб о! 1гапз!э1ог Ьазе 1гапэй 1цпе апа1умэ.

— «Ргос. 1ВЕ», 1%9, № 4, р. 523 — 527. 14. Спиридонов Н. С. Основы теорви транзисторов. Киев, «Техника», 1975. 359 с. 15: Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М., «Высшая школа», 1973, 398 с. 16. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений.

Под ред. Н. Н. Горюнова и К). Р. Носова, М., «Советское радио», 1968. 304 с. с ил. 17. Шокли В., Рид В. Статистика рекомбинации дырок и элеитронов.— В кнл Полупроводниковые злектрониые приборы. М., Йзд-во иностр. лиг., 1%3, с. 121 — 140.

18. Навои Д.„Брей Р., Фен Г. Время жизни инъевтироваииых носителей зарядов в германии. — В кнл Полупроводниковые электронные приборы. М., Нэд-во иностр. лнт., 1953, с. 171 — 183. 19. Игльцыи М. И., Концевой И!. А., Сидоров А. И. Время жизни неравно- весных носителей заряда в германви при произвольных уровнях ипжекции.— ЖТФ, 1957, № 11, с. 2461 — 2468. 20. Стефенсон А., Кейс Р. Измерения скорости поверхноспюй рекомбина- ции иа поверхности германия. — В кнл Электрофизические свойства германия н кремния. М., «Советское радио», 1956, с. 367 — 372, 21.

Ман-Кельви Дж„Лонжннн Р. Скорость объемной н поверхноспюй рекомбинации носителей зарядов, инъектированиых в германии. —. В кнл Электрофизичесние свойства германия и кремния. М., «Советское ращго», 1956, с. 350 — 366. Ж. Диткии В. А., Кузнецов П. И.

Справочгшх по операционному исчисзе- иииь М.— Л., Гостехиздат, 1%1, 255 с. 23. Яиае Е., Энде Ф. Таблицы функций. М.— Л., Гостехиэдат, 1949. 416 с. 24. Зйосудеу »Ч. Тпе 16еогу о1 р-и 1ипс!гоп« 1п зеш1сопдис1сгз апд р-п !ипсПоп 1гап«Ь!огз. — «Ве!1 Зу«1егп Тесин!са! Зоигпа1», 1949, чо1. 28, р. 435 — 480. 25. Адировнч 3. И., рябинины Ю. С., Тенко К. В. Равновесное распределение потенциала, поля и ко~щентрапви носителей заряда на вплавленных переходах. — ЖТФ, 1958, т. ХХЪ'1!1, выл. 1, с.

55 — 66. 26. МоП 3. Тйе ечо1иПоп о1 !Зе Пгеогу 1ог 16е чо!1айе-сипаи! «1ыгас1«г!«1!с о1 р-п !ипсПопз. — «Ргос. 1ЕЕ», 1958, № 6, р. 1076 — '1082. 27. Пикус Г. Е. Основы теории полупроводвиковых приборов. М., «Наука», 1965. 448 с. 28. Оопп Л. В. Оп сап!ег ассипш1аПоп апд 1йе ргорегПез о1 се«!а!п змп!сопдисгог !ипсПопз. — «Зонги. Е1ес1гоп.

Сои!го!», 1958, М 4, р. 17 — Ы. 29. Давыдов А. С Квантовая механика. М., «Наука», 1973; 704 с. 30. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полулроводниковых приборов. М., «Эг«ергия», !967. 144 с. 31. Бай С., Исусе В., Зйосй!еу 9«. Сагпсг депегаПоп апд гесошб!паПоп !и р.п !ил«Попа апд р-и !иле!гоп сйага«1егЫ1ы. — «Ргос.

1КЕ», 1957, М 9, р. !228-1243. 32. Литвинов Р. О. Влияние поверхности на.характеристики полупроводниковых приборов. Киев, «Наукова думка», 1972, 116 с. ЗЗ. Замечания относителыш тока Зинера в переходах. — В кнл Полупроводниковые электронные приборы. М., Иэд-во иностр. лиг, 1953, с. 111 — 113. Автл К. Мак-Эффи, Е. Райдер, В. Шокли, М. Спарке. 34.

Красилов А В., Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М., «Энергия», 1964. 224 с. 35. Йогов А П. Об ударной нонизации в гермаииевых переходах.— ЖТФ, 1958, М 3, с. 437 — 448. Зб. Ма!и А. Тйегпш! Взпючег ш Зегшап!иш р-п !ипсПопз. — «Ргос. 1ЕЕ», р. В, 1957, чо!. 104, р. 555 — 564. 37. Мад!дап Л. Тйеппа1 сйагас!ег1»Пы о1 з!1коп йоде. — «Е1ес1«оп!с 1пдиз1г!ы», !959, М 12, р. 23 — 27; 1960, № 1, р. 3 — 5.

38. Вагпез Р. Тйе 1огчгагд мчПс№пй !гапз!еп1 !и зеш!сопдис1ог йоды а! 1агйе сипепйм — аРгос. 1ЙЕ», 1958, М 7, р. 1427 — 1428. 39. Стафеев В. И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-ампериой характеристики диода. — ЖТФ, 1958, М 8, с. 1631 — 16Я, 40. Стафеев В. И.

К вопросу о вольт-амперной характеристике диода при сверхвысоких уровнях ннжекцив. — «Физика твердого тела», 1959, М б, с. 848— 850. 41. Авакьянц Г. М., Мурыгин В. И., Теишбаев А. Некоторые свойства диодов с большим отношением длины базы к диффузионной длине неосновиых носителей. — «Радиотехника н алектровика», 1963, № 5, с. 821 — ЗЮ.