Коледов Л.А. - Технология ИС, страница 88
Описание файла
DJVU-файл из архива "Коледов Л.А. - Технология ИС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 88 - страница
полевых микросхем 252, 253 БИС ППЗУ 247 ДМДП 233 изопланарная 2!7 КИД 210 КМДП-- микросхем 235 МДП-микросхем 16, 233 и-канальная 233 планарно-эпнтаксиальная 205 полнпланарная 230 р.канальная 232 с применением полнкремнин 237 '>>-АТЕ 228 У-МДП 240 толстопленочных гибридны схем 264 тонкопленочных гибридны схем 255, 260 тройной диффузии 209 Травление !2, 301, 343 газовое 305 ионное 308 панно.химическое 3!1 локальное 11 плазменное 306 плззмохимическое 309 сухое 305 Травитслн 30! ,Транзисторы; бездрейфовые 34 биполярные 32 дрейфовые 34 Д.МДП 103 КМДП 25, 107, 245 комплементарные 36, 107 МДП !6, 87 МНОП 101 МОАП 101 Ч-МДП !05, 243 п-канальные 88 и-р-и 33, 36 р.канальные 88 р-п-р 36, 44 полсвыс !33 униполярные 87 Фоссрор 357 Фреоны 304 ФСС 251, 3!6, 318, 389 Шаблоны 336 Ширина: базы биполярного транзистора 39, 44 канала МДП.транзистора 97 Эвтектика 370 Экспонирование 345 Электроны 32 Элемент !9 Эмиттер 33, 37, 40, 43 Эпипланар 227 Эпитакгиальное наращивание 14 Эффективность производства 288 396 !ЗЗ 133 133 !40 ОГЛАВЛЕНИЕ 148 Глава 5 Предисловие Введение' 150 150 152 153 169 Часть 1.
179 185 191 8 !9 ! Глава 2. 32 -; 32, Часть И. Глава 6 36 ' 46.. 200 200 202 203 48 52 55 57 203 205 205 217 Глава 8 8 8 232 232 10 !1 ! 252 399 изделия мнкэоэлектэоники клк оваект пвонэводствл Глава 1. ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ИЭДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ.
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ !.1. Содержание и основные понятия технологии производства изделий микроэлектроники 1.2. Развитие технологии производства изделий электронной техники в историческом аспекте !.3. Изделия микроэлектроники: классификация, термины, определения КОНСТРУКЦИИ ЭХ!ЕМЮПОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ И МИКРОИРОЦГГСОРОВ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 2.1. Принцип действия биполярного транзистора 2.2. Конструктннно-технологические особенности и варианты интегральных биполярных транзисторов, выполненных по планарно-эпитаксиальиой технологии 2 3.
Интегральные диоды 2СК Активные элементы для быстродевствующих и сверхскоростных интегральных микросхем 2.5. Интегральные резисторы 2.6. Интегральные конденсаторы 2.7. Функционально.интегрированные элементы БИС 2.8. Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга 2,9, Эволюция конструктивно-технологических вариантов исполнения биполярных транзисторов, диодов и резисторов в логических интегральных микросхемах 2.10.
Контакты к кремнию, проводники разводки, контактные площадки внешних выводов микросхемы 2.! 1. Вспомогательные элементы микросхем констгхкции элементов полхпговодниковых микросхем и МИКРОНРОцессогов нл мдп.тплнзистогхх 3.!. Принципы работы и классификации МДП-транзнсторов 3.2.
Вспомогательные элементы МДП-микросхем З.З, Основные характеристики МДП-транзисторов и их связь с конструктивно-технологическими параметрами 3.4. Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов 3.5 Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС 3.6. МДПлщементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств 3.7, Конструкции н материалы элементов коммутации в МДП-БИС Глава 4. КОНСТРУКЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ БИПОЛЯРНО. ПОЛЕВЫХ ПОЛУПРО. ВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ 4 1 Классификация однокристальных биполярно-полевых микросхем 42, Палевые транзисторы с управляющим р-и переходом 4 3, Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле 4ЗК функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Инжекционно.полеван логика 4.5.
Конструктивно-технологические варианты биполярно-полевых структур, содержащих МДП.транзисторы КОНСТРУКЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ И КОМПОНЕНТОВ ПЛЕНОЧНЫХ ГИВРИДНЪ|Х МИКРОСХЕМ И МИКРОСБОРОК 5 1, Необходимость и целесообразность использования гибридного конструктивно-технологического варианта изготовления интегральных микросхем 5 2. Подложки 5 3 Конструкции пленочных элементов 5 4. Конструкции элементов коммутации 5 5. Рекордные результаты, достигнутые при создании многоуровневой разводки 5 6. Конструкции пленочных структур с распределеннымн параметрами 5.7.
Конструкции компонентов гибридных микросхем и микросборок технология пгоизводствл и конствукцнн мнкгосхем, МНКРОПРОЦЕССОРОВ Н МИКРОСБОРОК ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПОЛУФАБРИКАТЫ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТГГРАЛЪНЫХ МИКРОСХЕМ 6.!. Монокристаллический кремний 6.2. Эпитаксиальные структуры 6.3. Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями 6.4. Структуры для полупроводниковых микросхем с полной диэлектрической изоляциеи элементов Глава 7. ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРО- СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 7.1, Изготовление полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с изоляцией элементов р-л переходами 7.2. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с полной диэлектрической изоляцией элементов 7.3.
Технология пронзнодства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с комбинированной изоляцией элементов ТЕХНОЛОГИЧ!'СКИЕ МЛРШРУТЫ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНВКОВЫХ МИКРОСХЕМ И МИКРОПРОЦГССОРОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРЛХ 8.1. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием алюминиевых затворов 8.2. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с нспользованием поликремниевых затворов 8.3. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием поликремнневых затворов н многоуровневой разводки 8 4.
Технологические маршруты произволства бнполирно-полевых полупроводниковых интегральных микросхем Глава 9 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ПРОИЗВОДСТВА ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ П МИКРОСВОРОК 9.1. Технологические маршруты производства тонноплеиочиых гибридных микросхем 9.2. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных БИС н микросборок 9.3. Технологические маршруты производства толстопленочных гибридных микросхем 9.4 Технологические маршруты производства гибридных БИС н мнкросборок на стальных эмалированных подложнах 255 264 267 Глава !О. 274 " !О.1. Анализ технологических процессов производства микросхем 10 2.
Синтез технологических маршрутов производства микросхем 10.3. Гибкое автоматизированное производство в технологии интегральных микросхем 10.4, Обеспечение эффективности производства н повышения качества изделий микроэлектроники 10.5. Требования к чистоте воздушной среды и климатическим параметрам 10.6. Основные положения электронно-вакуумной гигиены 274 232 Глава 11, 2 297 301 313 1 1.1 1 1.2 1 1.3 1!.4 3322 342 353 370 1!.5 ! !.6 1 1.7 Гл в в а 12.
констихкции микросхем и микРОпРОцессОРОВ т 12.1. Конструкции корпусов микросхем и микропроцессоров !2.2. Конструкция бескорпусных микросхем Заключение 391 Список лктературы 393 Операции Операции Операции Операции схем Операции Операции Операции АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРОИЗВОД- СТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ МЕТОДЫ ВЫПОЛНЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЯ И ИСПОЛЕЗУЕМОЕ ОЬОРУДОВАНИЕ разделения пластин иа кристаллы и подложек на платы удаления материалов с поверхности пластин и подложек нанесения тонких и толстых пленок . формирования конфигураций элементов интегральных мнкро- литографии формирования р-н переходов в полупроводниках соединения материалов .
