Коледов Л.А. - Технология ИС, страница 87

Прогресс в технологии полупроводниковых микросхем, переход к микронным и субмикронным значеггиям минимального стандартного проектного размера позволяет без особых Затрат на разработку создавать блоки и даже системы радиоэлектронных средств (РЭС) на основе уже имеющихся БИС и СБИС путем формирования их структур в одном полупроводниковом кристалле и создания многоуровневой разводки для осуществления электрических связей между отдельными частями таких гигантских по функциональной сложности однокристальных микроэлектронных РЭС.

Это приводит к увеличению возможности и гибкости при проектировании РЭС, поскольку позволяет выбрать необходимый набор освоенных в производстве структур цифровых, логических и аналоговых БИС для размещения их в одном кристалле. Многообещающими в плане повышения степени интеграции являются трехмерные структуры полупроводниковых микросхем, созданные за счет скоммутированных между собой нескольких уровней (этажей) полупроводникового монокристаллического материала— так называемых трехмерных микросхем. Успех в их создании связывают с успехами лазерной перекристаллизации пленок поликремния, создания в них монокристаллических областей, в которых будут размещены полупроводниковые элементы микросхем, и с развитием технологии последовательного наращивания чередующихся пленок поликремния и диэлектрических пленок.

Трехмерные конструкции могут создаваться путем формирования контактных пло- 39! щадок как на рабочей, так и на нерабочей стороне кристаллов, и сборки таких кристаллов в многоэтажный модуль. Увеличение функциональной и конструктивной сложности радиоэлектронных средств идет не только за счет интеграции устройств в одном полупроводниковом кристалле, но и за счет более плотного размещения таких кристаллов в составе гибридных микросхем и микросборок. При этом также успех дела решают достижения технологии производства. Тенденции в этом отношении таковы: новые технологические возможности в производстве полупроводниковых микросхем, создание новых принципов формирования пленочных структур и нового технологического оборудования непременно положительно сказываются на достижениях технологии гибридных микросхем.

Примером тому могут служить достижения электронной, ионной и плазменной обработки, широко внедрившейся сначала в технологию полупроводниковых, а затем и гибридных микросхем. Заметно сближение двух технологий: пленочные структуры являются неотъемлемой частью полупроводниковых микросхем, в структуре тонкопленочных гибридных микросхем со дня на день следует ожидать появления пленок поликристаллического кремния со сформированными на их основе пассивными и, может быть, активными элементами. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Белоус Ю.

Т., Мунин П. И., Шер Ю. А. Методы проектирования индуктивных и резонансных пленочных элементов. — МлМИЭТ, 1977. — 52 с. 2. Березин А. С., Мочалкниа О. Р. Технология н конструирование интегральных 'микросхем. — Мл радио и свизь, 1983, — 232 с, 3. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологнн: Пер. с англ./ Под ред. А. В. Шальнова. — Мл Мир, 1985. †4 с.

4. Валиев К. А.. Раков А. В. Физические основы субмикроиной литографии в микроэлектронике. — Мл Радио н связь, 1984. — 350 с. 5. Гуськов Г. Я., Блинов Г. А., Газаров А. А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. — Мл Радио и связь, !986. — !75 с. 6. Достанка А. П. Технология интегральных схем. — Минск; Вышэйшая шкода, 1982. — 206 с. 7. Ефимов И.

Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. — Мл Высшая школа, 1986. — 464 с 8. Конструирование и расчет больших гибридных интегральных схем, микросборок н аппаратуры на их основе /Под ред. В. Ф, Высоцкого. — Мл Радио н связь, 1981. — 216 с. 9. Конструнровамне и технология микросхем. Курсовое проектирование /Коле. дов Л. А., Волков В. А., Докучаев Н. И. и дрл Под ред. Л. А. Коледова. — Мл Высшая школа, !984 — 23! с. 1О, Курносов А. И., Юдин Б.

В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, — Мл Высшая школа, 1986. †3 с. 11.Малышева И. А. Технологии производства микроэлектронных устройств. — Мл Энергия, !980.— 448 с. 12. Матсои Э. А. Конструкции н технология микросхем.— Минск: Вышэйшая школа, ! 986.— 207 с. 13. Матсан Э.

А., Крыжановский Д. В. Справочное пособие по конструнрованмю микросхем.— Минск: Вышэйшая школа, 1982.— 224 с. !4. Микропроцессоры. П. В. Нестеров, В. Ф. Шаиьгни, В. Л. Горбунов н дрц Под ред. Л. Н. Преснухина.— Мл Высшая школа, 1986.— 495 с. 15. Микроэаектроинан аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах/ Н, Н. Воженин, Г. А.

Блинов, Л. А. Коледов и дрл Под ред. Воженнна Н. Н.— Мл Радио и связь, 1985.— 264 с. 16, Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем/ Пер. с англ. под ред. В. М. Кисельникова.— Мл Мнр, !985 — 579 с. 393 17. Остапенко Г. С. Аналоговые полупроводниковые интегральные микросхемы. — Мл Радио и связь, 1981. — 280 с.

18, Парфенов О. Д. Технология микросхем. — Мл Высшая школа, !986. — 319 с. 19. Пономарев М, Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЗВА. — М. Радио и связь, !982. — 288 с. 20. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. — М. Советское радио, 1980.— 424 с. 21. Схемотехника БИС постоянных запоминающих устройств /О. Б. Петросям, И.

Я. Козырь, Л. А. Коледов н др. — Мл Радио н свяэьь 1987. — 304 с. 22. Тарун Я. Основы технологии СБИС; Пер. с японского /Под ред, В. Г. Ржанова.— Ма Радио и связь, 1985. — 479 с. 23. Тнлл У., Лаксом Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление: Пер.

с англ. /Под ред. М. В. Гальперина, — Мл Мнр, 1985, — 504 с. 24. Технология СБИС /Под ред. С. Зи: Пер. с англ. под ред. Ю. Д. Чистякова.— Мл Мир, 1986. — 853 с. 25. Фомин А. В., Боченков Ю. И., Сороюпуд В. А. Технология, надежность и автоматизация производства БГИС н микросборок. — Мл Радио н связь, 1981.— 352 с. 26. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем н микропроцессоров.— М: Радио и связь, 1987.— 464 с. 27. Чистяков Ю. Д., Райнова Ю.

П. Физишт-химические основы технологии микроэлектроники — Ма Металлургия, 1979. — 408 с. 28. Блинов И. Г., Кожитов Л. В. Оборудование полупроводникового производства.— Мл Машиностроение, 1986.— 264 с. 29 Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохнмнческое и нонно. химическое травление микроструктур. — М: Радио н связь, 1983.— 126 с, ЗО. Назаров Г, В., Гревцев Н. В. Сварка и пайка в микроэлектронике.— М.: Советское радио, 1969.

†1 с. с ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ Алюминий 69, 130, 172, 202, 355 Анализ техмологических процессов 274 БИС 22 Бокс 294 Бор 202, 355 нитрид 364 БСС 316, 389 Вжигание паст 331 Вода деионизованная 304 Выводы микросхем 79 балочные 80 гибкие проволочные 79 жесткие 79 паучковые 81, 83 столбиковые 80 шариковые 80 Вязкость паст 327 Генератор изображений 337 Герметизация 377, 380 бескорпусная 380, 389 корпусная 377 Гибкое автоматкзированное производство (ГАП) 283 Гигиена электронно-вакуумная 296 Глубина залегания р-и перехода 11, 358 Деионизация 295 Диаграмма состояния алюминий †крем- ний 70 Диод 13, 46 охранный 91 Шоткн 48, 149 Дистилляцня 295 Диффузия 11, 353 базован 207, 354 боковая 37, 359 двустадийная 356, 357 носителей тока 32 односгвдийная 356 примесей 353 разлелительиая 15, 207, 354 эмиттериая 208 354 Доза облучения 368 Дрейф носителей тока 32 Дырки 32 Емкость: конденсатора 56, 163 р-л перехода удельная 56 Загрязнения пластин и подложек 302 Запыленность воздушной среды 293 Заряд встроенный 90 Золото 43, 77, 80, 169, 375 Изоляция элементов микросхем 59 диэлектриком 60, 212 комбинированная 6! 217 обратно смешенным р-л перехо.

дом 59, 205 Изоплаиар 217, 227 Инвертор 100, 110 Инжекция нсосиовных носителей 32 Испаритель 321 Источник: загрязнений 302 ионов 366 примесей при диффузии 361 внешний Зб! жидкий 361 из растворов 362 локальный 36! неограниченный 356 ограниченный 356 твердый планарный 363 Канал 87 Каиалироваиие ионов 367 Качество 289 Ковар 378 Кольцо охранное 92, 110 Коммутация 169 171 Комната чистая 294 Компонент 21, 192 Конденсатор 55, 91, 161, 192 Коссдесйация 320 Контакты 69 Корпус 380 Коэффициент диффузии 353 Кремний: 395 х микро- х микро- Никель 76, 77 монокристаллический 200 поликристалличесннй 65, 229, 237, 317 Крнсталлодержатель 388 Крнсталлоноснтель 376, 390 Легнроаанне 11 диффузионное !2, 353 ионное 249, 364 Литография сы2 ионно-лучевая 334, 352 контактная 342, 347 оптическая (фото) 12, 333 проекционная 342, 347 рентгеновская 334, 347 электрс>нно-лучевая 334, 350 Маска 255, 332 контактная 333 свободная 332 Медь 80 Микромодуль 9 Микросборка 23 Минросварка 371 комбинированная 375 косвенным импульсным нагревом 374 термокомпрессноннан 371 ультразвуковая 373 Микропроцессор 5, 30 Микросхема интегральная: аналоговая 22, 29 бескорпусная 389 гибридная 19, 21, 150, 191, 255 запоминающих устройств 23 логическая 23 пленочная 19, 20 полупроволниковая 19, 87, !33, 205, 232 совмещенная 20 толстопленочная 20, 264 тонкопленочная 20, 151, 260 цифровая 22 Микроэлектроника 3, 5 Молибден 77, 78, 185 Монтаж кристаллов 370 ° Мышьяк 355 Нанесение пленок 277, 313 днэлсктрнческих 313 из газовой фазы 315 ионным распылением 323 нонно-плазменным распылением 326 кап>дным распылением 325 магнетронным распылением 326 металлических 319 ннтрида кремния 314 оксида кремния 313 поликристаллического кремния 317 стекол 3!5, 318 термовакуумным напылением 320 толстых 327 тонких 313 Обезжяриванне 304 Окисление кремния 313 Операции технологические 7, 277 вспомогательные 277 контрольные 277 нанесения 277, 3!3 разделения 297 соединения 277, 370 термообработкн 277 удаления 277 формированин конфигураций эл ментов 332 формирования р-п переходов 277, 3 Оплавленнс ФСС 3!8 Осаждение 314, 315, 319 Освежение поверхности пластин 223, 224 241, 242 Отжиг радиационных дефектов 275, 277 368 Очистка 302, 305 Пайка 9, 273, 375 Пасты 264, 270, 328, 329 ПЗУ 28, 115 Плата 22, 297 Платина 76 Площадка контактнан 78 ПЛУ 29 Поверхность технологическая 302 Подгонка резисторов 159, 16! Попложка 19, 21, 152, 267 Полиимид 75, 132, !74 Полипланар 230 ППЗУ 28, 116 Примесь акцепторная 33, 34, 200 донорная 33, 34, 200 Проколы 291 Профиль распределения примеси 34, 3 Проявленне 345 Разводка 72, 131, 169, 270 многоуровневая 73, !70, !77 многослойная 75, 170 Разламывание пластины 299 Раксль 329, 330 Распыление ионное 323 высокочастотное 327 ионно-плазменное 326 катодное 323, 325 магнетронное 326 реантивное 324 Резисторы 52, 68, 153 Резисты 342, 346 для фотолитографии 13 для рентгенолнтографнн 349 для электронной лнтографни 350 нега|явные 336 позитивные 336 Рентгеношаблон 349 СБИС 22 Сборка 371 Сварка: импульсным нагревом 374 сдвоенным электродом 374 термокомпрессией 371 ультразвуковая 373 Скрайбпровапне: алмазное 297 лазерное 298 Слой: адгсзнонный 76 буферный 77 защитный 77 контактный 75 проводящий 77 с нарушенной структурой 301 снрытый 37 эпнтаксиальный 14, 45, 317, 2!8 Среда технологическая 292 Степень интеграции 22 Сурьма 354 Технология 6 биполярно.