Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок, страница 2
Описание файла
DJVU-файл из архива "Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологии" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "основы наноэлектроники и нанотехнологии" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 2 - страница
Для желающих более детально ознакомиться с некоторымн частными воп. росами з книге дается исчерпывающая библиография, которая поможет читателю отобрать необходимую литературу. Прн написании и подготовке к изданию этой монографии мы неиэмен. но ощущали интерес и поддержку со стороны наших коллег, работающих как в Компании 1ВМ, так и вне ее. Это, несомненно, помогало работе н стимулировало ее, за что мы приносим им искреннюю благодарность, Л.
ййвйссел, Р. Глана Часть 1 Изготовление тонких пленок Глава 1 Вакуумное испарение РЕПНХАРД ГЛЗНГ СОПЕРЖАИИЕ Списав обоэиачеиий 1) Уравнение Клаузиуса †Клапейро .... 2) Расчет давлеивя паров па основе ствпдартиых термохимических величии. 13 3) Даииые по давлеиию пэров . ' . 2! Кинетическая теория газов .........,..... 23 1) Физический смысл покатай давлении в температуры газа 23 2) Фуикцив распределеввя молекул............. 27 3) Частота столкиовенвй молекул с поверхностью...... 30 4) Средняя алика свободного пробега молекул газа..... 31 Б) Вязкость и поток газа, 33 теория испареиии А Б А Б В Вэедеиие Осповм термодиавмиви и кииетвческой теории газов. Рэзповесвое давление пэров различных веществ Скорость испарения 1) Урвввеиие Герца-Киудсеиа 2) Свободное испарение в вффузия ...
Механизмы испарения ..... 1) Жвдкости. 2) Кристаллические твердые тела.... Распределение испаряемых молекул по ивправлепиям. 1) Косинусоидальпый заков распределевия ..... 2) Распределеиие молекул прв испвреивв иэ точечного тела Ковструкции испврителей и их приневские Испарители из проволоки и металлической фольги., Испарителя для сублимируемых материалов... 1! !4 15 15 17 37 37 37 40 40 43 вспари- Гл. 1. Вакуумное нспвренне 62 62 63 67 69 Г. Испарение матерналов с помощью нагрева электронной бомбардировкой 7! 1) Электронные пушки с испаряемым анодом,.......
72 2) Электронные пушкн с независимым анодом....... 74 3) Электронные пушки с изгибом траектория электронного луча 75 4) Держатели яспаряемого вещества н материалы держателей 76 Распределенне осажденных пленок по толщине........ 77 А. Вывод распределения пленки по толщине на основе основных законов нспарення 77 1) Испарители с малой поверхностью и точечные нспарители 77 2) Кольцевые и дисковые нспарнтели............ 78 Характеристики реальных нспарителей,....,,.... 82 1) Испарвтелн с относнтельно малой поверхностью н точечные нспзрнтелн.
82 2) Эффузионные ячейки. 83 3) Испарители с перпенднкулярнымн боковымн стенкамв .. 84 Испарнтелн для однородного покрытия больших площадей . 87 Б В Б В 7. Аппаратура н. методы контроля процесса осажденмя плевок . !33 А. Контроль потока паров .. . 134 1) Датчики нзмерення потока паров, основанные на ноннзацнв молекул . . 134 2) Датчики нзмереиня потока паров, основанные на эффекте давленая молекул. . 139 В. Тпглевые испарнтелн н материалы тиглей 1) Тугоплавкие металлы 2) Тугоплавкне окнслы .
3) Нитрид бора 4) Графит ...... Испарение соеднненнй, сплавов н смесей Механизм испарения соединений ... 1) Испарение без диссоциация. 2) Испарение с днссоцнацпей; халькогепиды ... 3) Испарение с днссоциацией; окислы ... 4) Испарение с разложением Механизм испарения сплавов !) Закон Рауля 2) Изменение состава в процессе испарения ..
3) Примеры непосредственного испарения сплавов Спецнальные методы испарения 1) Реактивное испарение 2) Испарение нз двух испарнтелей ...., 3) Испарение методом вспышка (лнскретное нспаренне) 89 89 97 100 101 !О! 104 . !07 . 110 . !11 . !16 !25 Список обозначений Измерение массы осажденного вещества 1) Микровзвешпвание .. 2) Кристаллические резонаторы 140 141 145 В Измерение характерных параметров плспок 1) Оптические датчики. 2) Резнсторные датчики.
3) Емкостные датчики 150 151 154 158 Г. Контроль процесса испарения 1) Контроль толщины осаждаемых пленок 2) Контроль скорости нспареннп .... Список литературы. 159 159 161 162 СПИСОК ОБОЗНЯЧЕПИН 12 а — коэффициент прн первом члене разложения для теплоемкостн пп — активность В.составляющей сплава А — постоянная в выражении для функции распределения мо. лекул Ам — площадь стенок, с которыми сталкиваются молекулы газа А, — площадь, с которой происходит испарение Аг — площадь, на которую происходит осаждеиие Аж — аффективное поперечное сечение датчика скорости испарв. ния и — плоский угол; активность аэ — коэффициент испарения и, — яозффнциент конденсации аг — коэффяциент зккомодацнп тепловой энергии Ь вЂ” коэффициент прн втором члена разложения для теплоемкоа стн 5 — плоский угол с — кспффнцвент прн третьем члене разложения для чеплоемкоо.
ти; скорость атомов нлн молекул газа сз — средняя квадратичная скорость ) в мзксвелловском с — наиболее вероятная скорость ~ распределении молес — средняя арифметическая скорость кул по скоростеа с~ — скорость распространения упругой волны, перпеиднкуляряой основным поверхностям тонкой кварцевой плзстиикм Сп — теплоемкость прн постоянном давлении Сп — малярная теплоемкость прн постоянном давлении 0 — проводимость (скорость потока газа, отиесеняая к разности давлений) О„ыс — проводимость для вязкого потока С 1 — проводимость для молекулярного потока С„,„, — проводимость дли переходного потока Сà — чувствительность кварцевой пластинки к массе, Гц г-' сзаэ Ы вЂ” толщина пленки пч — толщина кварцевой пластинки Гл. 1.
Вакуумное испарение И' — снорость осаждения пленки Р— козффициент диффузии Р' — постоянная иаиизационного датчика Е„ — кянетнческая энергия Ез — энергия испарения ц — коэффициент вязкости газа à — коэффициент в уравнении для вязкости газа ул — коэффициент активности В-составляющей сплава )з — резонанснвя частоте кварцевой пластины Ы вЂ” изменение гз вследствие изменения массы г — сила ф — угол испарения а — гравитационная постоянная б — вес осажденного вещества, г 6 — свободная энергия Гиббса Ь,6* — стандартная свободная энергия испарения (свобохиая энергия испарения при нормальных условиях) ЬаС вЂ” молярная свободная энергия разложения à — скорость испарения массы, г см-з.с-т Л вЂ” высота; расстояние по нормали между испарителем и под.
ложкой Н вЂ” энтальпия, или теплосодержание при постоянном давлении Н вЂ” молярная энтальпия ЬгН вЂ” молярная теплота испарения Ь,Н' — стандартная теплота испарения (теплота испарении при нормальных )головнях) Ьэй» вЂ” молярная теплота испарения при О К / — электронный ток /з — эмиссионный ток lг — ионный ток  — постоянная Больцмана К вЂ” коэффициент, зависящий от свойств вещества, з уравнении для испарения двойных сплавов; постоянная закручивании подвески датчика, основанного на эффекте давления молекул; коэффициент распределекия осаждаемого веьчесгва (в нварцевых резонаторах К = !) Кр(Т) — термодинамическая постоянная, характеризующая равновесие в смеси газов ! — длина; расстояние Х вЂ” средняя длина свободного пробега атомов нлн молекул газа; длнна волны света т — масса атома нлн молекулы М вЂ” молярная масса (Нд молекул) Иг — масса вещества, нспаренного с площади Аэ Мг — масса вещества, осажденного на площадь А, р — химический потенциал р' — стандартный химический потенциал (химический потенциал прн нормальных условиях) и — количество молей вещества пт — показатель преломдения материала пленки )у — количество атомов или молекул газа; частотный коэффициент кварцевой пластины, нырезанной йод углом АТ-среза Ма — число Авогадрй Список обозначений т— м— Р рч Рв Рс а„—, г— г— Т— т— О— и— и— число атомов илн молекул газа, соударяющихся с поверх.
востью число атомов или молекул газа, обладающих компонентой скоросты н в х-направлении число атомов или молекул гезе, обладзющих скоростью е в любом непрзвленян число атомов нлн молекул газе, испареннмх с поверхности число атомов илн молекул газа, достигших поверхности датчике скоросгн исперения частота колебзний атомов не поверхкоств пространственный угол; угловая скорость давление газа термодяиамическн равновесное давление парцизльное дзвлеиве В-составляющей гззовой смеси давление нспзряеиого вещества на поверхности подложки илн нз расстоянии г от испарнтеля вероятность испарения макроскопическая скорость потока гзза, мм рт.
ст, л с-' стетистическзя функция (статпстическея сумма) для газо- образной фазы ствтистнческея функция (статистическая сумме) для кон- денсированной фззм статистическая функция (стетистическая сумме) вращатель- ного движения для ективировенвмх молекул в жидком состоянии статистыческая функция (статистическая сумма) вращатель- ного движения для молекул в газообразном состоянии минимальное расстояние между испарителем мелой площади и точкой, где осаждается вещество уннверсальыая газовая постоянная сопротивление, Ом поверхностыое сопротивление, Ои/(1 удельное сопротивление, Он~ем; плотность веществе пленки плотность кристаллического кварца радиус тонкого кольцевого испзрителя; радиус цилиндра коллектора датчика, основзнного нв эффекте давления мо- лекул эитропыя прн постоянном давлении молярнзя зитропия прв постояыном давлении ствндзртиая знтропня испарения (зитропян при нормальных условыях) динамическая чувствктельиость аовизацноныого датчика диаметр атомов нлы молеяул газа; отношение массы к пло- щади стенки датчика, основанного на эффекте дявлении молекул время температуре постоянная времени угол падения света вли лтомов газа; степень покрытия по- верхности пленки метвллз кислородом (й 1 соответствует образованию стехиометрического окисла) напряжение компонента скорости атома или молекулы гезз в х-на- правлении Гл.