ВКР: Исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов

Содержание

Введение……
Глава 1. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов….
1.1 Основы зонной теории твердого тела….
1.2 Генерация и рекомбинация носителей заряда…..
1.3 Собственные и примесные полупроводники……
1.4 Определение удельного сопротивления полупроводников…….
1.5 Температурная зависимость электропроводности
полупроводников……………..
Глава 2 Методика измерений и обработки результатов………
2.1 Исследуемые образцы………..
2.2 Методика измерения удельного сопротивления
четырехзондовым методом и определение типа электропроводности……
2.3 Методика исследования температурной зависимости
электрического сопротивления полупроводников………………..
Глава 3 Экспериментальное исследование электрофизических
параметров полупроводниковых материалов………….
3.1 Измерение удельного сопротивления четырехзондовым
методом и определение типа электропроводности…….
3.2 Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников……….
Выводы……….
Литература………..



Введение

С момента изобретения первого транзистора появилась и начала развиваться интегральная электроника, которая базировалась на планарно-эпитаксиальной технологии производства полупроводниковых приборов, началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике). Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры и освещения, приложение электрического и магнитного полей, внешнего давления и т.д.). Свойства полупроводников сильно зависят от содержания примесей. С введением примеси изменяется не только значение проводимости, но и характер её температурной зависимости.
Микроэлектроника является перспективной областью физики, но процесс миниатюризации микросхем достиг физических пределов. Дальнейшее развитие электроники возможно на базе принципиально новых фихических и технологических идей.
Перед микроэлектроникой стоят проблемы повышения степени интеграции, уменьшения потребляемой мощности и размеров разрабатываемых ИС, быстродействия, высокой чувствительности, технологии изготовления ИС, поэтому важно знать физические ограничения, связанные с процессами их изготовления.
Предел микроэлектроники, а так же тенденция к уменьшению размеров приборных структур являлись переходом к новой области науки и техники, формирующейся сегодня на основе последних достижений физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и технологии полупроводниковой электроники - наноэлектронике.
Содержание наноэлектроники определяется необходимостью установления фундаментальных закономерностей, определяющих физико-химические особенности формирования наноразмерных структур, их электронные и оптические свойства. Исследования в области наноэлектроники важны для разработки новых принципов, а вместе с ними и нового поколения сверхминиатюрных супербыстродействующих систем обработки информации.
Цель данной работы: исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов.
Предметом исследования данной работы были выбраны: температурная зависимость удельной проводимости, температурная зависимость сопротивления полупроводников, тип электропроводности.
Объектами исследования были выбраны: полупроводниковые образцы.
Задача исследования состояла в глубоком изучении теоретического материала, посвященного наиболее важным объемным свойствам полупроводников, и наиболее распространенным методам измерения основных физических параметров и характеристик полупроводниковых материалов и приборов.