ВКР: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды и изменение топологии кристалла прибора

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.2 Конструкция полупроводникового диода
1.3 Импульсный прибор
1.4 Принцип работы p-n перехода
1.5 Формирование диффузионного слоя
1.6 Формирование омического контакта
ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ КОМПЛЕКСНОГО АНАЛИЗА
2.1 Исследование толщины и шероховатости на кристалле импульсного диода
2.2 Измерение основных параметров импульсного диода
2.3 Методика исследования надежности импульсного диода
ГЛАВА 3 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы

Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды относятся к полупроводниковым элементам, которые использовались в качестве выпрямительных диодов в различных применениях. Они имеют несколько особенностей, которые делают их полезными в электронике:
1. Низкий уровень потерь мощности: Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды обладают очень маленькими потерями мощности благодаря низкому внутреннему сопротивлению. Это означает, что тепло, создаваемое при прохождении электрического тока через диод, минимизировано. Это позволяет более эффективно использовать мощность, например, в составе источников питания.
2. Компактность: Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды имеют малые размеры, что делает их очень компактными. Это позволяет уменьшить размер электронных устройств, включающих эти диоды, что, в свою очередь, облегчает их транспортировку.
3. Надежность: В процессе производства эпитаксиальных слоев, образующих диод, используются продвинутые технологии, что повышает надежность финального продукта. К тому же, эпитаксиально-планарные способны работать при высоких температурах, что делает их надежными в экстремальных условиях.
4. Жесткий припой: В эпитаксиально-планарных используется жесткий припой, из-за чего они обладают более высокой механической прочностью, чем обычные диоды. Это делает их более устойчивыми к механическим повреждениям и вибрациям [1].
5. Высокая скорость: Обладают быстрой реакцией на изменения электрического поля, что делает их эффективными в высокоскоростных приложениях, таких как телекоммуникации и обработка сигналов.
В целом, кремниевые эпитаксиально-планарные диоды являются многоцелевыми электронными компонентами, которые проявляют высокую надежность и эффективность в различных применениях.
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды — это электронные компоненты, которые применяются для выпрямления и регулирования тока в различных электронных устройствах. Они изготавливаются с использованием продвинутых технологий, что обеспечивает им высокую надежность и эффективность. Основными особенностями кремниевых эпитаксиально-планарных диодов являются низкий уровень потерь мощности, компактность, надежность, жесткий припой и высокая скорость реакции на изменения электрического поля.
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды имеют некоторые другие особенности, которые делают их полезными в электронике. Например, они обладают хорошими характеристиками тока пробоя, что позволяет использовать их для защиты от перенапряжения в электронных цепях. Кроме того, они имеют высокую температурную стабильность, что делает их эффективными в применениях, где требуется работа при высоких температурах. Еще одним преимуществом кремниевых эпитаксиально-планарных диодов является их низкий уровень шума, что делает их полезными в прецизионных устройствах, например, в сенсорах и измерительных приборах.​