Для студентов ГУУ по предмету ДругиеСпектроскопия шумов вторичного свечения полупроводникового микрорезонатораСпектроскопия шумов вторичного свечения полупроводникового микрорезонатора
2024-08-192024-08-19СтудИзба
Курсовая работа: Спектроскопия шумов вторичного свечения полупроводникового микрорезонатора
Описание
| Оглавление | ||||
| Введение | 2 | |||
| 1 | Литературный обзор | 4 | ||
| 2 | Теоретический раздел | 9 | ||
| 2.1 | Спектроскопияспиновыхшумов........................... | 9 | ||
| 2.2 | Образование экситон-поляритонного конденсата в микрорезонаторе . . . . . . | 11 | ||
| 2.3 | Выводы......................................... | 16 | ||
| 3 Исследование экситон-поляритонного свечения полупроводникового микрорезо- | ||||
| натора | 17 | |||
| 3.1 | Описаниеобразца................................... | 17 | ||
| 3.2 | Исследование спектров отражения от образца . . . . . . . . . . . . . . . . . . . | 18 | ||
| 3.2.1 | Измерение спектра отражения при нормальном падении . . . . . . . . . | 19 | ||
| 3.2.2 | Измерение спектра отражения при угле падения 45 градусов . . . . . . | 20 | ||
| 3.2.3 | Исследование фотолюминесценции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . | 21 | ||
| 3.3 | Выводы......................................... | 23 | ||
| 4 Факторы, определяющие уширение линий спектра спиновых шумов | 24 | |||
| 4.1 | Измерение времени продольной релаксации электронов в n:GaAs . . . . . . . . | 24 | ||
| 4.1.1 | Исследуемые образцы и экспериментальная установка . . . . . . . . . . | 24 | ||
| 4.1.2 | Экспериментальные результаты и их обсуждение . . . . . . . . . . . . . | 26 | ||
| 4.2 | Исследование влияния доплеровского уширения оптической линии цезия на | |||
| ширинуспектраспиновыхшумов.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . | 27 | |||
| 4.2.1 | Исследуемая система и экспериментальная установка . . . . . . . . . . | 27 | ||
| 4.2.2 | Экспериментальные результаты и их обсуждение . . . . . . . . . . . . . | 29 | ||
| 4.3 | Выводы: ........................................ | 31 | ||
| Заключение | 32 | |||
| Литература | 33 | |||
1
Введение
- свое время Гордон Мур, бывший специалист компании Intel, изложил эмпирический за-кон, который постулирует двукратный рост количества транзисторов на кристалле единичной площади раз в 18 месяцев. Следствием данного утверждения стало увеличение производи-тельности в 3500 раз. Закон Мура был истин на протяжении полувека, однако несколько лет назад он подошел к своему пределу, связанным с тем что при дальнейшем уменьшении тран-зисторов в ход вступают квантовые эффекты. Именно поэтому в последнее время ведутся активные исследования на тему перевода логической базы на иные физические принципы. В частности рассматривается вариант реализации вычислительных процессов, основанных на управлении спиновыми состояниями носителей заряда [1].
Перспективность практического использования спинов электронов и ядер в качестве ре-ализации кубита обуславливает высокий исследовательский интерес к изучению спиновых явлений в полупроводниковых и атомных системах. Одной из экспериментальных методик ис-следования динамики спиновых систем в состоянии термодинамического равновесия является спектроскопия спиновых шумов (ССШ). Главным достоинством данного метода является его принципиально невозмущающий характер: зондирование среды происходи
Характеристики курсовой работы
ГУУСписок файлов
Спектроскопия шумов вторичного свечения полупроводникового микрорезонатора.doc
Tortuga
19 августа 2024 в 00:35
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
