Технология микроэлектронной промышленности - лекции
1 Введение
2 Подготовка подложек
3 Получение металлургического и электронного кремния
4 Структура и дефекты в монокристаллическом кремнии
5 Технология получения кремния методом зонной плавки
6 Оборудование для выращивания монокристаллического кремния
7 Технология процесса
8 Основы теории роста монокристаллов
9 Факторы, влияющие на дефекты в процессе роста
10 Оценка качества кремния и параметров кристаллов
11 Окончательная обработка кремния
12 Причина появления и преимущества технологии изготовления эпитаксиальных пленок
13 Эпитаксия из газовой фазы
14 Процессы массопереноса
15 Химическая кинетика
16 Механизмы наращивания эпитаксиальных пленок
17 Легирование и автолегирование при эпитаксии
18 Технологическое оборудование и техника безопасности
19 Выбор оптимальной технологии
20 Дефекты эпитаксиальных пленок
21 Преимущества метода молекулярно-лучевой эпитаксии
22 Описание процесса млэ
23 Особенности легирования при млэ
24 Перспективы развития
25 Технология кремний на изоляторе
26 Оценка параметров эпитаксиальных структур
27 Осаждение диэлектрических пленок и поликристаллического кремния
28 Кинетика осаждения из газовой фазы
29 Оборудование
30 Основные реакции, необходимые для осаждения диэлектрических и поликремниевых пленок
31 Поликремний
32 Двуокись кремния
33 Нитрид кремния
34 Пиролитическое осаждение пленок
35 Сравнение различных методов осаждения пленок
36 Использование SiO2 в производстве сбис
37 Механизм роста и кинетика окисления
38 Модель окисления кремния дила-гроува
39 Сопоставление теоретических и экспериментальных данных
40 Рост тонких окислов
41 Оборудование для термического окисления
42 Особенности роста окислов и влияние различных факторов
43 Свойства термических пленок SiO2
44 Плазмохимическое окисление кремния
45 Назначение и задачи диффузии
46 Модели и механизмы диффузии
47 Одномерное уравнение фика
48 Диффузия из бесконечного источника
49 Диффузия из ограниченного источника
50 Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
51 Атомные механизмы диффузии
52 Факторы, влияющие на процесс диффузии
53 Способы контроля диффузионного процесса
54 Назначение и применение ионной имплантации
55 Оборудование
56 Фаза ионно-имплантированных ионов
57 Механизм проникновения ионов в подложку
58 Дефекты и способы их устранения
59 Отжиг легированных структур
60 Методы оптической литографии
61 Фоторезисты
62 Использование и проблемы оптической литографии
63 Общая характеристика электронно-лучевой литографии
64 Проекционная литография
65 Лучевые сканирующие системы
66 Эффекты близости при литографии
67 Общее описание рентгеновской литографии
68 Принципиальная схема установки для рентгеновской литографии
69 Резисты для рентгеновской литографии
70 Шаблоны для рентгеновской литографии
71 Введение
72 Субтрактивные и аддитивные методы переноса рисунка
73 Разрешение и профили краев элементов при субтрактивном переносе рисунка
74 Селективность и контроль размеров элементов
75 Общее описание методов плазменного травления
76 Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление
77 Плазменное травление
78 Реактивное ионное и реактивное ионно-лучевое травление
79 Факторы, определяющие скорость и селективность травления
80 Побочные эффекты
81 Назначение и требования к металлизации
82 Методы осаждения металлических пленок
83 Проблемы металлизации и способы их устранения
84 Химическое осаждение металлов из парогазовой смеси
85 Металлизация с использование электронно-лучевого испарения
86 Металлизация с использованием источников индукционного нагрева
87 Металлизация с использованием ионного распыления
88 Металлизация с использованием магнетронного источника
89 Основы технологии производства n-моп сбис
90 Локос процесс
91 Основы технологии производства кмоп сбис
92 Технология производства биполярных сбис
93 Интегрально-инжекционная логика
94 Соединение твердыми припоями
95 Соединение кристалла полимерным клеем
96 Ультразвуковая сварка
97 Проволочное соединение
98 Автоматизированное соединение на ленточном носителе
99 Соединение методом перевернутого кристалла
100 Технология производства керамических корпусов
101 Технология производства прессованных пластмассовых корпусов
102 Очистка поверхности кристалла
103 Герметизация крышки корпуса
104 Герметизирующее покрытие поверхности кристалла
105 Защита от альфа-частиц
106 Проблемы герметизации
107 Общий обзор методов
108 Оптическая микроскопия в режиме интерференционного контраста
109 Просвечивающая электронная микроскопия
110 Электронография на просвет
111 Лазерное отражение
112 Рентгеновская дифракция
113 Обратное рассеяние резерфорда
114 Оже-спектроскопия
115 Спектроскопия обратного резерфордовского рассеяния
116 Растровая электронная микроскопия
117 Масс-спектроскопия вторичных ионов
118 Рентгеновский микроанализ
119 Рентгеновский флюоресцентный анализ
120 Электронная спектроскопия с целью химического анализа
121 Нейтронно-активационный анализ