МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по организации выполнения и проведения защиты выпускной работы на степень бакалавра, страница 3

В 8-м семестре работы ведутся по следующим направлениям: 1) Разработка логической схемы ИС. 2) Разработка принципиальных электрических схем базовых элементов. 3) Расчет режимов работы транзисторов, номиналов резисторов и паразитных элементов. 4) Разработка топологии базовых элементов. 5) Расчет параметров модели Гуммеля — Пупа для биполярных транзисторов. 6) Моделирование с помощью программы РЯР1СЕ статических и динамических характеристик базовых элементов. 7) Разработка общей топологической схемы кристалла. Взаимосвязанность решений, принимаемых при выборе логической схемы разрабатываемой ИС, конструкции и топологии базовых элементов, при разработке общей топологии кристалла, в принципе предполагает итерационную процедуру выполнения работ по большинству из указанных направлений.

Поскольку конструктивно-технологический тип схемы определен заданием, а КТО разработаны в предыдущем семестре, то выполнение всего комплекса работ 8-го семестра целесообразно начинать с синтеза логической схемы устройства (п. 1) и разработки эскизных вариантов топологии кристалла и базовых элементов. Эту работу следует завершить к концу 4-й недели. Параллельно с оформлением этой части задания в качестве курсовой работы по дисциплине «Элементы микроэлектронных систем» целесообразно начать проработку вопросов по пунктам 2 — 4. К концу 8-й недели должна быть также полностью закончена работа по пунктам 5 и 6.

Разделы, относящиеся к расчету геометрических размеров отдельных компонентов базовых элементов (п.З), разработке топологии базовых элементов (п.4) и расчету параметров модели Гуммеля — Пуна (п.5), оформляются в качестве курсового проекта по дисциплине «Физика элементов ИС». Защита этого проекта производится на 9-й неделе. На 11-й неделе к защите должен быть подготовлен курсовой проект по дисциплине «Базовые элементы микросхем», включающий принципиальные электрические схемы базовых элементов (п.2), результаты моделирования их статических и динамических характеристик (п.б), а также вопросы разработки общей топологии кристалла (п.7).

Курсовые проекты и курсовая работа 8-го семестра содержат основную часть материала, на базе которого готовится выпускная работа. В ходе ее выполнения (с учетом результатов курсового проектирования) должны быть дополнительно проработаны вопросы совершенствования топологии базовых элементов и общей топологии кристалла, определены направления дальнейшей работы по улучшению схемотехнических параметров разработанной ИС. 2.3.

Требования к оформпению выпускной работы Пояснительная записка оформляется средствами вычислительной техники на стандартных листах бумаги формата А4. Текст печатается на одной стороне листа, слева оставляются поля 25 мм для переплета, сверху и снизу — 25 мм, справа — 10мм. Текст пояснительной записки по стилю изложения должен быть близок к учебному пособию. Сокращения часто повторяющихся терминов должны быть расшифрованы при их первом употреблении. Это относится и ко всем обозначениям в математических формулах.

Иные сокращения, кроме общепринятых, а также небольшого числа (двух— трех) специально оговоренных, не допускаются. Расчетную формулу принято рассматривать как составную часть предложения, которое ее поясняет. Формула обычно занимает отдельную строку, номер формулы ставится в конце строки. Знаки препинания ставятся сразу после формулы. В одной фразе может быть приведена группа формул, разделяемых знаками препинания или союзами.

Рисунки (включая графики, схемы) могут быть выполнены на отдельных листах или включены в текст. Каждый рисунок необходимо снабдить номером и подрисуночной подписью, которые располагаются снизу. Пояснительные надписи и расшифровка параметров могут быть размещены в подписи или на свободном поле рисунка. Графики должны иметь на осях обозначения величин с размерностью и несколько цифр, определяющих масштаб. В тексте должны присутствовать ссылка на рисунок и его обсуждение. Рисунок приводится после первой ссылки на него. Конструктивные чертежи должны оформляться в соответствии с действующими стандартами.

В пояснительной записке к выпускной работе бакалавра к числу таких рисунков относятся принципиальные электрические схемы и чертежи топологии кристалла. Таблицы должны иметь номер и название; на таблицу должна быть ссылка в тексте. Разделы основной части пояснительной записки нумеруются арабскими цифрами. При необходимости крупные разделы можно разделять на более мелкие с использованием двойной нумерации. Нумерация рисунков, формул и таблиц может быть сквозной по всему тексту, но чаще используется двойная нумерация внутри главы, причем первая цифра совпадает с номером главы.

Для всех привлекаемых данных, формул должны указываться источник информации. Литературные ссылки нумеруются по мере упоминания в тексте. Список литературы, использованной при выполнении выпускной работы и подготовке пояснительной записки (имеющий название «Список литературы»), оформляется согласно действующему стандарту (в качестве образца см. Приложение 3). Пояснительная записка должна быть переплетена в жесткую обложку, прочно прошита и подписана автором.

При выполнении выпускной работы с помощью текстового редактора Ъ'ОКО РОК Ж1МПОЖБ рекомендуется использовать шрифт типа Тппез размером 14 пт с межстрочным интервалом 1,5. В Приложении 2 даны образцы оформления текста, формул, рисунка, включенного в текст, а также рисунка, включенного в приложение к записке.

В качестве примера оформления таблицы можно использовать табл. 1, приведенную в Приложении 1. 11 Приложение 1 Пример оформления таблицы Таблица 1 Па амет ыслоевст кт ы № Функции слоя Толщина, мкм Тип проводимости, удельное поверхностное сопротивление, Омгу (или удельное объемное сопротивление, Ом-см 350 ~ 30 и Г!0+31 1 полложка н', 50+ 12 2.5 =ь 0.5 2 скрытый слой 3 зпитаксиальиый 4 глубокий 3 5~04 4.0 =1 0.5 и 1+03 и, 20+5 р, 150+ 30 !.5 ~ 0.3 5 база пассивная 6 база активная 7 эмиттер и 500 -ь 500 и', 20-ь5 09~0 !5 0.5 ~ 0.15 07~0! 8 металлизаггия 9 изолиптюший 0.6 ~ 0.1 Прилоэсение 2 Примеры оформления фрагментов текста Приводятся примеры оформления заголовков параграфов, набора текста, формул, пояснений к ним, представлены также образцы иллюстративного материала.

4.1. Параметры модели Гуммеля — Пупа Контактную разность потенциалов при комнатной температуре найдем из соотношения И И~-=БТ 1н~МьН,,(пг ' где 1)„= 0,026 эВ - температурный потенциал; М~ — концентрация легирующей примеси в базе; Ж, — концентрация легирующей примеси в эмиттере; кз — собственная концентрация носителей заряда в кремнии. С учетом того, что Ж„» гУь, для определения толщины области пространственного заряда !ОПЗ) эмиттерного перехода ггг, используем упрощенную формулу ггг„=(2ьъОСЦ!гЧь) '", (4.11) где а = 11,8 — относительная диэлектрическая проницаемость кремния; ьгг = 8,85 10 -14 Ф!см — электрическая постоянная; г7 = 1,6 ! 0 Кл — заряд электрона.

-! 9 Обозначив через 5„площадь р-гг-перехода, с использованием формулы (3.11) рассчитаем емкость эмиттерного перехода С,,: К основным параметрам модели относятся, в частности, емкости р-п-переходов. Рассмотрим эмиттерный переход, с целью упрощения расчета будем использовать аппроксимацию ступенчатого перехода. .