МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по организации выполнения и проведения защиты выпускной работы на степень бакалавра, страница 2

Задание, оформленное на специальном бланке МЭИ подшивается последним документом в разделе «Приложения», с конкретными наименованиями содержания. Ориентировочный объем пояснительной записки составляет в среднем 40 страниц (без приложений ). Пояснительная записка должна быть переплетена или заключена в папку для дипломных работ. 1.3. Подготовка к защите Выпускная работа на степень бакалавра считается допущенной к защите после получения на титульном листе подписей научного руководителя, заведующего кафедрой и при наличии письменной рецензии рецензента и отзыва научного руководителя.

Рецензент назначается из числа преподавателей или научных сотрудников выпускающей кафедры. Расписание защит доводится до сведения студентов за три недели до даты заседания ГАК. Полностью оформленную пояснительную записку автор сдает руководителю за 7 — 9 дней до защиты. Не позднее чем за 5 рабочих дней до защиты автор передает пояснительную записку рецензенту.

Рецензия и пояснительная записка должны быть представлены на подпись заведующему кафедрой для допуска к защите не позднее чем за 2 дня до заседания ГАК. Рецензия должна отражать содержание пояснительной записки в развернутом виде и иметь объем в 1 — 2 стр. машинописного текста. В соответствии с действующими в РФ стандартами для многоуровневого высшего образования в рецензии и отзыве научного руководителя должна обязательно быть указана оценка работы по пятибалльной шкале.

В случае неудовлетворительного состояния подготовки соискателя к защите руководитель письменно сообщает об этом заведующему кафедрой как минимум за 2 дня до заседания ГАК. Объем графического материала, выносимого на защиту, должен составлять не менее 2 — 4 листов (плакатов, чертежей, графиков, схем, формул, таблиц). Чертежи представляются на листах ватмана стандартного формата, они должны соответствовать ГОСТ и могут быть выполнены как вручную, в туши или карандаше, так и с помощью компьютерной графики.

Защищающийся имеет также право пользоваться эпидиаскопом или другими техническими средствами. Таблицы и графики могут быть представлены членам ГАК в виде копий стандартных страниц пояснительной записки. 1.4. Организация защиты Защита состоит из следующих этапов. ° Сообщение секретаря комиссии о теме работы, руководителе, рецензенте и авторе работы (Ф.И.О., группа). ° Доклад автора о содержании работы и основных выводов (отводится до 10 минут). ° Вопросы членов ГАК, присутствующих на защите преподавателей, и ответы на вопросы (отводится до 10 минут).

° Представление рецензии и ответы на поставленные в ней вопросы. ° Представление отзыва научного руководителя. Защита работы проводится в присутствии всех желающих. Рекомендуется присутствие на защите научного руководителя. Решение по докладу и результатам защиты работы члены?'АК выносят на закрытом заседании с указанием оценки по пятибалльной шкале и принятием рекомендации, если это целесообразно, в магистратуру. В закрытом заседании ГАК могут, по их просьбе, участвовать научный руководитель и рецензент. В случае равного разделения мнений об оценке защиты среди членов ГАК окончательное решение принимается председателем комиссии. После окончания закрытого заседания председатель ГАК сообщает студентам решение комиссии, включая оценки за работу, и зачитывает рекомендации в магистратуру (если таковые имеются).

Экземпляр выпускной работы хранится на выпускающей кафедре в течение трех лет. Список литературы к разделу 1 1. ГОСТ 7.1 — 84. Библиографическое описание документа. Общие требования и правила составления. 2. ГОСТ 7.9 — 95. Реферат и аннотация. Общие требования. 3. ГОСТ 7.5 — 98. Журналы, сборники, информационные издания. Издательское оформление публикуемых материалов. 4.Извеков В.И., Сентюрихин Н.И. Методические указания по организации выполнения и проведения защиты магистерской диссертации. М.; Издательство МЭИ, 1998.- 8 с. 2. Методические указания по выполнению выпускной работы на степень бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника» 2Л.

Общие положения Выпускная работа на степень бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника» может быть посвящена разработке специализированной цифровой интегральной схемы (ИС). Соискатель степени бакалавра должен продемонстрировать достаточно полное понимание задач, решаемых в процессе проектирования, методов их решения и взаимосвязи изучаемых дисциплин на конкретном примере разработки цифровой ИС. Проектирование интегральной схемы предполагает решение комплекса задач, связанных с разработкой логической (структурной) схемы, анализом схемотехнических решений, расчетом параметров отдельных полупроводниковых структур, разработкой топологической схемы. В условиях реального производства проектирование ведется на основе технического задания гТЗ), определяемого заказчиком, которое конкретизирует функциональное назначение разрабатываемой схемы, уровни входных и выходных потенциалов, параметры нагрузки, требования к быстродействию схемы, потребляемой мощности и конструктивному оформлению, определяющему возможность ее эксплуатации в тех или иных условиях.

Разработка схемы всегда ориентирована на конкретную технологию, имеющуюся на предприятии-производителе, опыт производства ИС одного или нескольких конструктивно-технологических типов, например таких, как транзисторно- транзисторная логика 1ТТЛ), эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ), логика на основе полевых транзисторов тех или иных типов. Предприятие-производитель обычно формулирует ряд дополнительных требований к проекту ИС, определяя допустимые типы базовых элементов или логики, способы изоляции элементов. Основная часть этих требований формулируется в документе, называемом «Конструктивно-технологические ограничения гКТО)».

Таким образом, проект ИС должен отвечать требованиям не только ТЗ, но и КТО. Конечным этапом проекта является разработка топологического чертежа ИС, представляющего собой набор наложенных друг на друга рисунков фотошаблонов, используемых при изготовлении интегральной схемы. Как и любая инженерная задача, разработка ИС практически никогда не имеет однозначного реп<ения. Выбор наилучшего (или не худшего) варианта предполагает наличие критериев оптимизации. В качестве таких критериев могут выступать надежность схемы, ее энергопотребление, массогабаритные параметры. В процессе выполнения выпускной работы соискатель степени бакалавра реализует описанные процедуры разработки ИС в два этапа.

Первый этап включает решение частных задач в виде курсовых проектов и работ: по физике гголупроводниковых прггборов и технологии полупроводниковых приборов и ОС (7- и семестр); по элементалг микроэлекгггронных систелг, базовым элементам микросхем, физике элементов ИС (8- и семестр).

На втором этапе проводится согласование результатов решения частных задач между собой и с заданием на выггускную работу. которое выдается в начале 7-го семестра и оформление работы. 2.2 Задание на выпускную работу и порядок ее выполнения Задание на выпускную работу бакалавра представляет собой вариант реальной разработки ИС, адаптированной к действующим учебным планам и уровню подготовки студентов на этапе выполнения работы. Конечной целью проектирования является разработка и обоснование топологии кристалла, технологического маршрута его изготовления, конструктивно- технологических ограничений и расчет параметров разработанной ИС, Задание содержит следующие основные позиции: ° описание функционального назначения ИС 1например, «четырехразрядный сумматор с комбинированным переносом»); ° конструктивно-технологический тип схемы или базис 1ТТЛ, ЭСЛ); ° способ изоляции элементов 1р-п-переходом, щелевая); ° глубины залегания р-п-переходов и удельные объемные и поверхностные сопротивления отдельных слоев структуры.

Такой набор задаваемых параметров, с одной стороны, значительно сужает количество просматриваемых вариантов, а с другой — позволяет проводить поэтапную и в значительной степени автономную проработку отдельных частных задач, являющихся составными частями общей задачи по разработке ИС. В 7-м семестре решаются следующие основные задачи: 1) Разрабатывается технологический маршрут изготовления ИС и обосновываются режимы основных технологических операций. 2) Разрабатываются КТО на размеры элементов ИС 1соответствующие расчеты должны выполнятся на примере наиболее сложного в топологическом отношении транзистора, входящего в состав типового базового элемента).

3) Рассчитываются основные схемотехнические параметры элементарного транзистора минимальных размеров, такие, как пробивные напряжения р-п-переходов, зависимости их емкостей от смещения, зависимости коэффициента передачи тока от тока эмиттера в схеме с общим эмиттером, коэффициент передачи тока в инверсном режиме работы, статические ВАХ и частотные свойства транзисторной структуры.

Общей частью обеих работ 7-го семестра является расчет профилей распределения примесей в транзисторной структуре по заданным удельным или поверхностным сопротивлениям слоев и глубинам залегания р-п-преходов, а также обоснование КТО. Выполнение соответствующих расчетов рекомендуется завершить к концу 6-й учебной недели. Все остальные пункты заданий могут выполняться параллельно. Ввиду достаточно большого объема работ по оформлению документов на 11ЭВМ необходимо завершить выполнение всех расчетов не позже, чем на 12-й неделе семестра.