ДЗ2_часть2 (ДЗ Соловьёва для потока РТ2, 18 вариант )
Описание файла
PDF-файл из архива "ДЗ Соловьёва для потока РТ2, 18 вариант ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технологические процессы микроэлектроники" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
(−1.9∙ 10D ∙t =2∙ 2.996 2− 122=0.1009 ∙10 м)Задавшись температурой загонки t ° = 950 ℃ , по графику D= f (t ° ,N0з ,Nис х )(рис. 3.1.1.) .Время диффузии вычисляется по формуле:−t=D ∙ t 0.1009∙ 10=D− 174 ∙ 1012=2522.5 с=42.04 ми н .Топологический расчет транзистораМинимальная длина канала определяется из условия смыкания (пробоя) областейстока и истока (за счет расширения области пространственного заряда перехода“сток-подложка”) определяется по формуле:√2∙ε ∙ε∙U0пи тL=,minq ∙NгдеUпи т– напряжение питания;N – концентрация примеси в подложке на уровне дна истока (стока).Lmin=√− 142 ∙ 8.85 ∙10∙11.7 ∙ 5=1.799 м к м− 1915 61.6 ∙ 10∙2 ∙10 ∙10Рассчитываем длину тонкого окисла:lГдеподложке;Δп =0.15Δс =0.1=L+2 Δ +4 Δ =1.799+0.3+0.4= 2.499 мк мт о mi nпсРис.Определение длины тонкого окисламкм – погрешность размера топологического элемента намкм – погрешность совмещения двух топологических слоев.Рассчитываем длину затвора:l =L +2 Δ +5 Δ =2.499+0.3+0.5 = 3.299 мкмз топсРис.
Определение длины затвораДлина истоковых и стоковых областей:l =l +a+ 2 Δ +4 Δ =6 + 1 + 0.3 + 0.4 = 7.7 мкм.и п mi nпсРазмеры p-карманов:При определении размеров p-кармана нужно соблюдать те же принципы,что и в случае базовой и коллекторной областей биполярного транзистора.l =l +2 Δ +8 Δ =6 +0.3 + 0.8 = 7.1 мкм.и ппс.