ЭлМ - Электронографические исследования материалов (Описания лабораторных и мануал к типовому расчету)
Описание файла
Файл "ЭлМ - Электронографические исследования материалов" внутри архива находится в папке "Лабы". PDF-файл из архива "Описания лабораторных и мануал к типовому расчету", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "физика и технология некристаллических полупроводников" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
http://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А. Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru1ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА"Электронографические исследования материалов".Задание.1. Ознакомиться с режимами работы электронного микроскопа УЭМВ-100К.2. С помощью микроскопа УЭМВ-100К снять картины микродифракции электронов в аморфном и поликристаллическом материалах.3. Обработать фотографические снимки электронограмм.4.
Пользуясь литературными данными, идентифицировать рефлексы наэлектронограмме MgO (определить межплоскостные расстояния, соответствующие наблюдаемым дифракционным кольцам).5. Рассчитать углы рассеяния электронов, соответствующие выявленныммежплоскостным расстоянием.6.
Определить масштаб электронограммы для SУКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЗАДАНИЯДифракция электронов в материале описывается законом Вульфа Брегга:λ = 2d ⋅ sinθi ,где d - межплоскостное расстояниеθi - угол между направлением электронного луча и атомной плоскостью.λ- длина волны падающих электронов.Длина волны падающих электронов зависит от ускоряющего напряженияэлектронного микроскопа и определяется по следующей формуле:λ=12,26U ⋅ (1 + 0.9788 ⋅ 10 − 6 ⋅ U ),где U - ускоряющее напряжение (В).Значения волновых векторов S (Å-1) определяются по формуле:4π ⋅ sin θ iS=,λhttp://ftemk.mpei.ac.ru/ncsПодготовлено В.А.
Воронцовым © 2002e-mail: vlad@ftemk.mpei.ac.ru2где неизвестными остаются значения sinθi, которые можно определить используя закон Вульфа – Брегга:4π λ 2π⋅=S=λ 2d dДля определения масштаба электронограммы по S используется поликристаллический MgO межплоскостные расстояния и соответствующие иминтенсивности рефлексов которого приведены в следующей таблице:d, Å2,41 2,10 1,485 1,266 1,213 1,050 0,963I, отн.ед.6 100 7561541Литература1.
Китайгородский А.Н. Справочник по рентгеноструктурному анализу., М.,1940г.2. Практические методы в электронной микрскопии. Под ред. Одри М. Глоэра. Л., Машиностроение, 1980г., с.165 - 174.3. Татаринова Л.И. “Электронография аморфных веществ”, М., Наука, 1972г..
