Сведения о ведущей организации (Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS)
Описание файла
Файл "Сведения о ведущей организации" внутри архива находится в папке "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS". PDF-файл из архива "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения о ведущей организациипо диссертации Мохаммеда Хемдана Сайеда Хамедана тему «Морфология и электрофизические свойства фоточувствительныхслоев на основе PbS» по специальностям О1.04.1 О- «Физикаполупроводников», 05.27.01 - «Твердотельная электроника,радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы наквантовых эффектах» на соискание ученой степеникандидата технических наукПолное наименование организации всоответствии с уставомСокращенное наименование организации всоответствии с уставомМесто нахожденияПочтовый адресТелефонАдрес электронной почтыАдрес официального сайта в сети«Интернет»Список основных публикаций работниковведущей организации по теме диссертациив рецензируемых научных изданиях запоследние 5 лет (не более 15 публикаций)Федеральное государственное бюджетноеобразовательное учреждение высшегопрофессионального образования "Рязанскийгосударственный радиотехническийуниверситет"ФГБОУ ВПО «РГРТУ», РГРТУг.
Рязань, ул. Гагарина, Д.5911г. Рязань, ул. Гагарина, Д.5911, 390005+7 (4912) 46-03-03 (ректор, приемная)Факс +7 (4912) 92-22-15гgгtu@гsгеl1.гuhttр:llwww.гsгеl1.гul1. Авачев АЛ., Вишняков Н.В., ВихровСЛ., Козюхин С.А., Митрофанов к.В.,Теруков Е.И. «Фазовые переходы в тонкихпленках халькогенидов Gе2SЫТе5 поданным комбинационного рассеяниясвета» II ФТП.
NQ5. Т. 46. 2012. С. 609-612.2. Алпатов А.В., Вихров ел., ГришанкинаН.В. «Выявление корреляцийповерхностного интерфейса пленок A-Si:Нметодом двумерного флуктуационногоанализа» II ФТП. Т. 47. NQ3.2013. С. 340347.3. Ермачихин А.В., Кострюков С.А.,Литвинов ВТ., Рыбин Н.Б., Холомина Т.А.«Измерительный комплекс спектроскопиинизкочастотных шумовПОЛУПРОВОДПI!КОВЫХдиодных структур» IIИзмерительная техника.
NQ9.2013. С. 61-64.4. Ермачихин АВ., Кострюков С.А,Литвинов В.г., Холомина Т.А«Спектроскопия низкочастотных шумовполупроводниковых приборов» // Датчики исистемы. NQ5.2013. С. 15-21.5. Ермачихин АВ., Корнилович АА, Кус.с., Литвинов В.Г. «Установка дпределения параметров полупроводниковьтруктур по магнитным квантовым эффектампектроскопии адмиттанса» // Приборыехника эксперимента. NQ4.2014. С. 111-119.6.
Ермачихин АВ., Зубков В.И., Кучерова.В., Литвинов в.г., Черкасова В.Н., Яковлев.н.«Анализэлектростатическогозаимодействия зарядов в множественныхантовыхямах InGaAs/GaAsметодамипектроскопии адмиттанса» // ФТП. Т, 48. вью .. 2014. С. 944-950.КострюковС.А,ЛактюшкинАС.,оломинат'А«Исследованиеолупроводниковь~барьернь~структуретодомспектроскопиинизкочастотногою> // Вестник РГРТУ. Рязань.
NQ 1выпуск 39). Часть 1.2012. С. 74-78.8. Холомина т'А «Особенности процессовенерацииНЧ-шумавбарьернь~труктурах» // Вестник РГРТУ. Рязань.выпуск 39). NQ1.Часть 2.2012. С. 117-121.9. Жигальский ГЛ., Ильичев Э.А,Кострюков С.А, Литвинов В.Г., ХоломинаТ.А «Избыточные шумы в GaAs детекторахионизирующих излучений,геттерированнь~ иттербием» // Успехисовременной радиоэлектроники. NQ10.2014. С.
74-78.А.И. Таганов/полупроводниковой электроники/т.А. Холомина/.
