Отзыв научного руководителя (Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS)
Описание файла
Файл "Отзыв научного руководителя" внутри архива находится в папке "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS". PDF-файл из архива "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ научных руководителей о работе аспиранта кафедры полупроводниковой электроники национального исследовательского университета «МЭИ» Мохамеда Хемдана Сайеда Хамеда, представившего диссертацию по теме: «МОРФОЛОГИЯ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ РЬЯ» на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальностям: 01.04.10 — Физика полупроводников и 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Мохамед Хемдан Сайед Хамед получил степень магистра по экспериментальной физике в университете Гауошп, Египет. По инициативе (ХХЕЯСО зачислен на стажировку в МЭИ, где с 10.03.2009 по 25.04.09 прошел обучение в ГОУВПО «МЭИ (ТУ) по повышению квалификации преподавателей и специалистов (приборы нетрадиционных возобновляемых источников энергии), в период стажировки обратился с просьбой о продолжении учебы в аспирантуре МЭИ.
Зачислен в аспирантуру 02.04.2011, где первый год изучал русский язык, на кафедре Полупроводниковая электроника начал обучаться с 2.04.2012 (по 01.04.2015) по двум специальностям: 01.04,10 — Физика полупроводников и 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. За время обучения в аспирантуре Мохамед Х.С.Х.
не только успешно применял полученные им ранее знания в области экспериментальной физики, но и продемонстрировал способность осваивать новые для него области науки и техники: физику полупроводников, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках, физику кристаллических и неупорядоченных полупроводников, атомно-силовую и туннельную спектроскопию.
Все перечисленные знания Мохамед Х.С.Х. применил при выполнении диссертационной работы. Мохамед Х.С.Х. прошел обучение на современных комплексах исследования фотоэлектрических параметров фотоприемников (К54.410, АСС-03) и спектральной плотности мощности шума, овладел передовыми методиками исследования — атомно-силовой и туннельной спектроскопией на Р",~Р Научный руководитель д. т. н. профессор --~~ "У' ' ' ' "' 'И.
Н. Мирошникова Ф' . Попов д т. н. профессор Подписи Мирошниковой фф:'и ПойоМ.'А':.~, заверяю: %';-.-.,-"' зондовой нанолаборатории ИНТЕГРА Прима производства компании ХТ— МАТ (Зеленоград). Кроме того, Мохамед Х.С.Х. принимал активное участие в исследовании фоточувствительных слоев методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и Оже-спектроскопия на установке ЕНБ-10 1Германия), растровом электронном микроскопе УЕОА 11 ЯВБ фирмы Тезсап, а также в обсуждении результатов, полученных на растровом электронно-ионном микроскопе Не11оз 1ЧапоЕаЬ 600 с системой энергетического днсперсионного рентгеновского мнкроанализа и просвечивающем электронном микроскопе Теспа1 62 20 Т%ПМ и Я/ТЕМ Тйап 80-300 ~ЕЕ1, США). Считаем, что Мохамед Х.С.Х.
является сформировавшимся научным работником и заслуживает присуждения ему искомой ученой степени кандидата технических наук по специальностям 01.04.10 — Физика полупроводников и 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. .
