Неофициальный отзыв (Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS)
Описание файла
Файл "Неофициальный отзыв" внутри архива находится в папке "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS". PDF-файл из архива "Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе PbS", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертации Мохамеда Хемдана Сайеда Хамеда «Морфология и электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе РЬВ». представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальностям 01.04.!Π— «Физика полупроводников», 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».
В качестве заче <шшй можно указать: - в тексте автореферата практически не отражается содержание третьей главы, посвященной описанию технолог ии получения исследуемых фоточувствительных пленок; - поскольку диссертационная работа носи.г экспериментальный характер то для более корректного отражения результатов автора в автореферате необходимо указывать погрепзности проводимых измерений; - в тексте автореферата не указан тип зондов !АСМ) при сканировании поверхностей плснок РЬб. В ~Аязом, судя по автореферату, работа выполнена на высоком научно-исследовательском уровне, полностью соответствует требованиям, предъявляемым ВАК РФ к кандидатским диссертациям, а ее ав~ор Мохамед Х.С.Х. заслуживает присвоения ученой степени кандидата технических наук по специальностям О!.04.!О— «Физика полупроводников», 05.27.0! — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы иа квантовых эффектах».
!Филиппов Владимир Владимирович~' Зав. кафедрой физики, доктор физ.-мат. наук, доцент Доцент кафедры электроники телекоммуникаций и компьютерных технологий, кандидат техн, наук, доцент Федеральное государственное.биьа твое образоватевьнае учрежден «Липецкий государствен)пйй йелагпг, ий университет», 398020. т. 8-4742-328385. е-»1а)Г'зз«уйфройфвйй ° ! г)9.
В2, 76 !'Г, /Скуднев Дмитрий Михайлович/ не высшего профессионального образования г. Липецк, ул. '!енина, 42. Диссертационная работа Мохамеда Х.С.Х. посвящена решению акги3«ззьиой физико-технической задачи— исследованию фоточувствительных пленок на основе перспективного материала оптоэлектронных преобразователей энергии РЬЬ. Диссертантом были поставлены и последовательно решены следующие задачи; !. установить атомную структуру фоточувствительного слоя на основе сульфида свинца; 2.
выявить характерные особенности физических свойств фоточувствительного слоя РЬБ; 3. решить задачу оптимизации технологического процесса„ пригодного для формирования фоточувствительных пленок на основе РЬб с перспективами применения в оптоэлектронике. В качестве наиболее интересных результатов диссертационной работы, отличающихся научной новизной и практической значимостью, можно отметить следующие. !. Впервые для фоточувствительных слоев на основе РЬб, полученных методом химического осаждения, опы гным путем подтверждено образование второй фазы на основе соединений свинца и углерода.
Также показано, что возникновение данной фазы приводит к снижению фоточувствительности пленок в коротковолновой области спектра, 2, Выявлена чувствительность пленок РЬВ к парам С2!1~011, обнаруживающаяся в зависимости величины максимума на спектрах зарядовой релаксационной спектроскопии центров захвата от концентрации паров этанола. Показана возможность применения пленок РЬЯ в качестве сенсоров на этанол. 3. Экспериментально показано. что повышение концентрации химически связанного кислорода в пленках сульфида свинца, полученных химическим осаждением, приводит к сдвигу длинноволновой границы чувствительности в коротковолновую область и к увеличению сопротивления фоточувствительного слоя. Дос»го«ерцосшь полученных результатов подтверждается выбором надежного экспериментально~о оборудования !туннельные и атомно-силовые микроскопы, растровые и электронные микроскопы, спелтрографы известных мировых производителей) и сравнением полученных результатов с экспериментальными данными предшествующих известных работ.
Материалы диссертапии достаточно полно опубликованы и представлены на конференциях. .