3_listDDD (Технология литографии субмикронной точности)
Описание файла
Файл "3_listDDD" внутри архива находится в папке "пдф". PDF-файл из архива "Технология литографии субмикронной точности", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Рентгеновская литография с точечным источником излученияЭтапы совмещения и экспонирования1.Подготовка поверхностиприменяется врентгеодиагностикеприменяетсярентгеновскомспектральноманализе,дефектоскопии-Сушка в вакууме-Чистаяобезвоженнаяповерхность-Повышение адгезии-Температура 200250°C-Время 60 с.SiO2рентгеновскийисточник излучения8. ТравлениерентгенорезистаНанесение изображенияна подложку с нанесеннымрезистомАктивациярентгеночувствительныхмаскакомпонентоврентгенорезистаПараметры качества:–разрешениерентгенорезист –дефектностьCf49.
Контроль?2. Нанесение рентгенорезистарентгенорезистприменяется врентгеновскомструктурноманализе4. Совмещение рентгеношаблонаи экспонированиеPвакω5. Проявление-Подложка фиксируетсявакуумным зажимом-Медленное вращение 500об/мин-Ускорение 3000-5000об/мин-Параметры качества:время, скорость, толщина,однородностьПроявительω10. Травление SiO2Pвак6. Отжиг-Испарениерентгенорезиста-Улучшениеадгезии3. Сушка-Частичное испарениерастворителейрентгенорезиста-Улучшение адгезии-Улучшение однородности-Улучшение сопротивляемоститравлению-ОптимизацияфотопоглощенияХарактеристики рентгеновского резистаЧувствительностьдо 2000 мДж/см2длина волны0,834 нмразрешающая способность50 нм11.
Удалениерентгенорезиста7. Контроль12. Заключительныйконтроль??МаскаФ.И.О.ВыполнилаКуликова Л.А.ПроверилКаменихин А.Т.ПодписьДата.