1 лист (Технология литографии субмикронной точности)
Описание файла
Файл "1 лист" внутри архива находится в папке "пдф". PDF-файл из архива "Технология литографии субмикронной точности", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Технологический анализ изделияЭтапы производства транзистораКремниеваяподложка покрытаизолирующимслоем двуокисикремнияНанесение слоярентгенорезистивногоматериалаЭкспонированиеПроявлениеУдаление SiO2ТранзисторМойкаБиполярныеp-n-pНанесениеполикремнияНанесение ФРЭкспонированиеПроявлениеПолевыеС затвором в видеp-n-переходаn-p-nС изолированным затворомТравлениеполикремния и SiO2Напряжение1,2 - 3,3ВТок1,7мА/мкмКоличество транзисторовв чипе383 млнУдаление ФРПроявлениеОтносительное время выполненияоперации2,0Диффузия фосфораСоздание окисикремнияТравлениеокиси кремнияСнятие ФРНанесение ФРНапыление AlЭкспонирование1,81,61,4Травление слоя Al1,2Проявление1,00,8Нанесение ФРЭкспонированиеФ.И.О.0,6112,50,50,60,70,80,91,01,1ВыполнилаКуликова Л.А.ПроверилКаменихин А.Т.Рабочее напряжениеПодписьДата.