Лист1 (Технология изготовления СБИС)
Описание файла
Файл "Лист1" внутри архива находится в папке "Технология изготовления СБИС". PDF-файл из архива "Технология изготовления СБИС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Параметры изделияИсходная пластинаПластина с готовымикристалламиЭтапы маршрутапроизодства изделияФормирование островков,200±Формирование траншейнойизоляции152,5±7,5FEOL стадия0,67±0,25КМОП структураЗащитный окиселКонтактные площадкиМеталлизацияИзолирующий слойP-карманФормирование кармановФормирование затворовФормирование LDD областейФормирование спейсеровТраншейная изоляцияN-карманФормирование стоков/истоков150±0,2Базовый срез57,5±2,5Толщина0,67±0,20Проектная норма0,35мкм4Количество уровней металлизацииТолщина область N-кармана (P-кармана)Толщина подзатворного окислаТолщина области боковой изоляцииПараметрыкристалла1,2мкм0,007±0,0005мкм0,45±0,05мкм0,28мкмСильнолегированные области стока и истокаТолщина изолирующего слоя1,0±0,1мкмТолщина металлизации0,7±0,1 мкмТолщина защитного окисла1,2±0,1 мкмНапряжение питания3,3 ВНапряжение пробоя “сток-исток”8-11 В-4-4Приведенное значение тока насыщения4,8 10 - 6,0 10 А/мкмУдельное сопротивление металлизации5 10 - 9 10 Ом мм/-2-2Формирование салицидаBEOL стадияПараметрыпластиныДиаметрФормирование 1-го уровняметаллизацииФормирование 1-го уровняметаллизацииФормирование 1-го уровняметаллизацииФормирование 1-го уровняметаллизации.