2 лист. Анализ способов (Технология изготовления диодов)

Перв. примен.Справ. №Подп. и датаВзам. инв. № Инв. № дубл.Подп. и датаИнв. № подл.VтранспНа пластину предварительно наносится маска-трафарет, в виде защитных металлическихдисков. Кремниеваяя пластина, закреплённая на стеклянной подложке, расделяется вдольэтой маски с помощью потока абразивных части, подаваемых в струе сжатого вохдуха41231. Кремний2. Стеклянная подложка3. Маска (металлический диск)4. Сопло установкипескоструйной резкиVсканРазделение алмазной пилойЭкологичностьСтоимость процессаВысокаяСредняяНетПрямоугольникФорма кристалловНеобходимость последующейобработкиНизкаяСкрайбированиеВысокий1234ВысокаяСредняяНетПрямоугольникНизкаяВысокаяВысокаяНетЛюбаяОчень низкаяН.контр.Утв.Изм. Лист № докум. Подп.

ДатаРазраб. Пономаренко Н.В.Пров.Каменихин А.Т.Т.контр.ВысокаяНизкаяНетЛюбаяСредняяКопировалАнализ операции. Способыразделения кремниевых пластин.1:1Масса МасштабЛистЛистов 1МГТУ им. Н.Э. БауманаКафедра МТ -11Группа МТ 11-82Формат A1Лит.Установка сухого абразивного травления кремниевых пластинВысокаяСредняяДаВысокаяРазделение пескоструйн.НизкийЭлементы вытравливаются из маскированных пластинпосредством травления вдоль немаскированныхдорожек травильным раствором HF-HNO3. Данный способдорог и может быть источником загрязненияокружающей среды. При маскировании необходимоиспользовать драгметаллы, единственно химическистойкие к весьма агрессивным травильным растворам.Имеются проблемы с кромками кристаллов.Выход годного кремния - низкий.

Преимуществоданного способа: слабое травление(или отсутствие травления) кромок дисков-кристалловпри монтаже, удобный профиль, любая нужная формаэлемента, задаваемая при маскировании методами фотолитографии.Разделение растравливаниемРазделение алмазн. пилой Разделение ультразвуком Разделение растравл.ВысокийВысокийОчень низкий1. Кремний2. Стеклянная подложка3. Маска (металлический диск)4.Среда (HF-HNO3)Одной из новейших технологий является резание при помощиультразвуковых колебаний частиц абразива. Ультразвуковаярезка применяется при обработке полупроводниковых пластинв тех случаях, когда необходимо получить кристаллы сложнойконфигурации и заданного профиля. 1 - абразив, 2 - инструмент,3 - пластинаРазделение ультразвукомПроизводительностьВыход годного кремнияКанавки по нужным линиям через всю кремниевую пластинупропиливаются с помощью быстро вращающегося тонкого диска,покрытого по кромкам алмазным порошком.

Разделение на элементыосуществляется посредством сгибания пластины на мембране либорезанием на полную глубину пластины. Ширина канавки можетсоставлять 50…100 мкм. Диск 1 устанавливается на шпинделестанка и зажимается с двух сторон фланцами 2. В процессе резанияалмазный режущий диск вращается с большой скоростью иохлаждается жидкостью 3. Разрезаемую полупроводниковую пластину4 закрепляют клеящей мастикой 5 на основание 6.Разделение пескоструйной обработкойСкрайбирование заключается в нанесении на поверхность пластиныв двух взаимно перпендикулярных направлениях рисок, например,алмазным резцом, диском, проволокой или лучом лазера.

Подрисками образуются напряженные области, по которым послеприложения к пластине механического воздействия происходитломка пластины.Ломают скрайбированную пластину- механически, приложив к ней изгибающий момент,- с помощью ультразвука;- термоударом- нагревом и последующим быстрым охлаждением;- скрайбированные пластины помещают в конверт из пластичногоматериала,затем вакуумно-плотно закрывают и откачивают из неговоздух, в результате чего возникает механическое воздействие ипластина разламывается.Скрайбирование/разломУстановка сухого абразивного травления кремниевых пластин.