лист3 (Пассивная элементная база ГИС СВЧ)
Описание файла
Файл "лист3" внутри архива находится в папке "Пассивная элементная база ГИС СВЧ". PDF-файл из архива "Пассивная элементная база ГИС СВЧ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Технологический маршрут изготовления ГИС СВЧ1 Этап:создание реперных знаков1.Формирование реперных знаковSU-84 этап: формирование выводов1.Нанесение фотополимера SU-86. Планаризацияh2Оборудование:лазерная установкаТехнические параметры: глубинапрожига-0,2 ммd=2 ммAlN5. МетализацияОборудование: установка ультразвукового нанесенияполимера, установка лазерного экспонирования,установка напыления медиСушка: вакуумная печьТехнические характеристики: h2=25 мкмd2.Сушка3. Экспонирование4.Задубливание2.Повышение контрастности реперных знаковМатериал: черная паяльная маска7 Этап: формирование контактных площадок для поверхностномонтируемых компонентовCu5.Нанесение меди6.Планаризация1.Нанесение фотополимера SU-8 2.Сушка3.
Экспонирование4.Задубливание3.Нанесение защитных стикеровМатериал: стикер технологический5 этап. Формирование разводки1.Нанесение фотополимера SU-8h32 этап: формирование окон для монтажа кристаллов5. Метализация6. ПланаризацияSU-81.Нанесение фотополимера SU-8Оборудование: установка лазерногоэкспонирования, установка ультразвуковогонанесения полимера,вакуумная печьТехнические характеристики: h3=10 мкмh12.СушкаAlN2.Сушка3. Экспонирование4.Задубливание3. Экспонирование4.Задубливание6.Планаризация8 этап: нанесение защитного слоя5.Нанесение меди1.
Покрытие платы паяльноймаскойОборудование: установка лазерного экспонированияустановка ультразвукового нанесения полимераСушка: вакуумная печьТехнические характеристики: h1=hад+hкр+5мкмhад=5 мкмhкр=25 мкм2.Вскрытие окон в местах SMTкомпонентов6 Этап: формирование верхних слоев метализации3 этап: монтаж кристаллов1.Дозирование адгезиваSU-81.
Нанесение SU-82. Сушка полимера3. Экспонирование оконмежуровневых соединений4. Задубливание3. Нанесение финишного покрытия Au,SnhадAlN2.Монтаж кристаллов3.Сушка адгезиваОборудование: установка лазерногоэкспонирования установка ультразвуковогонанесения полимера,вакуумная печьhкрПаяльная маска: пленочная, толщина 25-75 мкм.
