Нанотехнологические подходы к улучшению пиннинга в сверхпроводниках (Семинары 2010 года)
Описание файла
Файл "Нанотехнологические подходы к улучшению пиннинга в сверхпроводниках" внутри архива находится в папке "Семинары 2010 года". PDF-файл из архива "Семинары 2010 года", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "неограническая химия" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
НАУЧНЫЙ СЕМИНАРАСПИРАНТОВ КАФЕДРЫ НЕОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ и ФНМсостоится 25 ноября 2009 г в 18 час 00мин. в ауд.472ДОКЛАДЧИК: аспирант 2-года Маркелов Антон ВикторовичНАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К УЛУЧШЕНИЮПИННИНГА В СВЕРХПРОВОДНИКАХРуководители: Кауль А. Р., Самойленков С. В.Резензент: Казин Павел ЕвгеньевичСоздание длинномерных сверхпроводящих кабелей второго поколенияявляется одним из наиболее актуальных направлений исследований в областисверхпроводящих материалов. Важнейшей функциональной характеристикойтакого материала является величина транспортного тока, протекающего черезсечение сверхпроводящего слоя.
Увеличение его толщины не приводит кжелаемому увеличению тока. Это связано с падением критической плотноститока с толщиной, которое вызвано релаксацией приповерхностных напряженийна интерфейсе плёнка-подложка. Кроме того, после примерно 2 мкм толщинынаблюдается заметная деградация морфологии плёнок.Введение новых центров пиннинга в слой сверхпроводника приводит квыравниванию критической плотности тока по толщине и увеличению общеготранспортного тока.
Пиннинг может осуществляться как на точечных центрах,представляющих собой нанокристаллические включения других фаз, так и напротяжённых дефектах структуры, таких как дислокации несоответствия,образующиеся на интерфейсах слоистых композитных плёнок. Кроме того,использование дополнительных РЗЭ-замещённых подслоёв в сверхпроводящейгетероструктуре в отдельных случаях может приводить к улучшению общейморфологии плёнки..