63454 (Моделирование и методы измерения параметров радиокомпонентов электронных схем)

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

КАЛЮЖНЫЙ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ

Моделирование и методы измерения параметров радиокомпонентов электронных схем

Специальность 05.13.12 - Системы автоматизации проектирования

ДИССЕРТАЦИЯ

на соискание учёной степени кандидата технических наук

Научный руководитель –

кандидат технических наук, доцент Мирошник И.А.

Воронеж 2004

ОГЛАВЛЕНИЕ

Основные обозначения и сокращения

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА1. ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЗАДАЧИ ПРИ ОПРЕДЕЛЕНИИ МОДЕЛЕЙ РАДИОКОМПОНЕНТОВ

1.1. Структура элементной базы радиоэлектронных

1.2. Связь двухполюсных и многополюсных радиокомпонентов

1.3. Модели радиокомпонентов

1.3.1.Общие положения

1.3.2.Классификация моделей радиокомпонентов

1.3.3.Основные требования к моделям

1.3.4.Макромодели пассивных радиокомпонентов

1.3.5.Встроенные макромодели транзисторов

1.3.6.Макромодели, определяемые пользователем

1.3.7.Факторные статистические модели многополюсных радиокомпонентов

1.4. Измерительные задачи

1.5. Выводы по главе

ГЛАВА2. АЛГОРИТМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МАКРОМОДЕЛИЙ МНОГОПОЛЮСНЫХ РАДИОКОПОНЕНТОВ

2.1. Общие положения

2.2. Матричное представление динамических параметров многополюсника

2.2.1Определение Y и Z матриц

2.2.2.Измерение матриц рассеяния в схемах с конечными активными нагрузками

2.3. Измерение Y – параметров многополюсника с учётом паразитных параметров измерительных цепей

2.3.1 Паразитные параметры измерительных схем

2.3.2.Первый метод определения Y- матриц с учётом паразитных параметров измерительных цепей

2.3.3.Второй определения Y- матриц при комплексном характере полюсных нагрузок и образцовых мер

2.3.4.Третий метод измерения – полное исключение влияния входной цепи измерительного прибора на результаты измерений

2.4. Калибровка измерительных цепей

2.4.1.Измерение динамических параметров двухполюсных элементов

2.4.2.Определение динамических параметров образцовых мер

2.4.3.Аттестация паразитных параметров контактно-соединительных цепей

2.4.4.Корректировка Y- матриц по данным аттестации контактно-соединительных цепей

2.5. Измерения в переменном базисе полюсных нагрузок

2.6. Выводы по главе

ГЛАВА3 ПЛАНИРОВАНИЕ АКТИВНОГОФАКТОРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА ФОРМИРОВАНИЯ МАКРОМОДЕЛЕЙ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

3.1.Традиционные подходы в области измерений ВАХ

3.2.Содержание планов активного факторного эксперимента

3.3.Алгоритм обработки матрицы

3.4. Алгоритм формирования макромоделей биполярных

транзисторов

3.5. Выводы по главе

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ РАДИОКОМПОНЕНТОВ

4.1 .Калибровка образцовых мер в СВЧ диапазоне

4.2.Определение рационального режима измерения двухполюсников в схемах с конечными нагрузками

4.3. Измерение вольт-амперных характеристик биполярного транзистора

4.4. Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ А Модуль расчёта оптимального режима вухполюсника в оболочке Mathcad

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Файл данных для МПЛ

ПРИЛОЖЕНИЕ В Файл данных для МПЛ

ПРИЛОЖЕНИЕ Г Файл результатов расчёта модели транзистора на основе ВАХ

ПРИЛОЖЕНИЕ Д Листинг программы для расчёта модели транзистора на основе ВАХ

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

А - акустоэлектронный компонент

АК - активный компонент

АФЭ - активный факторный эксперимент

АФФ - аналитическая факторная функция

БМ - библиотека моделей

БТ - биполярный транзистор

ВЧ - высокая частота

ВАХ - вольт-амперная характеристика

Г - гибридный компонент

Д - дискретный радиокомпонент

ДП - двухполюсник

ДФЭ - дробный факторный эксперимент

И - интегральный компонент

ИС - интегральная схема

КФУ - коэффициент факторного уравнения

ММ - математическая модель

МП - многополюсник

МПЛ - матрица планирования

ПК - пассивный компонент

ПФЭ - полный факторный эксперимент

ПФУ - постоянная факторного уравнения

Р - радиокомпонент с распределёнными параметрами

РК - радиокомпонент

РЭА - радиоэлектронная аппаратура

РЭС - радиоэлектронных систем

САПР - система автоматизированного проектирования

СВЧ - сверхвысокая частота - точка спектра плана

ТСП - табличная факторная функция

ТФФ ТЭФФ - табличное значение элементарной факторной функции

Ф - функциональный компонент

ФСМ - факторная статистическая модель

ФЭ - факторный эксперимент

Ц - цифровой компонент

ЦАМ - цифровая аналитическая макромодель

ЭБ - элементная база

ЭВМ - электронно-вычислительная машина

ЭС - электронная схема

ЭФФ - элементарная факторная функция

ВВЕДЕНИЕ

Алгоритмические методы широко используются для измерения и расчёта параметров математических моделей (ММ) радиокомпонентов (РК) в системах автоматизированного проектирования (САПР) электронных схем (ЭС). Это обусловлено тем, что на данный момент накоплено достаточное количество ММ РК, применяемых для проектирования ЭС с использованием современных электронно-вычислительных машин (ЭВМ) и программного обеспечения, например PSpice [1].

Алгоритмические методы применяются также для измерения параметров РК на производстве с целью проведения входного и выходного контроля, стабильности технологического процесса, проведения отбраковки радиокомпонентов по различным параметрам.

К этому следует добавить, что на территории России, стран СНГ и за рубежом налажено производство широкого ассортимента стандартных РК, что определяет значительную потребность в использовании таких методов измерения и снижении стоимости исследований в данной области.

Исследования поведения РК, а также попытки их описания с помощью формул, графиков и т.д., т.е. составление ММ РК, при изменении различных условий работы и внешних факторов появлялись с момента изобретения всё новых и новых РК. Данные исследования проводились в основном без использования ЭВМ, что увеличивало срок и стоимость разработок.

Появление алгоритмических методов измерения было обусловлено несколькими факторами:

1. Увеличением количества РК.

2. Усложнение проектируемых устройств.

3. Необходимостью снижения времени и стоимости разработок.

4. Появлением ЭВМ, удовлетворяющих требованиям разработчиков электронных схем.

Измерения параметров РК с использованием ЭВМ можно отнести к 60-70 годам XX века. Для этих целей использовались ЭВМ с довольно низкими параметрами и несовершенное программное обеспечение. Поэтому высокая стоимость и сложность работ не позволили наладить регулярное и комплексное исследование в данном направлении. Внедрение ЭВМ в цикл проектирования выдвинуло на передний план алгоритмические методы измерения параметров ММРК.

Системное исследование в этой области можно отнести к 70-80 годам XX века, т.е. к моменту "компьютерной революции". Комплексный характер работ в области моделирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) наиболее полно сформулировал Логан [2,3], который связал САПР РЭА с системным подходом, включающим в себя:

1. Разработку ММ.

2. Проверку адекватности ММ.

3. Описание разбросов параметров.

1. Влияние окружающей среды (температура, влажность, механические воздействия и т.д.).

1. Исследование надёжности и процессов старения.

На повышение точности измерений, уменьшение сроков и стоимости исследований, разработок наряду с применением ЭВМ большое влияние оказывает метод измерения. Поэтому выбор метода измерения имеет одно из основных значений.

Цель диссертационной работы заключается в:

1. Анализ разнообразия РК, применяемых САПР ЭС.

2. Формировании новых методов решения задачи измерения динамических параметров моделей РК.

3. Формировании модели биполярного транзистора на основе ВАХ с использованием планирования эксперимента и новых методов измерения.

Диссертационная работа направлена на повышение точности измерения, скорости, упрощения измерений с помощью ЭВМ за счёт использования наиболее эффективных методов измерения.

Предметами исследования являются:

1. Алгоритмические методы измерения параметров моделей РК.

2. Динамическая модель многополюсника на основе Y-матрицы.

3. Модель биполярного транзистора на основе ВАХ.

Исходя из всего вышеизложенного, научная проблема диссертационного исследования формулируется следующим образом.

Разработка алгоритмических методов измерения статических и динамических параметров моделей РК, формирование ММ РК.

Исследования направлены на:

1. Поиск путей повышения качества ММ РК и РА на основе анализа состояния вопросов теории и практики их проектирования, современных тенденций развития.

2. Развития теоретических положений по расчёту и проектированию ММ РК и РЭА

3. Разработку методов измерения и моделирования РК и РЭА на основе известных теоретических положений, нового метода расчёта, результатов натурных испытаний.

Научная новизна работы заключается в:

1. Создании новой классификации РК и моделей РК ориентированной на САПР ЭС.

2. Разработке новых методов измерения параметров моделей РК.

Практическая ценность работы заключается в следующем: 1. Использование предложенных методов позволяет сократить время моделирования РК при обеспечении заданной точности и реализовать интерактивный режим работы пользователя.

1. На производстве данный метод может быть применён с целью проведения входного и выходного контроля, контроля стабильности технологического процесса, проведения отбраковки радиокомпонентов по различным параметрам.

2. Применение разработанных методов повышает надёжность создаваемых РК.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ. Из них 8 статей в межвузовских сборниках научных трудов, 4 тезисов докладов на конференциях.

Разработанные методы измерения внедрены в учебный процесс на кафедре "Радиоэлектронных устройств и систем" Воронежского государственного технического университета, а также в производственный процесс на ОАО "Электросигнал" г. Воронеж.

ГЛАВА 1 содержит анализ элементной базы РЭС с точки зрения её применения в САПР ЭС, а также произведено деление РК на ДП и МП радиокомпоненты; анализ моделей РК с целью их классификации; выделен класс алгоритмических моделей; сформулированы требования к моделям; рассмотрены модели пассивных, активных РК, транзисторов, факторные модели; поставлены измерительные задачи.

ГЛАВА 2 является основной теоретической главой и содержит основные положения по разработанным методам измерения на основе базовой методики.

В ней отражён базовый метод измерения параметров ДП и МП на основе Y матриц, основанный на измерении матриц холостого хода, нагруженного режима и вектора калибровочных напряжений. Указаны достоинства и недостатки при измерении данным способом.

Описаны идеальный метод измерения при использовании чисто активных нагрузок, учитывающий систематические погрешности.

Метод измерения при использовании одного векторного вольтметра.

Метод измерения при использовании нескольких векторных вольтметров или одного векторного вольтметра с несколькими измерительными входами.

Описаны достоинства и недостатки данных методов для различных условиях измерительного процесса.

ГЛАВА 3 содержит сравнительный анализ различных планов экспериментов, теоретические положения по формированию модели биполярного транзистора на основе ВАХ, алгоритмы обработки МПЛ.

ГЛАВА 4 является исследовательской, практической главой. В ней

содержатся результаты исследований и практических измерений. Проведено исследование возможности применения стандартной образцовой меры в виде

резистора поверхностного монтажа при измерениях по методикам описанным в ГЛАВЕ 2, исследование по определению рационального режима измерения двухполюсников, а также произведена разработка программы для проведения измерений по методике описанной в ГЛАВЕ 3 и её практическая апробация.

ГЛАВА 1. ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЗАДАЧИ ПРИ ОПРЕДЕЛЕНИИ МОДЕЛЕЙ РАДИОКОМПОНЕНТОВ

1.1. Структура элементной базы радиоэлектронных схем

Элементную базу (ЭБ) радиоэлектронных систем (РЭС) составляет множество различных радиокомпонентов (РК), на основе которых производится проектирование РЭС. В самом общем случае ЭБ РЭС может быть представлена структурной схемой, показанной на рис. 1.1.

Рис. 1.1. - Структурная схема ЭБ РЭС

Согласно схемы рис. 1.1 ЭБ РЭС может быть подразделена на двухполюсные (ДП) и многополюсные (МП) РК, которые в свою очередь могут быть представлены пассивными (ПК) и активными (АК) РК. Под ПК будем понимать РК, в процессе функционирования которых не происходит увеличение уровня мощности сигнала поступающего на РК за счёт дополнительных источников энергии. Остальные РК будем считать активными.

АК и ПК предлагается разделить на следующие крупные классы: 1. Дискретные (Д), отличающиеся законченностью конструкции и готовностью к непосредственному применению в сложных РЭС.

1. Компоненты с распределёнными параметрами (Р), принцип действия которых основан на использовании волновых процессов в электромагнитных и акустоэлектронных устройствах.

2. Акустоэлектронные (А), работающих на основе акустоэлектронных явлениях в твёрдом теле.

3. Функциональные (Ф), предназначенные для глубокой обработки электрических сигналов.

4. Интегральные (И), полученные по интегральным технологиям.

5. Гибридные (Г), полученные по смешанным технологиям.

6. Цифровые (Ц), предназначенные для цифровой обработки сигналов.

Структурная схема рис. 1.1, по существу, отвечает классификации ЭБ РЭС, ориентированной на применение РК в САПР.