Шпаргалка (Шпаргалки)
Описание файла
Файл "Шпаргалка" внутри архива находится в папке "shpora". Документ из архива "Шпаргалки", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "материалы и элементы электронной техники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "материалы и элементы электронный техники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Шпаргалка"
Текст из документа "Шпаргалка"
1
Индуцированный дипольный момент Ро, измеряемый в Кл*м, каждого микрообъема диэлектрика пропорционален напряженности электрического поля E', действующего на этот микрообъем (локальное поле):
Ро = α Е', (2.1)
где α — коэффициент пропорциональности (поляризуемости) данного микрообъема (данной частицы
Поляризуемость α — важнейший микроскопический электрическийий параметр диэлектрика. У изотропных диэлектриков α является скалярной величиной. Размерность α в СИ представлена следующим
α = Кл*м / (В/м) = Кл/В м2 = Ф м2 (2.2)
n
поляризованность Р, P = ∑ Ро =n Ро =nαE'. (2.5)
i=1
В СИ формула (2.5) имеет вид Р = εоnαЕ'. Поляризованность Р идентична электрическому дипольному моменту, приходящемуся на 1 м2 диэлектрика (Кл м/м3 = Кл/м2). По своему значению Р совпадает с поверхностной плотностью связанных зарядов σ, Кл/м2 (Р = σ),
Р = (ε-1) εо Е. (2.6)
D (r) = Е (r) + 4πР (r). (27.3)
Отсюда следует, что (в отсутствие свободных зарядов) макроскопическое электрическое
поле должно удовлетворять уравнению
. E(r) = 4π Р (r). (27.4)
где величина Р обычно представляет собой плавно меняющуюся функцию координат
в диэлектрике.
Для плоского конденсатора электрическая емкость С, Ф, выражается формулой
С = εεоS/h, (2.15)
где S — площадь измерительного электрода, м2; h — толщина диэлектрика, м.
Из формулы (2.15) видно, что чем больше величина ε используемого диэлектрика, тем больше электрическая емкость конденсатора при тех же габаритах.
Для диэлектриков с потерями можно также использовать комплексную диэлектрическую проницаемость ε, которая выражается формулой
ε = ε'-jε", (2.20)
где ε' и ε" — действительная и мнимая части комплексной диэлектрической проницаемости ε; j — коэффициент, обозначающий мнимую компоненту (j = √-l). Мнимая часть представляет собой коэффициент потерь ε" (ε" = ε'tgδ, где tgδ — тангенс угла диэлектрических потерь.
уравнение Клаузиуса—Мосотти:
(ε-1)/(ε+2) = (1/3εо) nα
Уравнение (2.25) наиболее строго выполняется для неполярных жидкостей и особенно неполярных газов, у которых молекулы удалны Друг от друга на сравнительно большие расстояния
.
Для полярных диэлектриков Дебай в уравнение Клаузиуса—Мосотти к деформационной поляризуемости αдеф ввел дипольнорелаксационную поляризуемость αдр ( αдр = μ2 /(ЗkT ), Уравнение диэлектрической поляризации Клаузиуса—Мосотти с поправкой Дебая приобретает вид:
(ε-1)/(ε+2) = (1/3εо)(αдеф + μ2/3kT) (2.26)
где μ — постоянный дипольный момент полярной молекулы (μ = q L — суммарный положительный или численно ему равный суммарный отрицательный заряд молекулы, L — расстояние между центрами положительных и отрицательных зарядов); k — постоянная Больцма. на; Т — температура, К.
Существуют и другие уравнения диэлектрической поляризации (например, Онзагера, Кирквуда), которые более строго учитывают действие электрического поля на молекулы полярных и сильнополярных жидких диэлектриков. Все эти уравнения, так же как (2.25) и (2.26), в итоге устанавливают зависимость диэлектрической проницаемости ε диэлектрика от концентрации n молекул в единице объема и поляризуемости а каждой молекулы:
εо = φ(n, α). (2.27)
Для молекулярных твердых и жидких диэлектриков решающее влияние на величину е оказывает поляризуемость а молекулы. Значения n и а, в свою очередь, зависят как от самого диэлектрика (химического состава, строения, типа дефектов и т.п.), так и внешнего электрического воздействия (температуры, частоты напряжения и др.).
… поляризацию, можно объединить в две группы: упруго (сильно) связанные и слабо связанные.
Электронная поляризация заключается в упругом смещении (деформации) электронных оболочек атомов (ионов) относительно
Ионная поляризация наблюдается в кристаллических и аморфных телах ионного строения (в кварце, слюде, асбесте, стекле и т.п.) и заключается в смещении упруго связанных ионов под действием приложенного поля на расстояния, меньшие постоянной решетки, Ионная поляризуемость αи не зависит от частоты приложенного напряжения,
Рис. 2.7. Зависимость ионной Рис. 2.8. Схематическое изображение
αи (2) и ионно-релаксационной ионно-релаксационной поляризации на
αиp ( 1 ) поляризуемости от примере CsCl:
тем-ературы (схематически) 1 — подрешетка ионов цезия Cs+
2 — подрешетка ионов хлора Сl-
Ионную поляризацию можно рассматривать как частный случай атомной поляризации.
Релаксационными видами поляризации являются: ионно-релаксационная, дипольно-релаксационная, миграционная, электронно-релаксационная, самопроизвольная (спонтанная) и резонансная. Они протекают замедленно и с поглощением энергии приложенного поля, обусловливая тем самым диэлектрические потери (см. гл. 4.1).
Ионно-релаксационная поляризация имеет место в неорганических стеклах и в ионных кристаллах с неплотной упаковкой решетки ионами (в электротехнической керамике, асбесте, мраморе и т.п.). Этот вид поляризации заключается в некотором упорядочении, вносимом электрическим полем в хаотический тепловой переброс слабо связанных ионов.
Дипольно-релаксационная поляризация наблюдается только в диэлектриках молекулярного строения (газообразных, жидких и твердых) полярных, т.е. в таких диэлектриках, молекулы которых в отсутствие внешнего поля имеют постоянный дипольный момент μ (например, в полихлордифениле, канифоли, ПВХ и т.п.). Соответствующая поляризуемость α др описывается формулой α др = μ2 / 3kT).
Дипольно-релаксационная поляризация заключается в том, что под действием внешнего электрического поля становится более упорядоченным положение полярных молекул (диполей), непрерывно совершающих хаотическое тепловое движение (рис. 2.9). Этот вид поляризации зависит от температуры и частоты приложенного напряжения. С повышением температуры в результате ослабления молекулярных связей увеличивается ориентация диполей в нанавлении электрического поля, поэтому дипольно-релаксационная поляризуемость α др возрастает (рис. 2.10, участок 1-2). Однако с повышением температуры возрастает и энергия хаотического теплового движения диполей, и выше некоторой температуры Тм дезориентирующее действие теплового движения начинает преобладать над ориентирующим действием электрического поля. Поэтому при дальнейшем нагревании (при Т> Тм) дипольно-релаксационная поляризуемость αдр уменьшается (участок 2-3). Таким образом, при нагревании αдр возрастает, проходит через температурный максимум и далее понижается.
Положение температурного максимума дипольно-релаксационной поляризуемости α др с увеличением частоты напряжения смещается в область более высоких температур (возрастает Тм).
Рис. 2.9. Схематическое изображение Рис. 2.10. Зависимость дипольно-релак-дипольно-релаксационной поляризации сационной поляризуемости αдр от тем
пературы Т
Продолжительность установления дипольно-релаксационной поляризации называется временем релаксации т диэлектрика и определяется из формулы
τ = τо exp(Wp / kT) (2.28)
где τо — период теплового колебания молекулы; Wp — энергия активации процесса релаксации
смещение оболочки от ее равновесного положения описывается функцией
r= Re(rоeхр(─iωt )), (27.37)
то из уравнения движения оболочки
Z m r// = ─ K r ─ Z e E локZ (производная по t ) (27.38)
В ионных кристаллах …. Если ионы недеформируемы, дипольный момент примитивной ячейки есть
р = ew, w = u+ — u─, (27.46)
Справедливо уравнение
ε (ω ) = ε∞ + (ε∞ ─ εo) / [ (ω2 / ωT 2─1 ] (27.57)
Эта зависимость представлена на фиг. 27.5. Заметим, что между ωT и ωL проницаемость ε отрицательна, следовательно,
Фиг. 27.5. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
Поскольку колебания решетки в какой-то мере ангармоничны (а следовательно, затухают), величина ε имеет также мнимую составляющую.
Это приводит к уширению резонансной линии, соответствующей остаточным лучам.
Поэтому при расчете диэлектрических свойств ковалентных кристаллов необходимо рассматривать поляризуемость кристалла как единого целого, прибегая для этого с самого начала к зонной теории или пользуясь феноменологическим подходом, основанным на представлении о «поляризуемости связей ».
Диэлектрические потери электроизоляционных материалов и конструкций часто характеризуют тангенсом угла диэлектрических потерь tgδ, где δ— угол, дополняющий до 90° угол сдвига фаз между током и напряжением (угол φ) в емкостной цепи (рис. 4.1):
δ= 90°-φ. (4.1)
tgδ = Ia/Ic = U/ RUωCp = 1/ωRCp (4.4)
P = U2ωC tgδ
ε = ε ' —jε ".
в установках высокого напряжения, в высокочастотной аппаратуре и особенно в высоковольтных, высокочастотных устройствах, поскольку значение диэлектрических потерь пропорционально квадрату приложенного к диэлектрику напряжения и частоте.
Фиг. 27.7. а - действительная (сплошная кривая) и мнимая (штриховая кривая) части диэлектрической проницаемости сульфида цинка б - действительная (сплошная кривая) и мнимая (штриховая кривая) части диэлектрической проницаемости хлорида калия
Полихлордифенил, канифоль и подобные диэлектрики наряду c электронной поляризацией обладают и дипольно-релаксационной. Поэтому у этих диэлектриков диэлектрическая проницаемость имеет
Рис. 2.13. Зависимость диэлектрической проницаемости ε полярного жидкого
диэлектрика — полихлордифенила (совола) от частоты f (а) и температуры Т (б):
а — температура измерения 20 С; б — частота измерения: f1 = 102 , f2 = 103 , f3 = 104 , f4 = 105 Гц,
составляющие ε:1 —α(T); 2 — αэ(Т); 3 — n(Т)
Рис. 2.14. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости ε диэлектрика с плотной упаковкой решетки — корунда (а) и с неплотной упаковкой решетки — электротехнического фарфора (б). Составляющие ε : 1—αэ(Т); 2 — αи(Т); 3 — n(Т); 4 — α ир(Т)
У некоторых диэлектриков (титаносодержащая керамика) ТКε отрицательный, поэтому при нагревании ε у них уменьшается.
Виды диэлектрических потерь
1) потери на электропроводность; 2) релаксационные потери; 3) ионизационные потери; 4) резонансные потери
г)
Рис. 6.16. Особенности релаксационных потерь в диэлектриках