Билет №17 (Ответы на экзамен 2)
Описание файла
Файл "Билет №17" внутри архива находится в папке "otvety_v2". Документ из архива "Ответы на экзамен 2", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "материалы и элементы электронной техники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "материалы и элементы электронный техники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Билет №17"
Текст из документа "Билет №17"
5
Билет №17
Формирование тугоплавких материалов и изделий в подавляющем большинстве случаев является результатом высокотемпературной обработки сырьевых смесей, сопровождающейся протеканием сложных физико-химических процессов. К подобным процессам, в частности, относятся: реакции разложения (в том числе диссоциация и дегидратация), химическое взаимодействие компонентов, плавление и кристаллизация, полиморфные превращения, образование и распад твердых растворов, восстановление
и окисление, укрупнение кристаллов (рекристаллизация), спекание, переход из аморфного состояния в кристаллическое (в частности, расстекловывание) и т.д. ,
Ниже приводится краткая характеристика некоторых из этих процессов, имеющих наиболее важное значение для технологии керамических других тугоплавких материалов.
Глава 1. ДИССОЦИАЦИЯ
В общем случае под диссоциацией понимается химический процесс распада молекул, радикалов, сложных ионов на несколько частиц, имеющих меньшую молекулярную массу.
К подобным реакциям, в частности, относится диссоциация конденсированных фаз (твердых, жидких), один из продуктов разложения которых является газообразным. Такие теоретически равновесные реакции диссоциации, при которых один продукт является газообразным, практически протекают лишь в одном направлении, поскольку газовая фаза удаляется из сферы реакции.
Большое влияние на процесс термической диссоциации, и в частности на температуру разложения, оказывают примеси, содержащиеся в материале. Вступая в химическое взаимодействие в твердом состоянии с основным материалом или образуя с ним твердые растворы, примеси могут существенно понижать температуру диссоциации и интенсифицировать этот процесс (образование стабильных твердых растворов может приводить и к повышению температуры диссоциации кристаллических веществ).
Механизм диссоциации зерен твердой фазы можно рассмотреть на примере зерна карбоната кальция — кальцита (рис. 59). Диссоциация СаСО3 при подводе тепла начинается с распада в решетке кальцита иона СО32- в результате чего образуются ионы
Са 2+ , О 2-, и молекулы СО2 :
СаСО3 = Са2+ + О 2- + СО2
Отдельно взятое зерно одного из исходных веществ при производстве керамики
Рис. 59. Схема диссоциации зерна СаСО3:
1 — подвод тепла;
2 — передача тепла через слой СаО;
3 — химическая реакция на поверхности СaСО3 (тепло расходуется
на разложение СаСО3 , СО3 2- СаО(ТВерд) *СаО);
4 — диффузия СО2 через слой СаО
Ионы О2-не удаляются из решетки, поскольку их диффузия внутри твердого тела происходит очень медленно и они энергично взаимодействуют с Са2+ , образуя СаО. Оксид кальция выделяется сначала не в виде самостоятельной фазы, а образует твердый раствор в СаСО3. После образования насыщенного, а затем и пересыщенноготвердого раствора возникают зародыши СаО, которые начинают расти , образуя новую фазу. Молекулы СО2 вначале адсорбируются твердой фазой, образуя комплексы СаОтв • СО2 . В дальнейшем молекулы СО2 сравнительно легко десорбируются, диффундируют в межзеренное пространство и удаляются из твердой фазы. Следует отметить,что с появлением границы раздела твердых фаз (СaСO3 и СаО) скорость диссоциации возрастает, поскольку процесс распада ионов СО32-на указанной границе облегчается. Скорость процесса диссоциации CaCO3 вначале определяется скоростью образования зародышейновой фазы — СаО, а затем скоростью диффузии ионов Сa2+ и О2- к зародышу, обеспечивающей рост зародыша и образование кристаллов СаО.
При наличии в структуре солей нескольких катионов механизм диссоциации усложняется, поскольку в этом случае требуется значительно более сложное перераспределение ионов. Это видно на примере двойного карбоната кальция и магния CaMg(CO3 )2 (доломита).
ДЕГИДРАТАЦИЯ
Многие минералы, используемые в технологии силикатов, содержат связанную воду. В зависимости от ее вида и расположения в структуре различают конституционную, кристаллизационную и адсорбционную воду.
Конституционная вода входит в структуру соединений в виде аниона ОН- (гораздо реже в виде ионов оксония — Н3О-), являющихся структурной единицей кристаллической решетки. Соединения содержащие конституционную воду, относятся к классу гидроксидов.
Удаление подобной воды, которая, строго говоря, образуется только в процессе ее удаления, сопровождается полным разрушением структуры соединения и образованием безводного соединения с другой структурой.
Кристаллизационная вода входит в состав минералов в виде молекул Н2О. Соединения, содержащие молекулярную воду (гидраты), могут иметь постоянный или переменный состав. К гидратам постоянного состава относятся так называемые кристаллогидраты — соединения, в которых молекулярная вода входит в состав кристаллической решетки, занимая в ней определенные кристаллографические положения. Удаление такой воды, так же как и конституционной, сопровождается полным разрушением структуры с образованием соединения с новой структурой. В гидратах переменного состава молекулярная вода не входит в качестве структурной единицы в кристаллическую решетку (хотя последняя может формироваться только в присутствии воды), а располагается в междоузлиях, пустотах или каналах структуры. Такие гидраты можно условно рассматривать как твердые растворы внедрения, равновесное содержание воды в которых определяется температурой и давлением паров воды в окружающей среде. Удаление подобной воды не сопровождается разрушением структуры соединения, которая остается одинаковой как для гидрата, так и для соответствующего безводного соединения, причем последнее может также без изменения структуры обратно поглощать воду, переходя в гидрат. Такая вода характерна для одного из классов алюмосиликатных соединений, называемых цеолитами, и поэтому называется иногда цеолитной водой. Она присутствует также в некоторых глинистых минералах, полуводном гипсе и других соединениях.
Под дегидратацией в общем случае понимается процесс удаления из минералов связанной воды, происходящий под воздействием каких-либо внешних факторов. К таким факторам относятся прежде всего нагревание, а также понижение упругости паров воды в окружающем пространстве, поглощение воды другим соединением, активно связывающим воду. Термин дегидратация обычно относится к удалению конституционной и кристаллизационной воды, удаление адсорбционной воды обычно называют обезвоживанием. Поведение веществ при дегидратации может быть весьма различным. Потеря конституционной воды представляет собой типичную реакцию диссоциации, при которой вещество начинает терять воду при достижении определенной температуры, когда давление диссоциации достигнет внешнего давления. В результате диссоциации образуются пар и новая твердая фаза. Так же как и при термической диссоциации безводных солей, давление диссоциации с потерей конституционной воды сильно зависит от температуры.
РЕАКЦИИ ВЕЩЕСТВ В ТВЕРДОМ СОСТОЯНИИ (ТВЕРДОФАЗОВЫЕ РЕАКЦИИ)
Под твердофазовыми реакциями понимают реакции, протекающие за счет непосредственного взаимодействия между частицами твердых веществ без участия жидкой или газовой фазы.
Учение о реакциях в твердом состоянии имеет большое значение для химии и технологии керамических и других тугоплавких материалов, поскольку в процессе их производства при высокотемпературной обработке исходных сырьевых смесей_и сформованных из них изделий взаимодействие составляющих их компонентов начинается именно с твердофазовых реакций.
В общем виде схему твердофазовой реакции можно представить следующим образом. При некоторой температуре, характерной для каждого из реагирующих веществ (например, А и В), на поверхности их контакта амплитуда колебаний атомов в решетке оказывается достаточной для того, чтобы начался процесс обмена местами между отдельными атомами реагирующих веществ, в результате чего начинается химическая реакция, приводящая к образованию продукта реакции — вещества АВ.
Важно подчеркнуть, что после образования на поверхности контакта слоя вещества АВ дальнейшее протекание реакции будет возможным только при наличии диффузии вещества А через слой продукта реакции АВ к веществу В и (или) наоборот — диффузии вещества В через слой АВ к веществу А.
Р ис. 61. Схема твердофазовой реакции:
а — система контактирующих веществ А и В до начала реакции;
б — образование слоя продукта реакции АВ
в — система после завершения реакции
а б в
Из приведенной схемы твердофазовой реакции следует, что ее скорость может лимитироваться двумя факторами: скоростью химического взаимодействия компонентов и скоростью процесса диффузии. В силикатных и ряде других систем скорость взаимодействия между твердыми фазами на самых ранних стадиях процесса может определяться скоростью химической реакции. Сразу же после образования слоя продукта реакции ее скорость начинает лимитироваться скоростью процесса диффузии, поскольку в большинстве случаев скорость химического взаимодействия превышает скорость диффузии. Поэтому именно процесс диффузии оказывает решающее влияние на ход большинства твердофазовых реакций.
В реальных условиях твердофазовые реакции обычно протекают в порошкообразных смесях. При этом одно из реагирующих веществ называют покрывающим, а другое — покрываемым компонентом. Покрывающий компонент, как правило, обладает большим коэффициентом диффузии (обычно, но не всегда он имеет более низкую температуру плавления). При реакции частицы покрывающего компонента как бы обволакивают, покрывают зерна покрываемого компонента.
3.1. Диффузионные процессы при твердофазовых реакциях
Основным условием протекания твердофазовой реакции является наличие массообмена между реагирующими твердыми веществами. Перенос вещества при массообмене осуществляется за счет диффузии. Диффузия представляет собой перемещение частиц вещества в результате хаотического движения его частиц, обладающих определенной кинетической энергией, или направленного их движения, обусловленного наличием градиента концентраций или разности химических потенциалов. Диффузия всегда идет в сторону меньшей концентрации или большего химического потенциала.
Количество вещества, диффундирующего в направлении, перпендикулярном какой-то плоскости в образце, определяется первым законом Фика: dG = -D (dc/dx) dSdτ
где G — количество переносимого вещества, моли;
dc/dx — градиент концентраций диффундирующего вещества в диффузионном слое (с — концентрация, моль/см3);
х — расстояние в направлении диффузии, см ;
S — площадь, см2;
τ — время, с;
D — коэффициент диффузии в диффузионном слое, см2/с.
Обозначив dG/(dSdτ) через I, получаем I = - D dc/dx
т.е. количество вещества, диффундирующего за единицу времени через единицу площади, перпендикулярной направлению диффузии, пропорционально градиенту концентраций.
В зависимости.от вида диффундирующих частиц различают самодиффузию и гетеродиффузию. В первом случае в решетке данного вещества диффундируют собственные, а во втором случае — чужие атомы. В одной и той же решетке энергия активации самодиффузии обычно выше, чем энергия активации гетеродиффузии.
В зависимости от пути перемещения диффундирующих частиц различают объемную диффузию (в глубине решетки), диффузию по «внутренним» поверхностям (вдоль граней кристаллов, входящих в состав зерна) и поверхностную диффузию (по внешней поверхности зерен).
Механизм диффузии в твердых телах. В свое время полагали, что при диффузии происходит попарный обмен местами между находящимися в соседних узлах решетки ионами, вызванный усилением их колебательных движений при повышении температуры. Однако в настоящее время показано, что подобный механизм диффузии в ионных кристаллах маловероятен, поскольку его реализация связана со слишком большой энергией активации.
В настоящее время считают, что движение ионов в решетке может происходить в основном по следующим механизмам (рис. 62):
1. Перемещение иона из узла решетки (регулярное положение) в