Отзыв Васильев (Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии)
Описание файла
Файл "Отзыв Васильев" внутри архива находится в следующих папках: Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии, Отзыв. Документ из архива "Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "дипломы и вкр" из 12 семестр (4 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диплом" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Отзыв Васильев"
Текст из документа "Отзыв Васильев"
Отзыв
На дипломную работу студента гр. ЭМ-1-02 МИРЭА
Ефименкова Ю.Р.
На тему «Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN с затвором, сформированным с помощью электронной литографии»
Целью настоящей дипломной работы являлась отработка технологического процесса создания транзистора на GaN с затвором, сформированным методом электронной литографии, с шириной затвора 500 мкм. Актуальность выбранной темы очевидна, так как приборы на таких широкозонных структурах являются п/п приборами нового поколения, которые превосходят приборы на кремнии и арсениде галлия не только по удельной плотности мощности Рвых/мм, но и по возможности работы в экстремальных условиях.
В процессе выполнения работы дипломант проявил себя грамотным инженером, способным к самостоятельному решению поставленных перед ним задач.
В ходе работы был проведён анализ литературных источников по изготовлению транзисторов на основе GaN, анализ литературы по оптимальному проведению процесса формирования затвора методом ЭЛ. Дипломант ознакомился с особенностями работы установки электронно-лучевого экспонирования типа «ZBA-20». Был выбран совмещенный метод изготовления приборов, когда электронно-лучевая литография изготавливает только затвор, имеющий субмикронные размеры. Остальные элементы структуры изготавливались контактной литографией. В фотошаблоне были заложены маркерные знаки совмещения затвора. С участием дипломанта изготовлены и исследованы несколько образцов транзисторов. Анализ полученных дипломантом результатов позволил сделать вывод, что в данных условиях оптимальной является система металлизации Ti-Al-Pt, Ti-Au, Ni-Au, и данная система используется в изготовлении приборов.
К некоторым недостаткам можно отнести нечеткое определение области использования дорогостоящего оборудования электронно-лучевой литографии.
Несмотря на отмеченные недостатки выполненная работа заслуживает отличной оценки, а дипломант Ефименков Ю.Р. присвоения ему квалификации инженер электронной техники.
Кроме того, затрагиваемая в работе проблема заслуживает продолжения работы в этой области и дипломант может быть рекомендован для поступления в аспирантуру.
Руководитель дипломного проекта | |
профессор | /А.Г.Васильев |