КТ375А (Курсовая работа на тему Транзистор КТ375А)
Описание файла
Файл "КТ375А" внутри архива находится в папке "Курсовая работа на тему Транзистор КТ375А". Документ из архива "Курсовая работа на тему Транзистор КТ375А", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 10 семестр (2 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "схемотехника аналоговых электронных устройств (саэу)" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "КТ375А"
Текст из документа "КТ375А"
Министерство образования Российский Федерации
Московский государственный институт Радиотехники,
электроники и автоматики.
КУРСОВАЯ РАБОТА
по
СХЕМОТЕХНИКЕ
Исполнитель:
Студент группы
ВРУ – 3-05
Руководитель:
Теряев Б.Г.
Москва 2008
Задание.
Задан транзистор КТ375А. Выбрать рабочую точку на вольтамперной характеристике и определить для нее комплексные Y – параметры транзистора.
Теоретическая часть.
Для определения параметров биполярного транзистора используются различные малосигнальные эквивалентные схемы замещения, представляющие транзистор в виде активного четырехполюсника. Будем рассматривать одну из таких схем, предложенную Джаколетто:
Схема представляет собой активный четырехполюсник, приближенно описывающий свойства биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Для данной схемы считается, что амплитуда воздействующего тока изменяется незначительно, а частота может изменяться в пределах от 0 до fT; fT – частота, на которой коэффициент передачи тока, описываемого транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, равен единице. Усилительные свойства транзистора имитируются генератором тока S0U1. Элементами схемы также являются:
rб - объемное дифференциальное сопротивление базы;
rэб - дифференциальное сопротивление открытого эмиттерного перехода;
Cэб – емкость этого перехода;
rкб - дифференциальное сопротивление смещенного в обратном направлении коллекторного перехода;
Cкб – емкость этого перехода;
gэк – проводимость подложки.
Численные значения параметров этих элементов зависят от положения исходной рабочей точки. При работе транзистора в активном режиме выполняется соотношение:
Данный четырехполюсник можно описать матричным уравнением:
Элементы Y – матрицы определяются выражениями:
g11, g12 ,g21, g22 – низкочастотные g-параметры.
- постоянная времени, входной цепи транзистора.
Расчетная часть.
Крутизна транзистора:
Статический коэффициент передачи тока:
Низкочастотные g-параметры:
Коэффициент деления резистивного делителя, состоящего из сопротивления rб и резистивной проводимости gбэ внутреннего перехода база – эмиттер:
UT – температурный потенциал,
Из этой формулы выразим объемное сопротивление базы rб через известные параметры:
Найдем частоту единичного усиления:
|h21э| - модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте измерения fизм.
|h21э| = 2,5 fизм = 50 МГц (справочные данные).
f1 = |h21э|* fизм = 2,5 * 50 = 125 МГц
Постоянную времени входной цепи найдем по формуле:
Рассчитаем емкость коллекторного перехода для выбранной рабочей точки:
Запишем комплексные Y-параметры в функциях угловой частоты:
Вторичные параметры:
Заключение.
Эквивалентные схемы замещения приборов являются базисом для построения математических моделей, используемых в компьютеризированных системах автоматического проектирования электронных схем. На данный момент разработаны различные математические модели, используемые в компьютерных программах схемотехнического моделирования. В то же время, ни одна модель не может достоверно описывать свойства электронного прибора в широком диапазоне воздействующих токов, напряжений и температур. Поэтому, глубокое понимание принципов работы электронных приборов необходимо для правильного выбора конкретной программы моделирования при разработке определенных видов электронных схем, а также интуитивного анализа достоверности результатов работы схемы, моделируемой при помощи компьютера.
Литература.
-
Б.Г. Теряев «Схемотехника аналоговых электронных устройств», Учебное пособие, Москва, 2005 г.
-
К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др.; Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, «Транзисторы для аппаратуры широкого применения»: справочник, 1982.
Приложение 1.