Условия домашнего задания
Описание файла
Документ из архива "Условия домашнего задания", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Условия домашнего задания"
Текст из документа "Условия домашнего задания"
ДЗ по курсу «Элионные технологии»
Вариант №1
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=3 мкм и b=60 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №2
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из Ti с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 50 пластин/час.
Вариант №3
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=4 мкм и b=50 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 40 пластин/час.
Вариант №4
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Cu с топологическими размерами a=2,5 мкм и b=75 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 100 пластин/час.
Вариант №5
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=3 мкм и b=80 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №6
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из Pt с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 50 пластин/час.
Вариант №7
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,4 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=4 мкм и b=100 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,04 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №8
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Sn с топологическими размерами a=2 мкм и b=100 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №9
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Au с топологическими размерами a=3 мкм и b=60 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,02 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №10
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из W с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,02 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 120 пластин/час.
Вариант №11
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=2 мкм и b=40 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №12
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,05 Ом, выполненной из Cu с топологическими размерами a=0,5 мкм и b=50 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №13
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Mo с топологическими размерами a=3,5 мкм и b=80 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №14
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,1 Ом, выполненной из Pt с топологическими размерами a=3,5 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №15
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,4 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=4 мкм и b=40 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,04 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №16
Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Bi с топологическими размерами a=2 мкм и b=20 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 75 пластин/час.
Вариант №17
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,7.10-3 ± 2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=2,5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 30 пластин/час.
Вариант №18
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 1,7.10-3 ± 1.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №19
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 7.10-3 ± 2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=4,5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 90 пластин/час.
Вариант №20
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 5.10-3 ±2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 120 пластин/час.
Вариант №21
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5.10-3 ± 2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=2,5.10-5 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №22
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 3,7.10-3 ± 1.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5.10-5 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №23
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,7.10-3 ± 2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=4,5.10-5 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №24
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5.10-3 ±1.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=2.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 100 пластин/час.
Вариант №25
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5.10-3 ± 2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 200 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 60 пластин/час.
Вариант №26
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 1,5.10-3 ± 1.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=3.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 80 пластин/час.
Вариант №27
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 5.10-3 ± 1.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO2, с площадью металлических обкладок S=4,5.10-5 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 90 пластин/час.
Вариант №28
Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5.10-3 ±2.10-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=7,5.10-6 см2. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Qт= 100 пластин/час.
Вариант №29