1.1.1.3.4 Определение выходного сопротивления усилителя (Материалы по всему курсу схемотехники (необработанное))
Описание файла
Файл "1.1.1.3.4 Определение выходного сопротивления усилителя" внутри архива находится в папке "1 Цепи непрерывного действия". Документ из архива "Материалы по всему курсу схемотехники (необработанное)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "микроэлектроника и схемотехника (мис)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "электронные цепи и микросхемотехника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "1.1.1.3.4 Определение выходного сопротивления усилителя"
Текст из документа "1.1.1.3.4 Определение выходного сопротивления усилителя"
Определение выходного сопротивления.
Для определения выходного сопротивления повторителя, воспользуемся методикой, изложенной в разделе 3.2. модель каскада приведена на Рис. 3.17. С учетом того, что RВн<<RВх, замыкание активного источника ЭДС произведем вместе с его внутренним сопротивлением.
Рис 3.17 – Модель эмиттерного повторителя для определения Rвых.
Для согласования модели с реальной схемой, предположим, что напряжение получило приращение как показано на Рис.3.17 ("+" – к эмиттеру, "-" – к общей шине). Под действием этого напряжения и источника ЭДС будут протекать токи и в направлениях, показанных на Рис. 3.17. Установим фактическое направление тока IК. Ток - течет с эмиттера в базу, тем самым открывает транзистор (транзистор p-n-p), следовательно, ток коллектора получает положительное приращение. Таким образом, направление тока коллектора в модели соответствует направлению реального тока, значит знак перед величиной источника IБh21Э/h22Э будет положительным..
Для тока коллектора можно записать следующее выражение:
, но т.к. получим, что , следовательно выходное сопротивление транзистора можно определить как:
так как , то получим . Для типовых значений этих параметров маломощных транзисторов получим RВых.Тр порядка десятков Ом.
Полное выходное сопротивление эмиттерного повторителя будет равно: