ЛР_2 (Лабораторные работы)
Описание файла
Документ из архива "Лабораторные работы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология полупроводниковых материалов" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "технология полупроводниковых материалов" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "ЛР_2"
Текст из документа "ЛР_2"
Лабораторная работа №2
По курсу:
«Технология материалов и изделий электронной техники»
«Метод оптической зонной плавки»
Выполнили
студенты группы
ЭЛ-15-05
Будкина Л.
Балдина А.
Хамин Р.
Принял: Арсеньев А.П.
2008
Для широкого поиска новых кристаллов необходимо развитие новых методов выращивания, которые в сильной степени определяются источниками нагрева. В этой связи важное развитие получили лучевые источники нагрева, позволяющие строго создавать ограниченный объем расплава, обеспечивая при этом высокую стабильность процесса. В данной лабораторной работе рассмотрим метод оптической зонной плавки.
Схема установки бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом.
1- эллептический отражатель ( d=600мм.); 2- ксенонавая лампа; 3- фланец;
4- кварцевая трубка; 5- проплавляемый стержень.
Поликристаллический слиток кремния цилиндрической формы крепится в вертикальном положении к двум соосным водоохлаждаемым штокам в герметичной камере. Штоки можно приводить во вращение с постоянной скоростью и перемещать на небольшие расстояния относительно друг друга внешним электроприводом. При помощи источника локализованного нагрева в нижней части слитка создается узкая зона расплава. Расплавленная зона удерживается силами поверхностного натяжения, действующими между расплавом и двумя твердыми поверхностями, до тех пор, пока вес расплава меньше сил поверхностного натяжения. При данном диаметре предельная длина зоны зависит от природы материала. Передвигая источник нагрева вдоль слитка, можно перемещать расплавленную зону по слитку и осуществлять таким образом направленную кристаллизацию. Монокристалл можно получать с первого прохода: в один из зажимов крепится монокристаллическая затравка, а в другой - поликристаллическая заготовка, и исходная расплавленная зона задается в месте их стыковки. Для того чтобы слиток получался правильной геометрической формы, необходимо при проведении процесса вращать штоки в противоположных направлениях с довольно большой скоростью (30-50 об/мин). После продвижения расплавленной зоны вдоль всего слитка можно, снизив мощность источника нагрева, переместить его в исходное положение и повторить процесс много раз. Такое многократное перемещение расплавленной зоны необходимо, чтобы очистить материал от примеси.
При зонной плавке используют такие виды нагрева, применение которых
не вносит загрязнений в обрабатываемый слиток: высокочастотный индукционный, электронно-лучевой и радиационный. За последние годы получил развитие лазерный нагрев, который в сочетании с бестигельными методами кристаллизации позволяет создать особо чистые условия в зоне кристаллизации.
В том случае, когда для выращивания требуется создание какой-либо атмосферы или вакуума, зона создается в прозрачной кварцевой трубе, имеющей уплотнения на концах. Для снижения температурных градиентов сразу же после зоны высоких температур устанавливается печь отжига. Конструкции печи могут быть разнообразными. В качестве нагревательных элементов могут быть взяты цилиндры из платины, иридия, дисилицида молибдена - в зависимости от требуемой температуры отжига.
Рассмотрим метод бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом.
Диаметр обрабатываемого слитка зависит от свойств материала. Так, для кремния, устойчивое многократное проведение процесса зонной плавки возможен при диаметре слитка, не превышающем 20 мм. Скорость прохода расплавленной зоны составляет около 2-3 мм/мин, а число проходов- порядка 20-30. поэтому производительность метода не велика.
Достоинства:
-
Этим методом можно выращивать монокристаллы высокотемпературных соединений в любой атмосфере, в вакууме и под давлением без загрязнения материала в процессе выращивания, быстро получать целые серии кристаллов, легированных различными примесями.
-
Отсутствие температурных ограничений, легкость стабилизации и автоматизации.
-
При проведении экспериментов по этому методу затраты сравнительно малы, что объясняется как небольшим количеством материала, так и отсутствием необходимости использовать дорогостоящие тигельные материалы (например, иридий или платина) для контейнера.
4) Главным преимуществом этого метода является возможность получение материалов очень высокой частоты.
Недостатки:
1) Трудность управление величиной температурного градиента, формы фронта кристаллизации и условиями затравления.
2) Ограниченность диаметра выращиваемых кристаллов, что связано с мощностью выпускаемых промышленностью газоразрядных ламп.