Дьюб Динеш С. Электроника - схемы и анализ (2008)
Описание файла
DJVU-файл из архива "Дьюб Динеш С. Электроника - схемы и анализ (2008)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла
ект ни ДИНЕШ С. ДЬЮБ Электроника: схемы и анализ Перевод с английского А.Х. Мухаметова ТЕХНОСФЕРА Москва 2008 Дьюб Динеш С. Электроника: схемы и анализ Москва: Техносфера, 2008. — 432 с. 1ЯВХ 978-5-94836-165-9 Книга посвящена разработке и анализу электронных приборов и схем, которые составляют неотъемлемую часть университетского курса физики. Освещены физические аспекты работы биполярных и полевых транзисторов, все схемы проанализированы с первооснов.
Глава о производстве интегральных схем выделяет эту книгу из ряда аналогичных изданий. Простота и основательность изложения, большое количество примеров, задач и иллюстраций делают ее незаменимым пособием для студентов технических вузов. © 2005 Ьу рагова РиЬ11зЬ1п8 Новас, Хетг Гуе1Ь1 — 110 002 АП г18Ьгз Еезегтед. © 2008, ЗАО «РИЦ «Техносфера», перевод на русский язык, оригинал-макет, оформление 1БВХ 978-5-94836-165-9 1БВХ 81-7319-687-7 (англ.) Содержание Предисловие Благодарности. 1О 1О Глава 1 Введение в полупроводники.
12 1.1. Энергетические зоны в твердых телах................................. 12 1.2. Энергетические зоны и перенос заряда в полупроводниках..... 14 Глава 2 р-и-переход . 39 39 40 1.3. Проводимость полупроводников. 1.4. Металлы, диэлектрики и полупроводники................. 1.5. Полупроводники с другой точки зрения ................... 1.6. Легированные полупроводники 1.7.
Расчет концентрации носителей в полупроводниках... 1.8. Уровень Ферми в полупроводниках 1.9. Заключение . Примеры Дополнительная литература по теме ..................... Вопросы Задачи Диффузионный ток и ток дрейфа. Образование р-и-перехода . Концентрация заряда и электрическое поле в обедненной области. 2.4.
р-п-переход с энергетической точки зрения: выражение для потециала перехода Ъв 2.5. р-п-переход при приложении внешнего напряжения................ 2.6. Вольт-амперная характеристика р-и-диода........................... 2.7. Емкость перехода.. 2.8. Пробой перехода. 2.9.
Заключение . Дополнительная литература по теме................................. Вопросы Задачи 18 19 21 23 29 30 33 34 36 37 37 46 48 53 55 57 62 64 64 64 Содержание Глава 3 Биполярный транзистор. Сущность биполярного транзистора ............................ „„„„ Транзистор без приложения внешних полей (несмещенный транзистор). Смещенный транзистор Токи транзистора с прямосмещенным эмиттерным переходом 3.1. 3.2.
69 71 3.3. 3.4. и обратносмещенным коллекторным переходом..................... 73 Конфигурации схем с общей базой (ОВ), общим эмиттером 3.5 (ОЭ) и общим коллектором (ОК) 80 3.6. Коэффициенты передачи по току о и р, их соотношение ........ 81 3.7. Суммарный ток коллектора в схеме с общим эмиттером ......., 83 84 85 92 3.11. Эквивалентная схема транзистора по переменному току......... 93 3.12. Производство транзисторов.. 96 3.13. Заключение .
98 ... 100 100 101 Глава 4 Проектирование и анализ схем на постоянном токе........ 103 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. при использовании 4.5. 4.6. ... 130 . 130 136 3.8. Внутренние факторы эффективности транзистора .. 3.9. Статические вольт-амперные характеристики ........ 3.10. Некоторые другие полезные параметры и явления ... Дополнительная литература по теме...
Вопросы . Задачи.. Нагрузочная линия и рабочая точка ........ Коэффициент стабильности Расчет схем смещения Смещение р-н-р-транзисторов (особенно одновременно с п-р п-транзисторами)...... Схема с общей базой Заключение . Дополнительная литература по теме ..... Вопросы Задачи,. Глава 5 Анализ усилителей малого сигнала на биполярных транзисторах с помощью г-параметров.....................
5.1. Основы усилителей малого сигнала.. 5.2. г-параметры .. ... 104 . 107 109 ... 122 124 ... 125 ... 126 . 126 . 126 ~~~6 Содержание ... 138 . 150 ... 155 ... 159 ... 160 ... 160 160 ... 161 Глава 6 Усилители малого сигнала и г-, у- и Ь-параметры.. ... 166 .. 166 .. 172 .. 173 .. 176 Анализ малосигнального усилителя при помощи Ь-параметров ...
177 Приблизительные соотношения для гибридной модели ........... 182 184 188 ... 189 189 189 Глава 7 Обратная связь в усилителях .. 193 Введение. Основное уравнение обратной связи Стабильность коэффициента усиления Снижение нелинейных искажений Расширение полосы пропускания Разновидности схем обратной связи Влияние отрицательной обратной связи на импедансы усили- теля ... 202 204 208 ...
209 209 210 7.8. 7.9. 5.3. 5.4. 5.5. 5.6. 5.7. 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. 6.7. 6.8. 7.1. 7.2. 7.3. 7.4. 7.5. Анализ усилителя с общим эмиттером ОЭ ........ Эмиттерный повторитель............................... Усилитель малого сигнала с общей базой (ОБ) .. Важные свойства усилителей с ОЭ, ОК и ОБ.... Заключение. Дополнительная литература по теме ............. Вопросы .
Задачи. Я- и 1'-параметры. Задание условий холостого хода и короткого замыкания на входе и выходе транзисторной схемы...................... Ь-параметры.. Гибридная модель биполярного транзистора ................ Ь-параметры усилителей с ОК и ОВ Заключение Дополнительная литература по теме... Вопросы Задачи Реализация схем с обратной связью . Заключение .. Дополнительная литература по теме... Вопросы . Задачи 193 195 196 197 199 200 Содержание ... 213 Глава 9 Полевые транзисторы. 237 ...
238 261 261 ... 267 10.3. Анализ малосигнальной модели полевого транзистора............ 268 ... 273 ... 274 10.6. МОП-кондеысатор 275 276 10.8. Схемы КМОП. 280 Глава 8 Производство интегральных схем... 8.1. Введение .. 8.2. Полупроводниковые материалы.. 8.3. Очистка материала 8.4. Плаыарная технология формироваыия ИС ................ 8.5. Иллюстрация процесса.
8.6. Формирование диодов, резисторов и конденсаторов . 8.7. Основные технологические процессы ...................... 8.8, Металлнзация. 8.9. Эпитаксиальный слой 8.10. Испытание и монтаж в корпус 8.11. Заключение Дополнительная литература по теме.................... Вопросы Задачи.. 9.1. Полевые транзисторы с р-п-переходом ................ 9.2. Полевые транзисторы структуры металл — окисел — полупроводник 1МОП) ................ 9.3. Симметрия МОП-транзисторов .. 9.4. Способы снижения порогового напряжения от.....
9.5. Сравнение полевых и биполярных транзисторов... 9.6. Заключение Дополнительная литература по теме ................ Вопросы Задачи.. Глава 10 Схемы на полевых транзисторах 10.1. Смещение полевых транзисторов. 10.2. Малосигнальные параметры полевых транзисторов ... 10.4.
Полевой транзистор как источник стабильного тока... 10.5. МОП-транзистор в качестве резистора ..................... 10.7. Схемы на полевых транзисторах с МОП-нагрузками .. 213 214 215 ... 219 219 ... 222 ... 225 231 232 233 234 ... 235 235 235 ... 245 256 ... 257 ... 257 258 ...
259 259 . 260 ( 8 Содержание 10.9. Заключение . Дополнительная литература по теме... Вопросы . Задачи. .. 284 ... 285 ... 285 ... 286 Глава 11 Усилители мощности ... 289 11.1. Введение. 11.2. Классификация усилителей мощности ........... 11.3. Усилители класса А 11.4. Двухтактные усилители класса В . 11.5. Усилители мощности на МОП-транзисторах .. 11.6. Заключение . Дополнительная литература по теме..........
Вопросы . Задачи. 289 ... 290 ... 291 303 ... 316 .. 317 ... 317 ... 317 319 Глава 12 Частотная характеристика, способы связи, многокаскадные усилители 322 322 324 325 328 330 333 336 337 340 343 344 345 345 346 12.1. Частотная характеристика .. 12.2. Децибелы .
12.3. Разделительный конденсатор и частотная характеристика на нижних частотах . 12.4. Частотная характеристика усилителя на биполярном транзисторе на низких частотах 12.5. Теорема Миллера 12.6. Частотная характеристика усилителей на биполярных транзисторах на высоких частотах 12.7. Частотная характеристика усилителей на полевых транзисторах.
12.8. Многокаскадные усилители . 12.9. Способы межкаскадной связи 12.10. Схема дарлингтона (составной транзистор) ........................ 12.11. Заключение . Дополнительная литература по теме...,........................... Вопросы . Задачи. Содержаяее ... 349 349 рами. . 361 13.9. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах ........ 362 ... 363 13.11. Операционный усилитель . 367 13.12. Характеристики и параметры операционного усилителя.........
372 13.13. Заключение . 378 379 .. 379 . 380 Вопросы Задачи.. ... 384 . 384 . 388 ... 390 ... 394 ... 400 усилители ... 402 . 406 ... 407 ... 415 . 423 ... 424 424 425 430 Глава 13 Дифференциальные и операционные усилители... 13.1. Дифференциальный усилитель ....................................,.„., 13.2. Дифференциальный усилитель с симметричным входом и симметричным выходом ..