Вопросы/задания: Экзаменационные вопросы (по билетам)
Описание
Характеристики вопросов/заданий
Список файлов
- Экзаменационные вопросы (по билетам)
- вопросы_к_Экзамену
- Thumbs.db 48 Kb
- Вариант1-1.JPG 159,31 Kb
- Вариант1-2.JPG 59,37 Kb
- Вариант10-1.JPG 163,65 Kb
- Вариант10-2.JPG 122,05 Kb
- Вариант2.JPG 179,32 Kb
- Вариант3.JPG 147,62 Kb
- Вариант4-1.JPG 154,53 Kb
- Вариант4-2.JPG 92,41 Kb
- Вариант4.doc 505 Kb
- Вариант5-1.JPG 158,68 Kb
- Вариант5-2.JPG 89,64 Kb
- Вариант6-1.JPG 178,73 Kb
- Вариант6-2.JPG 85,47 Kb
- Вариант7-1.JPG 154,21 Kb
- Вариант7-2.JPG 137,16 Kb
- Вариант8.JPG 171,42 Kb
- Вариант9-1.JPG 176,44 Kb
- Вариант9-2.JPG 83,69 Kb
Распознанный текст из изображения:
э ь
внз
ь
разница?
Майьиый размер окна в окисной пленке мокхно пол . чн ~ х
рлитографии при использовании ргттной ымпы ь~я
Ияиия фоторезистивного слоя~теорет нчес к им )'
стром материала ограничивается диффузия нрнмссн в
ят усилительные свойства биполярного гран гас|пол
эмиттера
базы.
коллектора
трении носителей в эмиттере
елей в коллекторе
гелей в базе
в биполярных интегральных схемах"
алого либо интегрального диода
МОП транзистор с индунированным и каналом
необходимые обозначения
х!~!.''г'.";;:,;Ж;:~'!К466Й МЦГИ
а ' '* 'Ф ' яф зй$яйг~ем
зяи:структур является дискретным пленарным
стерся», а какая. интегральным".
ирроговое ивиряясемие Опор мОп транзистора с
Распознанный текст из изображения:
„~ ~;='«~!,~;.,:!~Р~«Ф~фйфленйе 'ЙС',;расщиф
~,„'".=,-:;:;;:;!'::::';;::;,:::,~~ЮМайКя-биполярных ИС. ."!'„'...3:,.";.-';::'-'Что:~4кое фотолитография. К ';'!';.: 'ЩФейКе $ИЭ~ можно получить и
6фММФМ;к«ля экспонирования ф
.'.:::;:.' -, рз)г~ЙМ'лампа( в производстве
, -' "Ф;:... ~,рнеуттке Х.изображена стру
-йфафвнсщра изготовленного и
Вариант 1О
ровать обозначение ИС К537РУ1
сы зпитаксиально-планарной технологии
акой минимальный размер окна а окнсной
спользуя контактную фотолитографию.
оторезистивного слоя испол ьзз ется
)
ктура биполярного интегрального
о эпитаксиально-планарной технологии
Сделать все необходимые
обозначения
5; Йа:рисунке 2 приведена схема биполярного интегрального тран ~ис1 рл
Ь.-.;.:,Э.,:,,'К«Где в структуре биполярного интегрального
транзистора сосредоточены паразитные параме1ры
Скп и Ктк
« зк
а одного из элементов биполярных
'::'.,,"~';:::..'~-',:ржункег 3 изображена структура
'::.«~!:::::;;";:.,:::.~~~~Дффпънмх, 'схем
Какой это элемент и к ак он реал и ту ется
Распознанный текст из изображения:
7. На рисунке 4 изображена структура МОП транзистора с
индуцированным и каналом
сделать все необходимые обозначения.
8, Каков основной структурный параметр МОП транзистора. Показать его
на рисунке 4
9, Что такое технология самосовмещенного затвора и какие, проблемы.
улучшения параметров она решает
1О.Почему в микроэлектронике в качестве элементарйого:логического.
элемента может использоваться транзистор в ключевом,ре Жиме
Распознанный текст из изображения:
" 'ф:.::,,;:Какряадизуются резисторы биполярных ИС.Изобразите с гру л ~ у р
';.-'-',": даф~фузйонного резистора
'-;;::7.-;::,::::Нарйсунке 2 изображен МОП транзистор с иидуцироваииыч и
..:.''-,;~твнйдОму Каков основной структурный параметр МОИ ~ряи гис1ори
;;;;::;::язйкаФать" его на рисунке
'И' 3 С
~;;,:,:-;:;:,$,-; ':Что:~ф~ейечявает быст
!'~'.'Ф~:::,."-':::Яж,:~;~туйчи:КМОП техн
'"""!4~~~':;~:~физический
родействие МОИ транзисторон?
ология? Изобразить структуру кочплечсиырипи
подход к проблече надежности иитегральиои
ю
Вариант 2
з каких , ьязйодЧйкФФай йитегральная схема? И :, о оят полупроводниковые , о сй' у.изготовления состоят оойовйцЕ технологические процессы эпнтаксиально~фцу йологйи изготовления полупроводниковых '.:.-",:~;"-.;-:;..';"".~~~тьйык схем. "-=",;ф~:-~ ~~йиэб пюдунейия'пленки %О2 (диоксида кремния ~ иеобходичо ;..,';;::! щ~йФТй,:.еалй толтцина пленки должна быть 0,8 мкч? Су ос и ~и ,-'-'::::::::;., ~я~фф~~4~~:оййьлейййЕ, а может чередование этих процессов' ::~!4."-':='!~Р'"тле~'пленарный биполярный транзистор". "-"='3,'.:;.;:„-:,~ф~фйе~ффизображена структура биполярного интегралыиио :':,;: ";.'~айяйфтзара, изготовленного по эпитаксиально плаиариой ~ехиол~н и и ':,„',6;:Сделать все:негобходимые обозначения
Распознанный текст из изображения:
Вариант З
66'''М~П ИС
дйтзколдяс тщуегралъная схема7 Что такое
»оейавиые технологические операции технол
д1пзаса И б
ологни
'»~1~ ~",~;~фчФдом 'сухого нли влажного окисления получается тонкий
:='~;,;,::~!:,-:,:::.~фф4~~Фф1зфйЬФ диэлектрик МОП транзистора и почему
;-~:-.,~як".:,в1~~»я~3~.вМНоляриых ИС необходима нзоляыня элементов
'";", ~:;":М:ф411вусйя»Ф,':Гизображена эквивалентная схема биполярно»о
'""; ':;":~дф4щ»го 'транзистора.
;, 'Ф,;::,;-'-',.;:э',:;::;: 'к
Где в структуре биполярного и»пе грал ьного
транзистора сосредоточены паразит ныс паране» рм
тк Скп и Ктк
ра МОП трвнсиссс»рв. но г. гсивлх
"-'е»!'::йа,рисунке 2 изображена структу
"' '.4ФФЮом двойной диффузии
Сделать иа рисунке всс обо с кс ю,их
Показать нв рисунке ' .сс
расположен канал 1вкосо '»11»11
транзистора и канона сс о .с.»~~ил 1
1~ах
яйгсичеодувз'фг'увнкцилу выполняет элемент «н» агддеукирегь:ИС
-;7:,„ЙФ46фйзйтв структуру МОП конденсатора МО11 ИС , .Ж, йдрзттсунке изображена схема МОП инвертора МОП 1»с Нарисовать переходнун» харакссриссику иивсрсорс 1.»амх = П1»кх)
Распознанный текст из изображения:
~~бяФЩЩМЬидя::е~Щ~:".Кг .. Вариант 5 ВзсааФсий ' '' еификяцин инте
грал х схем по констру~
ризнаку( по.способ изгото ~)" технологнческнеоперации эг
и эпи1аксиально-планариой г,, готпвления биполярных интеГральных схем --~т!'., ""':~;-хМ',отличатётгн пРоцессы сУхого и влаж
влажного окисления кремния
~~! '=:~~ятЙя'пленок диоксида кремния % О,
ф)~ф~$~Й~~~~ ттртияесф г!я!Е ~~~~яМ~"пленяй ЙО2 '.фй~~ф'Мм:~икн :-а:;.м": ,"ФФй~:.~щ~е6 эпитаксия. Какая область интегрального планарного
фйрб)фрцоттэ 'крапзйстора, изготовленного по эпи~аксиально-п эаиарнии
".,Ч~ф~ффбряти, япляется'эпитаксиальной; эмиттерная. баговая или ;...,,' '.„?копбпйзпрная ' '$.::,":,'М фисунке 1 изображена эквивалентная схема биполярно~ о " ':;Инте пайьного.транзистора Цепь Скп и Кгк является параэигной Еах ~ и иьеи|ь Скп и Ктк? тк уру диффузионного конлсисатора биполяриы; сна часть МОИ интегральной схемы -и з с -и 31
г,' ВФ., -',« « ':-!'- """"$М~бяр1кяьтзие;схемы -биполярные или МОИ ИС
"''""''""' ''""""':: "': """''.'""":""' ' 'ю-высоких частотах > 10Гц
Распознанный текст из изображения:
~~~Фк~!~ф~йвф~Ф:,3',Ю3661аааксн ~фф)Д.ннаен .::~!-'::-:'::;"::;:"'::".:ф--- а-'Е".":.*::"":Т . РВКТЕРНЕТНКУ ННВЕрТОра 1 'вь~х = ~(~,,а ~ Иных
1'вх .—,- "~О',Я94~Л9фуНКцйю ВЫпОлняют изображенная на рис~ нке 4 нп икд. Как нна
'ЙЮЬЙИФТСЯ?
Распознанный текст из изображения:
а МОП транзистора, полученная
методом гсоннсн о
легиро.эния. ! ле об.гас~и,
полученные методом
ионной имплэнгсгцснс' ! »о
;:::.,»-.В:":::Йа рттсунке 2 изображена структур :И":-.. '. 3 с
каким техгигло1 иям
выполнена иэ сзру ктур и
как»ио проблему улучшения
ешает
ранзисторы. Июбрэгигь
ную на одном кристалле в едином
структуру»
сатора
::,,;:!„. ',~$~ЖМФ$~фов,МОП транзистора она р -;:.;!~::::,:.;.9~~~:тгяМйламентарные МО»1 т ;;,:;:,,,:-~~~ряз1Фй4МятгЭ~Муто нару изготовлен ;;::;.'::~-;,-~':"::.:.,",~~зг»!~четком цикле('нарисовать
;-!-";.'~'':.'-;$$~~~'!~~агтт"ст»!»уктгуру МОП конден
Я~~ЦГт1тКОВОдиИКСЗВа »: !. ' ' . '' ' с»арнаит 6
нтегральиая схема. Чем отличают
": ~~$ФФФфФ~»гав '-'$" ~4~щ4е дцффузцяс,"Чем отличаются диффузионные слои ог ';,",;:;~~»ладьях (' по размеру слоя, по диапазону возможных :,,4:" ' '::;:-; . КФг1»т~фФтрасцийз но распределению примесей в облас !
и ,::",умжкогобннзолярного планарного транзистора лучше час согнсле
яиуйотвягг.'гу.дискретного или интегрального '5:;: ',НФ рисунке г представлена схема составного транзис сорэ- парэ Дарлингтона. )квнваленгное усиление такой пары В=-В! В '. где В! и 82 козффе~гиен1ы К усиления по ток» грэсгсгсс ~оров ! ! и Т2. Изобразить микроэлектронное испо.шенпе Т2 такого трэнзис сорэ»с ~ р» к с» р» !
Распознанный текст из изображения:
":;:,''.-.'::::;.:::,::.':::9:."'.':Царей~® иМбражен инвентор на биполярном транзисторе, "-: ':.'.!':::;-':";';;:-':®~Фййом:по:схеме с ОЭ. Изобразить передаточную характеристику "",:,: З~фВЕЙ'БОРЗ 'Юеых;- ~(Ы~х)
Евых .1 0.: Что такое полныи и у
и словный отказ ИС
Распознанный текст из изображения:
'~Ф$тзвфвпщщ'схем ' р ' ' ' '- Вариант у вью:::1гт-с5П~~5 ' ы ащнифровать обозна* ение иеетепениг интеграции инте ь ой'слогхгное, про ж е ости ие сопровож ое, про ждается ухудшением ее "--,'",', Й~ ещплв основные,процессы впи
впитаксиально- плана вой '-"„':":::;:::!::.::;-':,'-"Ж~Ф~$9пгуни изготовления бипол
Й
ярных интегральных чик осхем Еа ':";."::;-:;::;::,:..:::, $~111е46ов1 проводится маскирование
:.~~3~у~3Ф$елиФь основные функции пленки диоксида кремния в
',-':;;":,~Ъ~Вуйфф96дниковых интегральных схемах ,.,:5",„Лф~фй7н1® 1 представлена зпитакснальна
ная иланарная сгр~ю~ра( ,".:"„;":;.: '-в~~зф~д~йсталлический кремний р типа и выращенный на нем "С.: . а~4Фяявиссйальнызй и слой. На рисунке 2 в структуре, у ка занной ва :,;,;1;: —;;"пнсзпткЕ 1 выполненьз изолированные области в ьгзн 1зы~ моьв~ ,, форМнровать интегральные транзисторы. Каким обратом во.о «. вы
дасти
'~:!;,":,"'. -'-:.::: ',.' ' 'рве 1 ниг ." ;-'4:;:,.$Ы Рисунке 3 представлена струкз.ура биполярного гран вн ~
Сделать все необходимые обозначения „,'".7 :;:,',::~14:~~тсуикзе 4 представлен МОИ транзистор с инду нвроваввыч в =;.,,'-:.:.::::;-:::;:;::,:;::,::.-;:::,:;:д~~~фбф'.:
Распознанный текст из изображения:
При ответе ла1ь областям
названия.
асть 5
ояасьь 6
'„г1бйабть.'1 Область 2 Область 3
3,-'йа рисунке 1. в структуре транзистора присутствхст ыблася ь 4 Каь1к.
, раль.она:выполняет?
4ь Какой технологический процесс используется для иолу гения к вы ах ~сь
' Фобласстям Э, К,Б?
'$йяарисуике'2 представлена схема элементарных бииояярны;
интегральных схем
9';::ФЬ:рьнеу?ИКЕ'3 ПрвдетаВЛЕНа СтруКтура МО11 трав ~ИС1Ора С
нййр~ирьаьиФным и каналом..
Сделать на рисунке 3 всс
необходимыс обозначения.
МОП транзис|ора?
ежду стоком и нс гоком 1,'си
нужна изоляция элсменяов
интегральных схем
;~-4"':":Ж~~~~йке'1? 'изображение
:; = .';::-фйт1й1тютора:изготовленная
::;::; .~йй~'ий указанных облает
';,:;,'эятйтмсиальиыми?
-";„',~:::;~ ЬФ! зсавиь'сит.'быстродействие ,.-;,,':Ф.,'':,':зйая1~агрсаничьииает напряжение м
-",':,!:~';:ф':::а'':изя~биу:и. 34дй транзисторе не
.;;;:.'-',::""'14:;-'~иисФить особенности МДП
труктура биполярного интегрального
'схиологйн
по зпитаксиально-планариой тех
ей сделаны диффузионными какие
Структура какого засоси ~а прс нк»к:, иэ
на рисунке 2
Распознанный текст из изображения:
л~~зР! зВ~'4~й~ковая:интегральная схе
®"МОП:икатрагльнме' схемы друг,
И 66'
ФВ~ГнчесМх операций зпнтакси
~~:;-;: '~~~~~у~нй'"йзгртовйення"интегральных схем
3..::,::~~М" нз:щ$едетавленнЫх структур является д
:.; -"фт~~~~ъным:бйполярным транзистором
ально планариой
обуславливает групповой
искретным, а какая
:4:;.:Быстродействие какого планарного биполярного транзистора яыьзс „фйскретного или интегрального
'5.:''Как;реализуются резисторы биполярных ИС. Изобразить стр~ к~ ~ р~ 4йффузионного резистора
6,':...-.~$4грнсунке изображена структура МОИ транзистора с „Ийдуцивованным и каналом. Сделать все необходимые обозначения
,7:,:,,~пвефяте..посяедовательность технологических операций цданарной
'.~~р~щщайфФ чтя-получения структуры из и, 6
.'ф.::,":':~еаятятегральные схемы биполярные или МДП предпочтительное на
-;::'„ вм~м~й::чвсютах. > 10ГГц
Распознанный текст из изображения:
Тр1- нагрузочный
транзистор
Тр2-активный или рабочий
транзистор
13вых
1О;Что такое физический подход к проблемам надежности
9, Иа рисунке изображен МОИ инвентор, В каком режиме находятся Тр1 и 1р2 Еп
Начать зарабатывать