Вопросы/задания: Вопросы
Описание
Характеристики вопросов/заданий
Список файлов
- Вопросы
- Thumbs.db 10 Kb
- Список вопросов 1.jpg 253,65 Kb
- Список вопросов 2.jpg 203,12 Kb
Распознанный текст из изображения:
Вопросы по микроэлектронике
2.
3.
4.
5.
6.
7.
9.
10.
12.
13.
14.
15.
17.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
Классификация ИС по конструктивно-технологическому признаку.
Понятие степени интеграции.
Классификация ИС по функциональному назначению. Расшифровать...
Основные технологические процессы тонкопленочной технологии.
Перечислить.
Термовакуумное испарение. Схема процесса. Достоинства, недостатки.
Катодное распыление. Схема процесса. Достоинства, недостатки.
Методы проведения металлизации ИС.
Ионно-плазменное распыление. Схема процесса. Достоинства,
недостатки.
Основные технологические процессы эпитаксиально-планарной
технологи.
Фотолитография. Технология Ф/Л,организация Ф/Л.
Диффузия. Уравнение описывающее процесс диффузии. Методы
проведения диффузии. Особенности диффузии в планарной технологии.
Эпитаксия. Технология хлоридного метода проведения эпитаксии.
Достоинства, недостатки.
Ионная имплантация. Технология процесса. Достоинства, недостатки.
Метод окисления подложек 1Т/Г1 ИС. Роль окисной пленки в
технологии изготовления Г1/П ИС.
Толстопленочная технология изготовления гибридных ИС.
Типовой технологический процесс создания планарного дискретного и-
р-и транзистора.
Изоляция элементов Г1/П ИС обратно-смеленным р-и переходом.
Достоинства, недостатки.
Изоляция элементов П/П ИС диэлектриком (эпитаксгпроцесс).
Достоинства, недостатки.
Изопланар 1 — комбинированный метод изоляции П/П ИС. Достоинства,
недостатки.
Полипланар — комбинированный метод изоляции П/П ИС. Достоинста,
недостатки.
Типовой технологический цикл изготовления и-р-и интегрального
транзистора.
Особенности интегрального и-р-и транзистора. Паразитные параметры
и-р-и транзистора. Методы улучшения его параметров.
р-и-р транзисторы ИС.
Супер-бета транзистор и составной транзистор бполярных ИС.
Транзистор Шотки биполярных ИС.
Типовой технологический цикл создания МОП-транзистора и
индуцированным каналом.
Пути улучшения параметров интегральных МОП-транзисторов. МОП-
транзистор с самосовмещенным затвором. Метод уменыпения рабочего
напряжения МОП-транзистора ИС.
Распознанный текст из изображения:
27.
28.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
Диоды биполярных ИС. Изобразить структуру 5-ти интегральных
диодов биполярных ИС, привести их параметры.
Резисторы биполярных ИС (диффузионные резисторы, линч-резисторы,
дегированные резисторы). Структурные параметры.
Емкости биполярных ИС ( на основе р-л переходов„МОП-емкости).
Структура, параметры.
Пассивный элемент МОП-интегральных схем. Резисторы,
конденсаторы.
МНОП-транзистор. Структура, применение.
Особенности интегральных микросхем на МОП-транзисторах.
Параметры интегральных логических элементов.
Биполярный транзистор в режиме ключа.
Логическая ячейка ТЛНС. Схема, микроэлектронное испарение,
достоинства, недостатки.
Логическая ячейка ДТЛ. Схема, достоинства, недостатки.
Логическая ячейка ТТЛ. Схема, достоинства, недостатки.
Логическая ячейка ЭСЛ. Схема, достоинства, недостатки.
Логическая ячейка ИЛ. Структура, принцип действия. Достоинства,
недостатки.
МОП-транзистор в режиме ключа.
Логические ячейки на МОП-транзисторах (п-МОП, р-МОП вЂ” логика).
Логические ячейки на основе к-МОП технологии. Схемы, достоинства,
недостатки.
Понятие надежности ИС. Основные типы отказов ИС.
Физический подход к проблемам надежности.
Способы увеличения надежности ИС.
Большие интегральные схемы (ИС).
Ограничения интегральной схемотехнической электроники.
Начать зарабатывать