Вопросы/задания: Условие типового расчёта
Описание
Характеристики вопросов/заданий
Список файлов
- yslovie-tr1
- yslovie-tr.jpg 237,99 Kb
- ТЭиМ(задание 1 тр и авторы книг)
- CCF08022010_00000.jpg 999,38 Kb
- CCF08022010_00001.jpg 690,63 Kb
Распознанный текст из изображения:
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
задание на типовой расчет !200бтг)
В соответс3ВИИ С Вариантом задания гсм. табл) для полупроводникового лиода со структурой "р л'
рассчитать н построить графики следующих характеристик:
1) ВАХ при Т=ЗООК, 250 К, 370К гв линейном и логарифмическом масштабах).
2) Распределение инжектированных носителей заряда в р и и областях при 1)= 0,5Пконт. и при
11= -1001)конт
3) Зависимость контактной разности потенциалов от температуры 125 ОК<Т<450К).
4) Зависимость контактной разности потенциалов от степени легирования и-области
5) Зависимость обратного тока от температуры 1250К<Т<450К).
б) Зависимость обзпатного тока от степени легирования донорной примесью 1Т=ЗООК.
10и<34<10'" см ).
7) Зависимость барьерной емкости диода от обратного напряжения (Т=ЗООК, — Ппробоя<1)<0).
8) Зависимость диффузионной емкости от прямого тока 1Т=ЗООК, 3< 100 А)см ).
9) Предложить конструкцию диода.
1'олщина н области
Н акн(В)
см"
Толщина р области,
мкм
М лонор !Аа) см'*
Материал
т„, мксск
сн мксск
730 '
200
30
0.8
50
03
70
Сс
1.0
3 30
300
7 30
200
02
80
Сс
3 10
0.5
100
5 30
1О
06
Я
07
1О
120
3 30
40
02
Я
410
310
510
0.1
3 30
0.6
3 30
140
40
5!
Я
0.7
510
150
410
60
05
30
10
50
200
0.8
510
0.6
5!
20
6 1О
1.0
10
50
40
30
Сс
30
2 10
0.5
250
410
30
0.4
31
Сс
40
20
810'
0.6
4 30
150
12
Сс
50
0.5
610 '
0.7
300
810
30
О.б
33
60
Сс
5!
!.0
6 1О
120
410
34
0.2
30
Я
0.5
7 30
130
3 30
20
0.3
35
5!
0.7
50
16
80
7 30
710
20
0.3
Я
0.8
3 10
60
830
37
ЗО
30
02
3.0
5 10
70
2 1О
03
38
О.!
05
10
80
830
39
5!
02
0.4
3 30
30
0.8
30
130
60
20
5!
1.0
230
140
4 30
21
20
50
0.5
410
150
5 1О
22
40
40
05
200
06
610
б 30
23
60
ЗО
0.6
24
Примечания:
° времена жизни тр „ти указаны для неосновных носителей заряда;
° нсдостаюшие для расчета параметры могут быть выбраны проекгантом исходя из общих
физических соображений ги здравого смысла);
° предельная плотность тока не должна превышать 500 А)см';
° Предельную мошность рассчитывать исходя из предельного тока при прямом смещении.
фф ! 1 ! ! !
Распознанный текст из изображения:
Толщина и -области,
МКМ
10*10 10 10 0,5
200
0,01
0,6
10-10 10 10
150
0.05
баАз
10 10 10 10 10
100
0,1
1.10 1.10 0,005 0,001
50
0,9
1 10 1 10 0,05 0,005
200
1„О
110 110 05
2 10 2 10 1
150
0,01
0,4
100
0,05
0,5
2 10 2 10 10
0,1
2 10 2 10 0,005 0,001
200
10
3 10 3.10 0,05 0,005
150
10
11 бе
0,8
3 10 3.10 0,5
100
0,01
0,9
3 10 3 10
50
13 Я
1,0
200
4 10 4*10 ' 10
14 бе
15 баАз
0,4
150
4 10 4 10 0,005 0,001
0,5
100
4.10 4 10 0,05 0,005
О,б
50
5.10 5 10 0,5
0,01
0,7
200
5 10 5 10 1
0,05
0,8
150
5 10 5 10 10
0,1
0,9
6 10 6 10 0,005 0,001
1,0
50 10
6 10 б 10 0,05 0,005
200
610 610 ' 05 001
22 %
0,4
150 2
7 10 7 10
1 0,05
0,5
100
710
10 0,1
О,б
50
710
0,005 0„001
0,7
200
0,05 0,005
0,8
150
0,5 0,01
0,9
100 7
1 0,05
50 3
1,0
9-10
10 0,1
200
9.10
0,005 0,001
30
0,4
150
10
9 10 ' 9 10
0,05 0,005
Номер варианта соответствует номеру по списку группы (в журнале).
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Задание на типовой расчет (2010 г.)
В соответствии с вариантом задания (см. табл.) для полупроводникового
диода со структурой «р и» рассчитать и построить графики следующих
характеристик:
1) ВАХ при Т=ЗООК, 25ОК, 37ОК «в линейном и логарифмическом масштабах до
1<100 А/см ).
2) Распределение неосновных носителей заряда в р и и областях при У, =0,5 ~р „„,
и при Ъ',„=100 д„,
3) Зависимость контактной разности потенциалов (у„, ) от температуры
(250К<Т<45ОК).
4) Зависимость контактной разности потенциалов (~р„, ) от степени легирования
п-области.
5) Зависимость обратного тока от температуры (25ОК<Т<45ОК).
б) Зависимость обратного тока от степени легирования донорной примесью
(Т=ЗОО К, 10' <Х,1 <10' см 3).
7) Зависимость барьерной емкости диода от обратного напряжения (Т=ЗООК,- ~проб<~ см» 9 Конт).
8) Зависимость диффузионной е*мкости от прямого тока (Т=ЗООК, 1<100 А/см ).
9) Й едложить конс кцию диода.
Распознанный текст из изображения:
ЛИТЕРАТУРА
1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М. Энергоатомизадат. 1990. 576 с.
2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.; Энергоатомиздат, 1985.
УП.2. Учебные пособпя
1. Твердотельная электроника: учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений/~Э.Н. Воронков, А.М. Гуляев, И.Н. Мирошникова, Н.А. Чарыков|. — М.: Издательский центр «Академия»„2009. — 320 с.
2. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учеб. пособие/ - М.: Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009. — 463 с. — ~Основы наук).
3. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 488 с.
4. Полупроводниковые ди~ды. Учебное пособи~ по курсу Электроника и микроэлектроника. Часть 1. Твердотельная электроника. / Под ред. Н.А. Чарыкова. М.: МЭИ. 1997. 112с.
5. Электропроводность полупроводников: учеб. пособие /Э.Н. Воронков, Е.В. Зенова„0.Б. Сарач. - М.: Издательский дом МЭИ„2005. — 68
Оппевния лабораторных работ
~Х
1. Твердотельная злектроника. Лабораторные работы: Ме~одическое пособие / З.Н, Воронков, О.Б. Сарач, Н,А.Чарыков. - М.: Издательский дом МЗИ, 2ОО7. — 28 с.
2. П олупроводниковые диоды. Учебное пособие по курсу Злектроника и микроэлектроника. Часть 1. Твердотельная электроника. / Под ред. Н.А. Чарыкова. М.: МЗИ. 1997. 112с.
3. Воронков З.Н. Биполярные транзисторы /Учебное пособие по курсу «Твердотельная электроникаэ.М.: Издательство МЗИ. 2ОО2. 4О с.
4. В оронков З.Н., Зенова Е.В. Полевые транзисторы/Учебное пособие М.: Издательство МЗИ. 2ОО4, бО с.
Начать зарабатывать