Курсовая работа: Проектирование системы управления кластером магнетронного распыления на установке Endura 5500
Описание
Проект курсовой
На тему: «Проектирование системы управления кластером магнетронного распыления на установке Endura 5500»
Расчетно-пояснительная записка
ЗАДАНИЕ
на курсовой проект по системам автоматического управления оборудования электронных технологий.
Тема проекта: Кластер магнетронного распыления
1. Проработать описание работы машины, выбрать и обосновать состав его основных целевых функций, сервисных функций, функций коррекции цели.
2. Разработать комплексную принципиальную схему, как совокупность системы целевых механизмов, системы их энергообеспечения и системы управления, связанных материальными, энергетическими и информационными потоками.
3. Описать механический, энергетический и информационный интерфейс компонентов стенда, поставить технические задания на них.
4. Привести описание интерфейса стандартных и покупных компонентов.
Содержание графической части.
- Процессная модель машины..................................................1 л.
- Комплексная принципиальная схема....................................2 л.
- Принципиальная электрическая схема..................................1 л.
Содержание расчетно-пояснительной записки.
- Введение.
- Описание процессной модели. Выбор и обоснование целевых, сервисных функций, и функций коррекции цели.
- Описание комплексной принципиальной схемы.
- Технические задания на элементы и узлы машины.
- Расчет и описание принципиальной электрической схемы.
- Заключение.
Реферат
В данном курсовом проекте рассмотрена система автоматизированного управления кластером магнетронного распыления материалов.
Рассмотрены основные узлы САУ. Проект выполнен в объеме 5 листов и расчетно-пояснительной записки. На первом и втором листе показана процессная модель работы камеры. Принципиальная схема установки и КПС целевых механизмов, КПС пневматики приведена на 3 листе. На четвертом листе проекта приведена комплексная принципиальная схема САУ. На пятои листе показана схема соединения установки.
Расчетно-пояснительная записка содержит 31 лист, 3 таблицы, 5 рисунков
Оглавление.
2. Описание целевого, механического и энергетического интерфейсов камеры PVD. 6
2.1 Описание процессной модели кластера, постановка ТЗ на программное обеспечение. 7
3. Описание КПС. Выбор и согласование потоков. 11
Информационный интерфейс камеры. 19
Список использованных источников- 24
Приложение 1.Перечень сигналов, соответствующий КПС целевых механизмов- 25
Приложение 2.Перечень элементов, соответствующий КПС целевых механизмов- 27
Приложение 3. Перечень сигналов, соответствующий КПС САУ. 29
Приложение 4.Перечень элементов, соответствующий КПС САУ. 31
Приложение 5.Перечень элементов, соответствующий схеме соединений- 32
1. Введение.
В данной работе будет рассматриваться проект системы автоматического управления кластера магнетронного распыления установки Endura 5500. Прототипом данной установки является аналогичная по структуре и реализуемым возможностям установка компании Applied Materials.
Полное наименование технологического комплекса: технологический комплекс осаждения и нанесения металлических слоев на поверхность полупроводниковых пластин
Назначение технологического комплекса: использование в технологическом процессе обработки кремниевых пластин диаметром 150мм с исходными характеристиками, не уступающими требованиям стандарта SEMI M1.8-89 «Standard for 150 mm Polished Monocrystalline Silicon Wafers (Стандарт на полированные пластины монокристаллического кремния диаметром 150 мм)», для обеспечения выполнения технологических операций:
- нанесение пленок на основе алюминия на поверхность кремниевых пластин;
- нанесение пленок титана и (или) нитрида титана на поверхность кремниевых пластин;
- осаждение вольфрама из газовой фазы на поверхность кремниевых пластин;
- термическая обработка слоев титана и нитрида титана (силицидация) на поверхности кремниевых пластин;
- предварительная очистка (методом ионного травления) поверхности полупроводниковых пластин перед нанесением слоев металлизации.
Область применения: технологические процессы изготовления интегральных микросхем. Комплекс может применяться автономно и в составе технологического комплекса для изготовления интегральных микросхем ЮКСУ.442169.001.
Общие сведения по технологии производства.
Установка ENDURA PVD реализует операции нанесения металлических слоев (сплавы на основе алюминия, титан) методом магнетронного распыления, при котором распыление атомов наносимого материала из мишени осуществляется бомбардировкой положительно заряженными ионами рабочего газа (аргона) из плазмы разряда постоянного тока пониженного давления с вращающимся магнитным полем. При нанесении слоя нитрида титана в дополнение к вышеперечисленным механизмам происходит химическая реакция распыленных из мишени атомов титана с газообразным азотом при повышенной температуре.
Установка ENDURA PVD реализует также операцию осаждения вольфрама из газовой фазы. При этом, происходит химическая реакция между гексафторидом вольфрама, водородом и моносиланом при повышенной температуре с осаждением вольфрама на поверхности обрабатываемой пластины.
Установка ENDURA PVD реализует также операцию термического отжига пленок титана и нитрида титана с образованием силицида титана с целью снижения контактного сопротивления.
Кроме того, установка ENDURA PVD реализует операцию предварительной очистки контактных окон перед нанесением слоев металлизации. Предварительная очистка осуществляется методом ионного травления продуктами низкотемпературной плазмы ВЧ разряда с двумя источниками возбуждения пониженного давления, включающими в себя заряженные частицы (электроны, положительно заряженные ионы). В качестве рабочей плазмообразующей среды используется газообразный аргон, подаваемый из газовой панели установки.
В проекте будет рассматриваться камера PVD (physical vapor deposition), использующаяся для нанесения пленок титана и нитрида титана.
Характеристики курсовой работы
Список файлов
- Проектирование системы управления кластером магнетронного распыления на установке Endura 5500
- 1-iy 2 moy.cdw 65,15 Kb
- 1-iy moy.cdw 109,05 Kb
- 2- s raboti.CDW 146,33 Kb
- 3-ий.cdw 201 Kb
- 4-ый.cdw 280,84 Kb
- SV.doc 4,76 Mb
- Прочти меня.txt 141 b
- Таблица потоков.xls 74,5 Kb
Начать зарабатывать