НИР: Модернизация установки совмещения и экспонирования пластин ЭМ5026

Инженерный практикум. Отчёт: «Модернизация установки совмещения и экспонирования пластин ЭМ5026»

Содержание

Введение ......................................................................................................... 3
1. Фотолитография .................................................................................... 5
2. Установка сомещения и экспонирования ЭМ5026......... 12
3. Модернизация установки ЭМ5026 ................................................ 16
Выводы .......................................................................................................... 24
Заключение ................................................................................................ 25
Список источников информации................................................. 26

ВВЕДЕНИЕ

В современном мире существует бесчисленное множество алгоритмов по созданию современной электронной техники. Наблюдается тенденция создания всё более мощных приборов, которые поддерживают большую частоту. Однако, не всегда получается добиться успехов улучшая оба параметра одновременно.
Сейчас одним из самых популярных и самых важных элементов всей электронной промышленности является транзистор. Их существует множество видов, типов и размеров. Одним из наиболее перспективных направлений является создание полевых транзисторов по планарной технологии с минимальным размером элемента порядка 1 мкм. Подобными технологиями занимаются на АО «НПП «Пульсар», где производят транзисторы и с меньшим минимальными размером элемента.
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком. [1]
Каналом называется область полупроводникового кристалла, в которой поток основных носителей заряда регулируется изменением её поперечного сечения напряжением управляющего электрода. Исток – это электрод полевого транзистора, из которого истекают носители заряда. Сток – это электрод полевого транзистора, в который стекают носители заряда. Затвор – это управляющий электрод полевого транзистора, к которому прикладывается управляющее напряжение.
Когда возникает электрическое поле при приложении разности потенциалов между затвором и истоком, изменяется проводимость канала, а следовательно изменяется также и ток, который проходит через канал. Управляющее электрическое поле направляется перпендикулярно движению носителей в канале, поэтому называется поперечным. Носители же в канале
проходят путь от истока к стоку под действием продольного электрического поля (создаётся за счёт напряжения между стоком и истоком), которое направлено вдоль канала.
На АО «НПП «Пульсар» также производят такие транзисторы. Одной из основных операций является фотолитография, которая позволяет получить транзистор с минимальным размером элемента 0,5 мкм. На предприятии используется установка ЭМ5026.