semicond4 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы)
Описание файла
Файл "semicond4" внутри архива находится в папке "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы". DJVU-файл из архива "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электротехника (элтех)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электротехника (цифровая электроника)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла
КТЛ108Л, КТ3108Б, КТЗ! 08В Кремниевые плапарно-эпитаксиа чьные траиаисторы и-и-р Предназначены для использова«ия в усилителях высокой частоты и логарифмлеских видеоусилитслях, Вынув~ ают ся в ~м ~ аллое ~ екляниом корлу се с Гибл.'~к выьодами (рис 4 3, ~) Лродолзк ение ктз~оеА ктхГбББ кто~ оев Режим измерении 11ара иетры 1У5 =-6 250 1р„, нс С„, пФ С,, пФ г„пФ ~5 и 250 Предельна допустичыс эксплуатациоиныс данные ~ Квтах В Скза . В 1 ьэ ахах В ~К мах» 1 К иа», 'йВт 1 и и а1а~» мВт в ТЗ117А КТ31175 Кремниевые эпитаксиально-планарные траизисторы п-р-л.
Предназначены для работы в качестве переключающих элементов в быстродействукицих оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применении Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, у). Предельно допус~нмыс эксплуатационные данные Й,е иа»» В 1' Кэ»»»а'»» ~как ~.~БЭ ниах» В ~"ЪЭ и яах» ~К и мах ~К иа~ 1к=10 мЖ ОБ=1 ик,= — 10 В 0вэ =1 В УКв = — 10 В; РК = 1О мЛ; 1'= =30 МГц — 40 'С ~ О,„р а- 85 'С То же, при Рэь =-10 кОм — 45 'С ~ О„„р < 85 'С То же, при 1„: 10 мкс, ~:-- .2 — 45'С ~ Ои„р ~85'С Та же, при Яьэ = 0 1'о же, при Квв = 1 кОм — 45 "С ~~ О„„--. 85'С То же, при ти = 10 мкс, (~ =2 Та же, при т„= 10 мкс; 4~ = 2 — 45 'С - О„„~ < 85 =С 60/45 60,45 200 зоо 100 360 60 60 50 5 800 400 45 45 5 200 300 100 360 Продолжение ' при таетииеиии теиоеоатуои ок1тужаюшей срелы от К до 85 'С иошяоетл )'иВ-) ааиеияется ио .тииеиитииу аакоиу и иожет бь|ть Васеиитаиа по фори)ле Рхщ,лт —— (!БО— — ) у~),ао 600 600 ФИ Яо 0,Ч- 03 72 РБЭ,В д ЮП КТ3120Л Кремниевые эиитаксиально-планарные СВЧ усили- ,и ные транзисторы а-р-и с нормированным коэффициентом ~ма.
Предназначены для работы во входных и последующих к,~дах усилителей СЫЧ. Выиускакпси в металлокерамичсском корпусе с гибкими поковыми выводамн (рис 4.3, э). Обозначение тина транзистора И овючнтся на этикетке. Ка крышку корпуса нанесены две кн белого цвета. !ьао доо~ь — 00'С ..-: 0, 0!!лр ~ 12'-~ О!>, р ~ !25 — 60'С ~ Нрл ~а»1и ~си!!н тсап»~»ат»рь! олр! н ~!» ц» и ср» л»!»»! Ь! р! 1!а! ' » и»!»!»» ! !ь!»»!»! м»!щт,ш»-ь с!!»»жд»т»,я !!»» чин»»»!!о»»» '»»ьо!!1 д»! 3»!»!В1 -1'к, мА Л а 0,,1 П,5гь,,а П !~ Р а Р„~,о КТ3123ЛМ, КТ3123БИ, КТ3123ВМ Кремнисвые СВЧ транзисторы р-а-р с нормированным коэффициентом шума Предиаз1!а и»ы для работы в усилителях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры широкого применения Выпускаются в металлоксрамичсском корцусе с гибкими полосковыми выводами (рис 43, и('1 Маркируются цветной точкой, которая наносится на корпус.
КТ3123ЛМ вЂ” розового цвета, КТ3123БМ вЂ” желтого, КТ3123ВМ вЂ” синего цвета. П 11сд». к! "Ь,Б !!!а» ° !! -'к!и ь " В (ь, „мА !а !!!дл, мЛ !'!» и ! !а1 ° /1И !„„а„, мА Рк „,„„„мВт о! 0!!ер !!.ак ° Е,„р, 'С !! мыс эк л",латацио ~иые О к 19»ОС "С Рв-~-. 10 ьОм Е),!,р с' 125 'Г Од„-, -= 125 '(. С, 1„=-.
1О мкс. ~:- 2 '(., 1ь.с-10 мкс, ~ > 2 1"олр ~ (!~ Н!!ЫР 15 1д 20 20 40 ~о 100' 150 — Со +125 ПРПдОЛ ЬГИН7 Е. Предельно допустимые эксплуатационные данные 150 — 45 1'~1» +85 ' Прс тсапсра~~ре ат 30 со 88'С мощнесть 1чвт1 ресс ~ктывеется пс Формуле Рк „,;, = =- (180 — О„„, ) /О 78 К'И127Л, КТЗ12ИЛ Кр» миисвыс нланарно-эпитаксиальныс транзисторы р и р. Преднаян1чены для усиления, гснернрования, преобразовании ко.~ебаний высокой частоты, а также дчя работы и каскадах с автомагической регулировкой усиления в селектора с каналов и блоке радиоканала телевнзионн17х приемников Выпуска~отся в ь~еталлостеклянном корпусе с гибки'чн выводнчи (рис, 43,х). 7 157 1,7„„„В 1'~Б так.
В 17кэн ела т, В 7К жал МА т к ст:ат мВт 17~и р акр 'С7ыВт 0 е~ — 45 С~ — 45 'С То же, при — 45 С~ — 45'С- вохр ~ 8 ' Оокр - 8а ЙБ~ = 1О кОм Оакр ~ 875 С 13„,„== 30 "à — 20 — 3 — 20 4)0 150' 0,78 — 20 — 3 — 20 20 150 0,78 Продолжение — 45 'С .-.. О,„р . 85 '(' То ке, пру( И),э = 10 кОч — 45'(; = О,„р ~ 85 "С вЂ” ю сэр — 1э 4 "э "( ..=. ()„,р -- 85 "С у ()()у 1„(,э В ээээ-срвзэе теэеператэр от 3: до 8~ С эээээдээээсэь (ээу)т) рассчутивастэе и э фэуэ эу че 4 К лгс 1 = (У'э(» Оо*уэ) /У УЭ (Ы еуА 16» ее4 "э~ ( Бэ тУ Т (((Л 274 4э,,(.т -Зм4) КТЗ~Н4 44,е Ф 4 э)э( Р,е~е,ее4 п т(у.у е;: ..
В 2~у,з(( „.е„в е 35 ээедт 1у( ээ,тэ, ~(А ~ у(гаянэ ° эуэ еэер э» (э ~ 'С/эеБу ре И.".уьууо доп~епуе( уе эу с(ул)лтап(уонууыс д уэуу,уе — 2(у — 20 2(у 100э 1,15 КТ3142А Кремниевый планарно-эвита ксиальный высокочастотный 1~ анзистор и-р-л. Применяется для генерирования, усиления н преобразования колебаний высокой частоты. Вын1 сдается в металлос1еклинной кориусе с гибкими , ~ дами *(рис. 4 3, у).
Предельно допустимые эксплуатационные данные ~уКБ па с — 1 "1 "С' 0 . 8"1 'С 40 При у.лааии, что РК -в - Ри „,в; два таиной т мисратурм в Ь ин1срвале теьнератур от 25 до Н5 'С мзьсич. лино донустимая мощность (унт) расснитьваетси ло формуле рь в,в, — (1ьн — 0„„„)/О,ЗЬ 5.
ЬИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ЗЛ. ЬиполмРные транзисторы средней мощности низкой частоты Назначение выводов, внешний внд и основные размеры корпусов биполярных транзисторов средней мощности вязкой часготы приведены на рис. 51. Х Йриаиа кпрпуса Я $д~дОНГП КЦ)П~СЯ юг, /'т46т гтрк Рис.
5.!. Биполярные транзисторы сред- ней мощности низкой частоты ГТ402А, ГТ4026, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Проди ~ оаы для применения в выходных каскадах усилнтелен частоты. Могут использоваться в парном включении о«ясторами 1 Т404 !'~,пускакзтся в металлостеклянном корпусе с гибкими вымя н двух вариантах (рис.
5.1, а). дс.~ьно допустимыо экспчуагициопиь1о данныи — 0,35 — 40 — О,З5 — 2о Яэп — 200 Ои Ук „А Рц „, мВт 0,5 600' 0,5 60О' 0,1 х1яер онр> 'С/мВт 0,1 0,1 2 й варааш корпуса о Епер тпах Оокр, Прс ~ЭВ. тих» ~КЭК а~ах О„р: 25 С; 1-й аа- риант корпуса Оокр ~~ 25 'С; 2-й вариант корпуса 1-Й вариаиг корпуса — О,З5 о — 40 0,5 6ОО' 0,15 % О...
+55 — о,з5 25 О,б 600' О,! 0,15 85 ' Прн температуре свь|ше 25'ь, яогустимая ион~ность (мВт1, расссевясмая на ноллеаторе, опрсясхястся по формуле РК мах (85 асар)/я «р акр ГТ403А, ГТ4ОЗБ, ГТ4ОЗБ, ГТ403Г, ГТ4ОЗД, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ4ОЗИ, ГТ403Ю Германнсвыс сплавные транзисгоры р и р. Г1реднаи ясны для работы в пРреклюпятелях„выходных каскадах ннзк ~частотных усилителей, преобразователях н стабилизаторах стоянного тока. Выпускаются в металлостекляннам корпусе с гибкичи ныво1пмн (рис. 5.1 6). 0,8 163 Лродолжеиие ГТ40ЗА ! Гт)ОЗВ ! ГТ40ЗД ! ГТ403Ж ! ГТ403)О параметри Р~ кем вчтере» !я т (47)ЗВ 1-7т4~Я ~ -гт40зт-! гт403и ~ ЦкБ,ат В икр ща„В (7ВБ лат В Предельно допустим ()акр ~ ~70 0.„, ~70 С ье эксп — Зо — 20 луатацио — 60 45 — 20 нные — 80 — 60 — 20 — 45 — ао — 20 1,25 0,4 600' 100 1,25 0,4 600э 100 Оокр =-70'С 0 „р 70'С 1,25 04 600' 100 1,25 0,4 ~00з 100 15 15 15 ,' Пр.
Ь'7Е8= — 80 В Пря б'кп = — )00 В е Пр» температуре окруженцей среды свище 26'С дапуетвчевя мощность делястся аа фарччучкя а) без тепчаотвоэа — Рк ма» = 0 Ы (88 — О„„а), 6) с гепааитводом — Рк ща: т = (83 — Оч~е) г (О (Вт) опре- А ~Е д -~д д„„в д -а -гЧи„,Д д -72 П„„д ')727Е дд И Ид 20 д Нд %д1,,мА д ф Х„,А д дд 1ИХ)(,йА ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г Германиевые сплавные транзисторы и-р-ут.
Примеияютси в выходных каскадах усилителей звуковой частоты. Могут использоваться в парном включении с транзисторами ГТ402, ГТ405. ек ниах 7Б „, А РК щах~ мВ Ивер окр С/Вт Нпср кор1 'С/Вт бакр, о 0лер щах, нные да — 60 — 45 — 30 :М 1,25 0,4 600' 100 !'».иуекаюгся в мегзллостекляииим кг)рнуее с гябкими ин.и 1!Йе '1, ) Предельно допуст имые эксплуатацно ,!;,„,~~, К Й=!я — 200 Ом, !)нк!е да 25 0„„р-.=.
= -С г,,„,,А мВт !!! н ! !'мБт Ф ~! )3, ! /мВт Рк „,„,„= 600 мВт 0,1 00 ! 5 0015 00!5 0,015 сэр !~ Вт "(,' 85 — !О 85 +55 т< !!! !т>ре о!!-~ !..з!о!и„!! !.рс !!! ! !!!!!!!с Ю "Г и !пг«!! р !ч г!!!~;с!!!!!з!! л»>!!!!! ! ~ 3!~- ! 3т!!В!с !"!! !7$! ф!!!ъГлъни г!к огас! — (!! ~ 1~ лп),'!!!. и г ~р '! !(!, Д 1 и вариапг корпуса 2 и Вс!1~!!с!и! к!!р!!уеа Р!г „„„=.- 300 мВг 0,5 600! 500' 0,15 0,5 600' зги д» !" 0,5 600' .10!)' 0,15 0,5 Ц)0! ,)!)г)' 0,1! ! ГТ405А, ГТ405О„ГТ405Б, ГТ405Г Гсрмаипсвыс спнавные трапзпсторы типа р-л-р. Предназначены дли работы н выходных каскадах УНЧ.
Выпускнютсп в ппастмассоном корпусе с гибкими выводами (р 51, в1. Предельно допустимые эиснлуатацнонныс данные — 40 +55 1 Прн "ем и ратмире окрунеа~он1С1 среаы свивав за "С вандом. ыая дому~тнмая вошкается рассвмтывастсн по формуле Ри „„„- <95 — О,„в~,о,! ~00 енот, В ~ива в~их, В 1к „,„, А Рк ~аг~ мВТ е вер окр ~-Л о ю" с' оакр.
0скр -- 55 Р~н ~: 200 Ом 0акр ~ 55 '~. 0ок~ 0 35 — 25 0,5 50О' 100 85 — 0,35 — 25 0,5 600' 300 85 — 0,35 40 0.5 500' ~00 85 — 0.35 — 40 0,5 ЬОО' 100 85 3.2. Бнп©парные транзйстеры средней мощности средней частоты Назначение выводов, внешний вид и основные раз~~и1и~ сов бииолярны~ ~ раизис~ороа средней ~~о~цнос~ и 1 ~ и икго1ы нриведены иа рис 52 Рис. б 2 Биполярные транзисторы средней мошности средней частоты КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д„ КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М Кремниевые эпитакснально-планарные усилительные транзисторы р-л-р. Прсдназцачены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума, преобразователях, дифференциальных усилителях, импульсных и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применении.