Параметры и эквивалентные схемы
Параметры и эквивалентные схемы.
Параметры делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные пара-метры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы включения. Вторичные параметры, наоборот, характеризуют транзистор в конкретной схеме включения.
Основные первичные параметры: сопротивление эмиттера переменному току: , сопротивление коллектора переменному току: ,
сопротивление базы переменному току: (поперечное сопротивление базы). Кроме этого, ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов .
Эквивалентная Т-образная схема транзистора (ОБ):
Эквивалентная Т-образная схема транзистора (ОЭ):
, при
Переход от эквивалентной схемы ОБ к эквивалентной схеме ОЭ.
Рекомендуемые материалы
Напряжение, создаваемое источником тока , равно разности между ЭДС и падением напряжения на внутреннем сопротивлении: , ();
, .
Вторичные параметры основываются на рассмотрении эквивалентных схем транзисторов, как четырёхполюсников, т.е. относительно двух пар выводов. Кроме того, четырёхполюсник анализируется в режиме малых амплитуд. В настоящее время широко используются h-параметры.
Для схемы ОЭ имеем:, , где и -амплитуды.
, ,где /
1. –входное сопротивление по переменному току:, при , т.е. .
2. -коэффициент обратной связи по напряжению: при , т.е. .
3. - коэффициент передачи тока: , при , т.е. .
4. - выходная проводимость по переменному току: , при , т.е. .
Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров:
Пример расчета h-параметров по статическим характеристикам для схем ОЭ:
1)
Информация в лекции "Страны перенейского полуострова в международных отношениях V-XV вв" поможет Вам.
2)
1) -рабочая точка покоя, ,
2) , ; , .
Приводимые в справочниках h-параметры являются усредненными величинами группы однотипных транзисторов.